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新一代“AI+”立体边海防——中国电子科技集团公司第十一研究所边海防案例介绍
1
作者 黄来玉 鹿玮 +1 位作者 何少杰 卞紫阳 《数字通信世界》 2018年第7期58-60,71,共4页
我国边境地形复杂,有海洋、河流、高山、平原等多种复杂多样的地理环境,错综复杂的历史人文环境,加之近年来反恐处突、边境封控形式日益严峻,对我国的边境管控提出了更高的要求,迫切需要新技术手段的应用解决现有问题,实现边防综合管控... 我国边境地形复杂,有海洋、河流、高山、平原等多种复杂多样的地理环境,错综复杂的历史人文环境,加之近年来反恐处突、边境封控形式日益严峻,对我国的边境管控提出了更高的要求,迫切需要新技术手段的应用解决现有问题,实现边防综合管控。中国电科十一所严格遵照国家边海防建设相关技术要求,开展了边境实际需求的调研工作,并结合多年边海防建设经验和最新科技成果,提出基于云平台、人工智能、跨模态感知的边海防立体监视管控系统解决方案,方案能够适应复杂地形环境和新的反恐形式下的特点,能够有效提升我国沿海、沿边地区的边境综合防护能力。 展开更多
关键词 中国电子科技集团公司 海防建设 立体 研究所 案例 管控系统 地形环境 地理环境
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中国电科11所碲镉汞薄膜材料制备技术进展 被引量：3
2
作者 折伟林 邢晓帅 +7 位作者 邢伟荣 刘江高 郝斐 杨海燕 王丹 侯晓敏 李振兴 王成刚 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期483-494,共12页
碲镉汞材料具有响应速度快、量子效率高、带隙连续可调等优点,广泛应用于红外探测领域,本文报道了近年来中国电科11所在碲镉汞薄膜材料制备方面的技术进展。在碲锌镉衬底材料制备方面,已突破Φ135mm碲锌镉晶体生长技术,碲锌镉衬底平均... 碲镉汞材料具有响应速度快、量子效率高、带隙连续可调等优点,广泛应用于红外探测领域,本文报道了近年来中国电科11所在碲镉汞薄膜材料制备方面的技术进展。在碲锌镉衬底材料制备方面,已突破Φ135mm碲锌镉晶体生长技术,碲锌镉衬底平均位错腐蚀坑密度(EPD)<1×10^(4)cm^(-2),具备了80mm×80mm规格碲锌镉衬底的批量生产能力。在液相外延碲镉汞薄膜制备方面,富碲水平液相外延碲镉汞薄膜平均位错腐蚀坑密度EPD<4×10^(4)cm^(-2),具备80mm×80mm规格碲镉汞薄膜的制备能力;富汞垂直液相外延实现高质量双层异质结碲镉汞薄膜材料批量化制备,该种材料的半峰宽(FWHM)控制在(20~40)arcsec范围内,碲镉汞薄膜厚度极差≤±06μm。在分子束外延碲镉汞薄膜方面,实现了6 in硅基碲镉汞材料制备,组分标准偏差≤00015,表面宏观缺陷密度≤100cm^(-2);碲锌镉基碲镉汞材料已具备50mm×50mm制备能力,组分标准偏差为0002,厚度标准偏差为0047μm。从探测器验证结果来看,基于富碲水平液相外延碲镉汞薄膜实现了1 k×1 k、2 k×2 k等规格红外焦平面探测器的工程化制备;采用双层异质结碲镉汞薄膜实现了高温工作、长波及甚长波探测器的制备;使用分子束外延制备的碲镉汞薄膜实现了27 k×27 k、54 k×54 k、8 k×8 k等规格红外焦平面探测器研制,在宇航领域有巨大的应用潜力。 展开更多
关键词 碲锌镉 碲镉汞 双层异质结 红外探测 液相外延 分子束外延
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锑化铟晶体空位缺陷的正电子湮灭研究
3
作者 赵超 董涛 +3 位作者 折伟林 彭志强 贺利军 张孟川 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期72-77,共6页
锑化铟晶体材料的电学性能是影响最终制备的红外探测器件性能的关键因素。材料内部的杂质以及点缺陷特别是空位缺陷会极大的影响材料的电学性能,有时甚至会导致材料反型。本文利用正电子湮灭谱对锑化铟晶体材料的空位缺陷类型进行了研究... 锑化铟晶体材料的电学性能是影响最终制备的红外探测器件性能的关键因素。材料内部的杂质以及点缺陷特别是空位缺陷会极大的影响材料的电学性能,有时甚至会导致材料反型。本文利用正电子湮灭谱对锑化铟晶体材料的空位缺陷类型进行了研究,同时还对不同晶体生长拉速、导电类型晶体材料的正电子湮灭寿命进行分析。结果表明其内部主要为V In型空位缺陷,且在一定拉速范围内,正电子湮灭寿命基本无变化,此外空位缺陷也不是导致N型锑化铟晶体材料导电类型反型的主要原因。 展开更多
