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中国电子科技集团公司第十三研究所高韧性陶瓷材料及其制备方法获美国专利
1
作者 高岭 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期735-735,共1页
中国电子科技集团公司第十三研究所高韧性陶瓷材料及其制备方法研究成果,获得美国国际发明专利授权。中国电子科技集团公司第十三研究所持续开展外壳领域的核心技术研发工作,通过持续研发、优化对高性能陶瓷材料配方研究,研发出一整套... 中国电子科技集团公司第十三研究所高韧性陶瓷材料及其制备方法研究成果,获得美国国际发明专利授权。中国电子科技集团公司第十三研究所持续开展外壳领域的核心技术研发工作,通过持续研发、优化对高性能陶瓷材料配方研究,研发出一整套制备工艺方法, 展开更多
关键词 中国电子科技集团公司 制备方法 美国专利 陶瓷材料 研究所 高韧性 研发工作 高性能陶瓷
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中国电子科技集团公司第十三研究所激光器产品推介
2
作者 刘小文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期799-799,共1页
中国电子科技集团公司第十三研究所研发生产半导体激光器、固态激光器和光纤激光器三大系列激光器。半导体激光器以高功率为主要特点,在800-1064nm近红外波段,连续功率达到3000W,脉冲功率达到5000W,
关键词 中国电子科技集团公司 半导体激光器 研究所 产品推介 光纤激光器 固态激光器 近红外波段 脉冲功率
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中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路
3
作者 蔚翠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期624-624,共1页
日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路（成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016）。该电路... 日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路（成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016）。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。此项工作对加速推动石墨烯在射频领域的应用具有里程碑式的意义。 展开更多
关键词 石墨烯 低噪声放大器 单片集成电路 噪声系数 ELECTRON 电路工作 电路设计 国际领先地位
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中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路
4
作者 蔚翠 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2016年第11期835-835,共1页
日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路（成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016）。该电路... 日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路（成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016）。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。 展开更多
关键词 中国电子科技集团公司 单片集成电路 低噪声放大器 石墨 关键工艺 电路设计 IEEE KU波段
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6英寸低缺陷掺硫磷化铟晶体制备与性质研究
5
作者 李晓岚 高渊 +4 位作者 闫小兵 徐成彦 史艳磊 王书杰 孙聂枫 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期684-690,共7页
低缺陷掺硫磷化铟晶片是光电器件的主要衬底材料,制备6英寸(1英寸=2.54 cm)大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。通过分析6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶生长过程的杂质效应机理、热应力和热场温度分布,并对掺硫磷化铟晶体头、中、尾... 低缺陷掺硫磷化铟晶片是光电器件的主要衬底材料,制备6英寸(1英寸=2.54 cm)大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。通过分析6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶生长过程的杂质效应机理、热应力和热场温度分布,并对掺硫磷化铟晶体头、中、尾切片进行电学性能、位错密度及应力测试,得到载流子浓度与掺杂量、迁移率及位错(腐蚀坑)密度之间的关系,以及掺硫磷化铟晶体易开裂的原因。优化了适合生长6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶的半封闭可调热场系统,通过增加热屏罩,提高了炉体上部空间的气氛温度,降低了晶体内部的温度梯度,从而有效降低了晶体内的残余应力。确定了InP中In2S3的掺杂质量分数最大限度(≤300×10^(-6)),得到了低位错密度(<3000 cm^(-2))的磷化铟晶体,并有效地降低了晶体开裂的概率,实现了6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶的重复生长。 展开更多
