期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
330 GHz砷化镓单片集成分谐波混频器 被引量:3
1
作者 刘戈 张波 +3 位作者 张立森 王俊龙 邢东 樊勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期252-256,共5页
在太赫兹频段,二极管尺寸与波长相比已不能忽略,二极管的封装会引入很大的寄生参量,因此需建立二极管三维模型提取寄生参数.同时人工装配难度增大,会增加电路不确定性.采用12μm砷化镓单片集成悬置微带线结构,基于电子科技大学与中国电... 在太赫兹频段,二极管尺寸与波长相比已不能忽略,二极管的封装会引入很大的寄生参量,因此需建立二极管三维模型提取寄生参数.同时人工装配难度增大,会增加电路不确定性.采用12μm砷化镓单片集成悬置微带线结构,基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制330 GHz砷化镓单片集成分谐波混频器.实测结果显示在5 mW本振功率的驱动下,在328 GHz可得到最小变频损耗10.4 dB,在320~340 GHz范围内,单边带变频损耗小于14.7 dB. 展开更多
关键词 太赫兹 单片集成分谐波混频器 肖特基二极管 砷化镓 变频损耗
在线阅读 下载PDF
基于二极管3D精确模型的0.42 THz分谐波混频器 被引量:10
2
作者 刘戈 张波 +4 位作者 张立森 王俊龙 邢东 陈哲 樊勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期338-343,共6页
基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制宽带360~440 GHz分谐波混频器。详细描述二极管建模,以模拟在极高频复杂电磁环境中由于二极管结构引入的相关寄生效应.在软件HFSS与ADS中,通过场与路结... 基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制宽带360~440 GHz分谐波混频器。详细描述二极管建模,以模拟在极高频复杂电磁环境中由于二极管结构引入的相关寄生效应.在软件HFSS与ADS中,通过场与路结合的方法对分谐波混频器进行优化.实测结果显示在本振信号为210 GHz本振功率6 d Bm的驱动下,在406 GHz可得到最小变频损耗9.99 d B,在380~430 GHz范围内,变频损耗小于15 d B,在360~440 GHz范围内,变频损耗小于19 d B. 展开更多
关键词 分谐波混频器 变频损耗 寄生参数 肖特基二极管
在线阅读 下载PDF
基于肖特基二极管的宽带低本振功率太赫兹四次谐波混频器 被引量:3
3
作者 杨益林 张波 +3 位作者 纪东峰 王依伟 赵向阳 樊勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期540-546,共7页
介绍了基于反向并联肖特基二极管的宽带低驱动功率太赫兹四次谐波混频器。详细地分析了二极管寄生参量与混频器性能间的关系。为了降低四次谐波混频器的最佳本振功率,对肖特基二极管的主要参数进行了优化。实际测试结果显示,在7 mW的最... 介绍了基于反向并联肖特基二极管的宽带低驱动功率太赫兹四次谐波混频器。详细地分析了二极管寄生参量与混频器性能间的关系。为了降低四次谐波混频器的最佳本振功率,对肖特基二极管的主要参数进行了优化。实际测试结果显示,在7 mW的最佳本振功率驱动下,该四次谐波混频器在340~490 GHz的宽带内,变频损耗在14.2~20 dB之间。同时,该频段内的混频器噪声温度为4020~17100 K。 展开更多
关键词 四次谐波混频器 低本振功率 肖特基二极管 太赫兹频段 宽带
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部