关键词 锑化铟 红外探测器 正电子湮灭谱 空位缺陷 晶体生长拉速 导电类型
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一种高功率窄线宽偏振光纤激光器研究
4
作者 张雪霞 张长昆 +6 位作者 张利明 熊文豪 李尧 高平 赵鸿 解子俨 邓宇 《激光与红外》 北大核心 2025年第4期501-504,共4页
高功率窄线宽光纤激光器因其低噪声、可靠性好、电光转换效率高、相干性好和高光束质量等优异的性能,在精密测量、激光雷达、光谱分析及非线性光学应用等领域展现出巨大的潜力。本文选用种子、多级预放和主放的方式对窄线宽偏振光纤激... 高功率窄线宽光纤激光器因其低噪声、可靠性好、电光转换效率高、相干性好和高光束质量等优异的性能,在精密测量、激光雷达、光谱分析及非线性光学应用等领域展现出巨大的潜力。本文选用种子、多级预放和主放的方式对窄线宽偏振光纤激光器进行了研究。实验中,1056nm波段的窄线宽种子光经过多级预放后,功率输出20W,然后注入到双向泵浦的主放大系统中。激光器的包层光剥离器直接在光纤熔点处制作,这样既可以减少光路熔点,又可以简化激光器结构。通过优化主放大系统前后泵浦光比例,当泵浦电流为11.2A时,激光器的输出功率为2.505kW,激光器的光-光转化效率为83%。后期继续增加泵浦功率,可以获得更高功率输出。 展开更多
关键词 激光器 光纤激光器 窄线宽 高功率
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碲镉汞长波红外探测器成像暗环研究
5
作者 李娟 高璐 +2 位作者 陈彦冠 付志凯 张磊 《激光与红外》 北大核心 2025年第4期575-578,共4页
红外整机成像时需要对红外探测器的输出进行非均匀校正,来获得相对均匀可观的图像。在一款碲镉汞长波红外探测器整机成像实验时,图像出现了“暗环”现象,通过分析确认了“暗环”现象的机理,并通过优化改进,消除了成像“暗环”,为其他长... 红外整机成像时需要对红外探测器的输出进行非均匀校正,来获得相对均匀可观的图像。在一款碲镉汞长波红外探测器整机成像实验时,图像出现了“暗环”现象,通过分析确认了“暗环”现象的机理,并通过优化改进,消除了成像“暗环”,为其他长波红外探测器成像应用提供了借鉴。 展开更多
关键词 长波探测器 碲镉汞 暗环
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基于高低温循环退火方法的硅基碲镉汞位错抑制研究
6
作者 姜梦佳 折伟林 +5 位作者 王丹 李震 周睿 管崇尚 邢伟荣 牛佳佳 《红外》 2025年第1期28-34,共7页
高低温循环退火是降低碲镉汞(HgCdTe)材料位错密度的有效策略之一,被广泛用于提升HgCdTe质量。使用离位的高低温循环退火工艺对硅基HgCdTe材料进行热处理,并通过设计正交试验研究退火条件对HgCdTe材料的影响。在温度区间250~450℃、升... 高低温循环退火是降低碲镉汞(HgCdTe)材料位错密度的有效策略之一,被广泛用于提升HgCdTe质量。使用离位的高低温循环退火工艺对硅基HgCdTe材料进行热处理,并通过设计正交试验研究退火条件对HgCdTe材料的影响。在温度区间250~450℃、升温时间5 min、循环12次的条件下获得最佳退火效果。采用统计位错密度的方法对比退火前后HgCdTe材料的位错变化。与未退火的HgCdTe相比,退火后的HgCdTe位错密度降低了80%左右,为1×10^(6)~2×10^(6)cm^(-2)。X射线摇摆曲线测试结果表明,退火后硅基HgCdTe的半峰宽可降至75~80 arcsec。本研究综合提升了硅基HgCdTe的质量,为焦平面器件的研发提供了高质量的材料基础。 展开更多
关键词 硅基碲镉汞 高低温循环退火 位错密度 半峰宽
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锑化铟单晶材料研究进展 被引量：4
7
作者 折伟林 赵超 +1 位作者 董涛 王成刚 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期235-241,共7页
锑化铟(InSb)材料因其特殊性质,是一种重要的中波红外探测、霍尔元件材料。本文总结了InSb材料的需求现状以及国内外主流InSb材料厂商的研究进展,重点介绍了中国电子科技集团公司第十一研究所在InSb材料方面的最新研究进展。最后,本文... 锑化铟(InSb)材料因其特殊性质,是一种重要的中波红外探测、霍尔元件材料。本文总结了InSb材料的需求现状以及国内外主流InSb材料厂商的研究进展,重点介绍了中国电子科技集团公司第十一研究所在InSb材料方面的最新研究进展。最后,本文提出了InSb材料未来发展趋势。 展开更多