关键词 掺硫磷化铟 晶体生长 杂质效应 位错(腐蚀坑)密度 晶体开裂
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射频微系统中混频杂散的研究和计算
6
作者 李成凯 王磊 +4 位作者 张鹏飞 要志宏 王朋 姜文 龚书喜 《现代雷达》 北大核心 2025年第6期69-74,共6页
随着半导体元器件的快速发展,传统民航雷达、气象雷达、卫星导航、车载电台等多个独立子系统演变成了多种功能协同工作的一体化微系统,前端的射频模块设计从传统混合集成技术、多芯片通道化技术向射频系统级封装(RF-SIP)多芯片模块化技... 随着半导体元器件的快速发展,传统民航雷达、气象雷达、卫星导航、车载电台等多个独立子系统演变成了多种功能协同工作的一体化微系统,前端的射频模块设计从传统混合集成技术、多芯片通道化技术向射频系统级封装(RF-SIP)多芯片模块化技术发展,因此系统的体积可以缩小到原先的一半。采用三维堆叠技术的RF-SIP内部可以集成一次、两次甚至多次变频,在其狭小的空间内部,混频杂散的抑制是一个难题。为了更好地避免杂散信号的产生,文中借鉴了诸多前人的研究,并结合实际工作中的测试经验,研究了一种新型混频杂散的计算方法。该方法解决了传统计算工具中计算混频杂散的完备问题,并采用C#编写成小工具,集成在微波辅助测试软件Locverk PBS内部。从事射频组件设计、测试的工程师或者方案规划人员,可在项目初期辅助分析和设计混频方案,以降低项目的设计和研发周期。 展开更多
关键词 混频杂散 交调信号 虚假信号 混频方案 杂散计算
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微波组件壳体导电化学氧化膜层耐温性研究
7
作者 王成 赵永志 +1 位作者 蒋赞勤 张帅 《电镀与精饰》 北大核心 2025年第11期113-121,127,共10页
导电化学氧化技术是微波组件壳体表面处理方式中的最常用手段,导电化学氧化膜层的耐高温边界直接影响到微波组件的接地性能、壳体的耐腐蚀性能以及采用自动化回流焊工艺的可行性。在微波组件封装材料表面分别制备了铬酸盐、磷酸型铬酸... 导电化学氧化技术是微波组件壳体表面处理方式中的最常用手段,导电化学氧化膜层的耐高温边界直接影响到微波组件的接地性能、壳体的耐腐蚀性能以及采用自动化回流焊工艺的可行性。在微波组件封装材料表面分别制备了铬酸盐、磷酸型铬酸盐两种化学转化膜层,并对试样按三个温度水平进行加热,加热时间不同。加热温度和时间分别为120℃&30 min、200℃&60 min和250℃&10 min,用常温不加热的试件作为对照,对比分析高温加热对膜层的外观、导电性及耐蚀性的影响。结果表明:铬酸盐氧化膜层耐蚀性要优于磷酸型铬酸盐氧化膜层,经历200℃以上会使两种膜层耐蚀性下降;以铝合金4047、5A06、6061和6063为基材的铬酸盐、磷酸型铬酸盐两种化学转化膜层在250℃加热10 min后,膜层的导电性、耐蚀性仍能满足国标环境试验中严苛的交变湿热及盐雾试验要求;磷酸型铬酸盐氧化膜层的接触电阻及外观在经历高温前后无明显变化。铬酸盐氧化膜层的接触电阻经历高温后显著降低,外观颜色经历高温后变暗淡。 展开更多
关键词 铝合金 腐蚀 微波组件 氧化膜层
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电子组件温度循环试验研究 被引量：14
8
作者 曹耀龙 黄杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期487-491,共5页
为了使温度循环试验在有效提高电子组件的可靠性方面得以广泛应用,基于温度循环试验的机理,对电子组件温度循环试验的关键参数(温度范围、循环次数、保持时间、温变速率、风速)进行了探讨,给出了这些参数的工程经验选取值。在此基础上,... 为了使温度循环试验在有效提高电子组件的可靠性方面得以广泛应用,基于温度循环试验的机理,对电子组件温度循环试验的关键参数(温度范围、循环次数、保持时间、温变速率、风速)进行了探讨,给出了这些参数的工程经验选取值。在此基础上,借助热分析软件分析了温变速率、保持时间和风速三个参数对试验过程的影响并定性分析了三个参数间的关系。最后,提出了进行温度循环试验时应注意的问题,强调科学、正确地执行温度循环试验的重要性。 展开更多
关键词 电子组件 温度循环 温变速率 保持时间 风速
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金刚石电子材料生长的研究进展 被引量：1
9
作者 袁明文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期641-650,680,共11页
简述了金刚石兼具物理的和化学的优良性质,尤其是金刚石的半导体电气性质,即宽带隙、高击穿电场、高载流子迁移率和高热导率,成为固态功率器件最有前途的半导体材料之一。介绍了金刚石基的电子器件及其材料生长的研究进展,分析了金刚石... 简述了金刚石兼具物理的和化学的优良性质,尤其是金刚石的半导体电气性质,即宽带隙、高击穿电场、高载流子迁移率和高热导率,成为固态功率器件最有前途的半导体材料之一。介绍了金刚石基的电子器件及其材料生长的研究进展,分析了金刚石膜的导电机理以及材料生长的新技术。重点介绍了采用包括微波等离子体化学汽相淀积（MPCVD）等方法制备金刚石膜、本征单晶生长、硼掺杂等技术。目前在直径为100~200 mm的硅衬底上,可以淀积均匀的超纳米结晶金刚石（UNCD）膜。此外,对金刚石电子学和光电子学的未来进行了展望。 展开更多
关键词 材料生长 金刚石膜 化学汽相沉积（CVD） 超纳米结晶金刚石（UNCD） 宽带隙 表征
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掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
10
作者 王平 杨燕 +3 位作者 杨银堂 屈汉章 崔占东 付俊兴 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1512-1515,共4页
在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随... 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强.掺杂浓度较高时,随着温度的增加,中性杂质散射的影响逐步减弱.4H-SiC电子迁移率较高且各向异性较小,温度为296K时得到的横向电子饱和漂移速度为2.18×107cm/s;阶跃电场强度为1000KV/cm时,横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.模拟结果同已有的测试结果较为一致. 展开更多
关键词 4H-SIC 蒙特卡罗研究 中性杂质散射 饱和漂移速度
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SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究 被引量：2
11
作者 王永维 黄柯月 +4 位作者 王芳 温恒娟 陈浪涛 周锌 赵永瑞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页
绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化... 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。 展开更多
关键词 辐射电荷 总电离剂量(TID)辐射效应 绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压 导通电流
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中国电科13所成功研制出1200 V/20 A SiC MOSFET芯片
12
作者 王永维 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期60-60,共1页
中国电子科技集团公司第十三研究所基于自主开发的工艺,成功研制出1 200 V/20 A SiC MOSFET芯片。芯片采用平面沟道结构,在栅极电压20 V、漏极电压2.0 V时,漏源导通电流达20 A,阈值电压达1.6 V,1 200 V下器件的泄漏电流小于10μA,沟道... 中国电子科技集团公司第十三研究所基于自主开发的工艺,成功研制出1 200 V/20 A SiC MOSFET芯片。芯片采用平面沟道结构,在栅极电压20 V、漏极电压2.0 V时,漏源导通电流达20 A,阈值电压达1.6 V,1 200 V下器件的泄漏电流小于10μA,沟道反型层载流子迁移率达17.0 cm2·V^（-1）·s^（-1）,n型欧姆接触电阻率小于5×10^（-5）Ω·cm^2,芯片面积为4.5 mm×4.5 mm。 展开更多
关键词 中国电子科技集团公司 MOSFET 芯片面积 SIC 载流子迁移率 栅极电压 接触电阻率 导通电流
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THz波段便携冷噪声标准源研究
13
作者 栾鹏 刘晨 +3 位作者 杜静 王一帮 霍晔 吴爱华 《计量学报》 CSCD 北大核心 2024年第11期1733-1737,共5页
介绍了中国电科第十三研究所新研究的170~260 GHz便携式冷噪声标准源的工作原理、结构特点、性能验证和不确定度评定。该装置采用浸于液氮制冷的矩形波导体内的匹配尖劈负载,将噪声功率通过波导传输线直接传输到室温输出波导端口的方案... 介绍了中国电科第十三研究所新研究的170~260 GHz便携式冷噪声标准源的工作原理、结构特点、性能验证和不确定度评定。该装置采用浸于液氮制冷的矩形波导体内的匹配尖劈负载,将噪声功率通过波导传输线直接传输到室温输出波导端口的方案。通过尖劈负载的仿真设计及可靠安装实现噪声源的低反射输出,采用抽真空方案实现噪声源的便携化,基于精确控温实现噪声源的准确定标。通过分析和试验表明:该标准源的输出驻波比小于1.2,输出噪声温度小于140 K,输出噪声温度不确定度小于7 K(k=2)。 展开更多
关键词 无线电计量 冷噪声标准源 噪声温度 太赫兹技术 尖劈负载 不确定度
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Ga-N熔体热力学性质及钠助熔剂法制备GaN单晶的研究进展
14
作者 刘甜甜 怀俊彦 +4 位作者 王书杰 顾占彪 张文雅 史艳磊 邵会民 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期597-608,共12页
作为第三代半导体的关键材料之一,Ⅲ族氮化物在过去几十年中因其应用于光电子和微电子器件而得到了广泛的研究,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。Na助熔剂法已成为生长高质量GaN晶体的重要技术之一。综述... 作为第三代半导体的关键材料之一,Ⅲ族氮化物在过去几十年中因其应用于光电子和微电子器件而得到了广泛的研究,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。Na助熔剂法已成为生长高质量GaN晶体的重要技术之一。综述和讨论了Na助熔剂法GaN结晶的发展历程与最新技术,包括Ga-N的结晶热力学性质、熔体结构、助熔剂选择、单点籽晶技术、多点籽晶技术、孔隙与位错控制、形貌演化与生长条件优化等。最后,对比其他体GaN技术,展望了Na助熔剂法的挑战与机遇。 展开更多
关键词 氮化镓 体单晶 位错 晶体生长 钠助熔剂法
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SiC电力电子器件研究现状及新进展 被引量：28
15
作者 刘佳佳 刘英坤 谭永亮 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第10期744-753,共10页
由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,成为电力电子器件一个新的发展方向。综述了SiC材料、SiC电力电子器件、SiC模块及关键工艺的研究现状,重... 由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,成为电力电子器件一个新的发展方向。综述了SiC材料、SiC电力电子器件、SiC模块及关键工艺的研究现状,重点从材料、器件结构、制备工艺等方面阐述了SiC二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、结晶型场效应晶体管(JFET)、双极结型晶体管(BJT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)及模块的研究进展。概述了SiC材料、SiC电力电子器件及模块的商品化情况,最后对SiC材料及器件的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 SIC 电力电子器件 宽禁带半导体器件 SIC IGBT 欧姆接触 SIC MOSFET
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“十二五”期间中国半导体产业发展规划研究 被引量：3
16
作者 陈欣华 刘利 刘英坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期401-409,共9页
半导体产业是信息技术革命的基础,半导体产业发展规划引领半导体产业发展,在国家科技战略中具有举足轻重的作用。在借鉴发达国家半导体产业规划促进经济发展成功经验的基础上,利用内容分析软件着重研究中国"十二五"期间半导... 半导体产业是信息技术革命的基础,半导体产业发展规划引领半导体产业发展,在国家科技战略中具有举足轻重的作用。在借鉴发达国家半导体产业规划促进经济发展成功经验的基础上,利用内容分析软件着重研究中国"十二五"期间半导体产业发展规划中的关键节点,并与中国科技发展战略中的关键节点进行类比,提出半导体产业在创新、投入以及产业协同等方面的规划建议,为中国半导体产业保持持续、健康和高速发展提供参考。 展开更多
关键词 半导体产业规划 半导体产业 经济发展 “十二五”规划 科技战略
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半导体器件内部缺陷标注与检测方法研究 被引量：3
17
作者 白宇 王珺 +1 位作者 冉红雷 安胜彪 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第12期245-253,共9页
半导体器件封装过程中出现的内部空洞缺陷会直接影响电子设备的性能。针对半导体器件X射线内部图像空洞缺陷中尺度不一、难标注、难定位及噪声干扰等问题,提出半自动标注方法和基于U-Net的器件内部空洞缺陷检测方法。半自动标注方法使... 半导体器件封装过程中出现的内部空洞缺陷会直接影响电子设备的性能。针对半导体器件X射线内部图像空洞缺陷中尺度不一、难标注、难定位及噪声干扰等问题,提出半自动标注方法和基于U-Net的器件内部空洞缺陷检测方法。半自动标注方法使用阈值分割初步定位缺陷区域,生成缺陷的外接矩形框,然后人工对矩形框进行精细化修改和完善,作为提示输入到分段任意模型(SAM)中,得到高精度的分割结果。半自动标注方法能够节省标注时间且提高标签质量,克服标注难题。针对经典U-Net方法泛化性较差的问题,提出一种改进的U-Net方法(EFU-Net)。首先在编码器中引入边缘位置增强(EPE)模块,通过结合Sobel滤波器和坐标注意力机制加强对图像边缘信息的感知,有效整合位置信息,以提高特征提取的准确性;然后引入特征融合控制(FFC)模块替代传统的跳跃连接,融合高层特征、低层特征和预测掩码3个特征,并利用多层并行空洞卷积和注意力门控机制实现更有针对性和高质量的特征融合。在半导体器件数据集上的实验结果表明,EFU-Net的Dice系数和MIoU分别达到70.71%、77.23%,与U-Net方法相比,分别提升了14和7.71个百分点,具有更好的分割性能。 展开更多
关键词 缺陷检测 语义分割 半自动标注 边缘位置增强 注意力机制 特征融合控制
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薄界面异质异构晶圆键合技术研究现状及趋势 被引量：1
18
作者 王成君 杨晓东 +6 位作者 张辉 周幸叶 戴家赟 李早阳 段晋胜 乔丽 王广来 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第24期36-49,共14页
半导体产业对国防安全和国民经济发展意义重大,高端半导体装备也是国外对华技术封锁的重点领域。雷达探测、5G通信等领域所用的导体器件对大功率、高频率、高响应等性能要求越来越高,目前该类器件面临界面热阻高、传输损耗大和集成度低... 半导体产业对国防安全和国民经济发展意义重大,高端半导体装备也是国外对华技术封锁的重点领域。雷达探测、5G通信等领域所用的导体器件对大功率、高频率、高响应等性能要求越来越高,目前该类器件面临界面热阻高、传输损耗大和集成度低等技术瓶颈。开展超薄界面异质异构晶圆键合装备研发,大幅度降低键合界面热阻、提高互连密度和键合精度,是解决当前技术瓶颈、提高器件性能的重要途径。但由于核心零部件被国外垄断、设备整机技术攻关难度大,目前尚无成熟的国产异质异构晶圆键合装备,这就严重制约了我国新一代半导体器件的自主创新发展。本文梳理了超薄界面异质异构晶圆键合技术及典型工艺研究现状,并展望了超薄界面异质异构晶圆键合技术发展趋势。 展开更多
关键词 晶圆键合 超薄界面 异质异构 直接键合 金刚石基氮化镓微波功率器件
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平行缝焊微电子器件的光学检漏 被引量：1
19
作者 张泽丰 徐达 +2 位作者 谭亮 魏少伟 马紫成 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第3期285-291,共7页
光学检漏为非接触式封装漏率测量方法,且单次测试可同时完成粗检及细检,是一种快速的封装检漏技术。对光学检漏与氦质谱检漏的漏率计算公式进行了详细分析和对比。设计了多组实验探究如工装翘曲度、封装内空腔体积等因素对光学检漏检测... 光学检漏为非接触式封装漏率测量方法,且单次测试可同时完成粗检及细检,是一种快速的封装检漏技术。对光学检漏与氦质谱检漏的漏率计算公式进行了详细分析和对比。设计了多组实验探究如工装翘曲度、封装内空腔体积等因素对光学检漏检测结果的影响,分析了光学检漏的“充压”问题并给出解决方案,对比了光学检漏与氦质谱检漏的检测漏率。分析了光学检漏技术的优缺点,并通过实验验证了光学检漏的可行性及可靠性,为微电子器件的光学检漏应用提供参考。 展开更多
关键词 微电子器件 光学检漏 平行缝焊 密封 氦质谱检漏
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高掺杂低位错p型GaN材料生长研究
20
作者 高楠 房玉龙 +4 位作者 王波 韩颖 张志荣 尹甲运 刘超 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期702-707,共6页
对采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在SiC衬底上生长的p型GaN材料进行了研究。p型GaN材料通常采用Mg掺杂来实现,但Mg有效掺杂量的增加会导致材料的空穴浓度提高,表面粗糙度变大、位错密度增加。采用Delta掺杂方式,在Cp_(2)Mg通入量一... 对采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在SiC衬底上生长的p型GaN材料进行了研究。p型GaN材料通常采用Mg掺杂来实现,但Mg有效掺杂量的增加会导致材料的空穴浓度提高,表面粗糙度变大、位错密度增加。采用Delta掺杂方式,在Cp_(2)Mg通入量一定的情况下,通过对温度、压力以及Delta掺杂过程中TMGa通入时间的调控实现了对p型GaN材料掺杂浓度与表面粗糙度和位错密度之间的平衡优化。结果显示,生长温度1150℃、生长压力400 mbar(1 mbar=100 Pa)、TMGa通入时间40 s的样品均方根表面粗糙度为0.643 nm,(002)晶面半高宽(FWHM)为176.8 arcsec,空穴迁移率为11.8 cm^(2)/(V·s),空穴浓度为1.02×10^(18)cm^(-3),实现了电学性能与晶体质量的平衡。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积(MOCVD) Delta掺杂 P型GAN 空穴浓度 半高宽(FWHM)
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