关键词 锑化铟 红外探测 研究进展 发展趋势
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高工作温度碲镉汞红外探测器杜瓦结构研究 被引量：1
8
作者 张利明 李艳红 +4 位作者 冯志攀 宋淑芳 付志凯 王冠 张磊 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1081-1085,共5页
随着第三代红外探测器技术的快速发展,高工作温度红外探测器成为重要的发展方向。本文报道了在高工作温度碲镉汞红外探测器杜瓦结构小型化、低功耗、高可靠性方面的研究进展。通过杜瓦结构的优化设计,搭配旋转整体式低温制冷机K562S sho... 随着第三代红外探测器技术的快速发展,高工作温度红外探测器成为重要的发展方向。本文报道了在高工作温度碲镉汞红外探测器杜瓦结构小型化、低功耗、高可靠性方面的研究进展。通过杜瓦结构的优化设计,搭配旋转整体式低温制冷机K562S short,制备出组件体积为80 mm×61 mm×39 mm,重量为212 g,启动时间为2.5 min,工作温度达到150 K的高工作温度中波碲镉汞红外探测器,并初步完成了组件可靠性试验验证,为高工作温度碲镉汞红外探测器的工程化应用奠定了一定的基础,对高工作温度碲镉汞红外探测器的小型化、低功耗、高可靠性研究具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 高工作温度 碲镉汞 红外探测器 小型化 低功耗 可靠性
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pπBn型Ⅱ类超晶格暗电流特性研究 被引量：1
9
作者 闫勇 王晓华 +1 位作者 周朋 刘铭 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期750-757,共8页
InAs/GaSbⅡ类超晶格(T2SL)红外探测器由于具有宽光谱探测能力、较好的材料均匀性、可以抑制载流子俄歇复合率和灵活的能带设计等优点,在长波红外探测领域具有很大的优势。但由于暗电流较大,其性能并未达到理论预测。pπBn结构是在超晶... InAs/GaSbⅡ类超晶格(T2SL)红外探测器由于具有宽光谱探测能力、较好的材料均匀性、可以抑制载流子俄歇复合率和灵活的能带设计等优点,在长波红外探测领域具有很大的优势。但由于暗电流较大,其性能并未达到理论预测。pπBn结构是在超晶格材料的吸收层和接触层之间增加单极势垒,以抑制G-R暗电流和隧穿暗电流。本文分别从理论上研究了吸收层、势垒层和接触层的超晶格能带结构。模拟了pπBn结构的InAs/GaSb T2SL,研究了其吸收层掺杂浓度、势垒层掺杂浓度和势垒厚度对器件暗电流的影响。通过优化吸收层掺杂浓度、势垒层厚度和掺杂浓度,得到暗电流密度为8.35×10^(-7)A/cm^(-2)的pπBn结构InAs/GaSb T2SL,与优化前的结构相比,暗电流降低了一个数量级。研究过程不仅为pπBn结构的InAs/GaSb T2SL器件的低暗电流设计提供了指导,而且为优化超晶格器件的暗电流提供了一种系统的方法。 展开更多
关键词 INAS/GASB 能带结构 暗电流密度
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自由曲面镜补偿大功率激光波前畸变技术研究
10
作者 王钢 唐晓军 +5 位作者 王文涛 王超 刘磊 赵鸿 吕坤鹏 李佳蔚 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1352-1357,共6页
对于一台性能稳定的激光器,在出光阶段整个系统处于热交换的稳定状态,即激光波前分布可以保持稳定不变。基于此特点,提出制造自由曲面镜,以校正激光器的波前畸变,提高光束质量。本文首先介绍了自由曲面镜的波前补偿原理、设计及加工过程... 对于一台性能稳定的激光器,在出光阶段整个系统处于热交换的稳定状态,即激光波前分布可以保持稳定不变。基于此特点,提出制造自由曲面镜,以校正激光器的波前畸变,提高光束质量。本文首先介绍了自由曲面镜的波前补偿原理、设计及加工过程,然后通过数学建模,从理论上对其波前补偿能力进行了仿真计算,最后在板条固体激光器中进行了波前补偿实验:在激光器输出功率为12.5 kW时,自由曲面镜对激光光束相位及远场光束质量都有明显的改善和提高。自由曲面镜不像变形镜那样受到致动器间距的限制,因此对于高阶像差的校正也更为有效,且成本低廉,再者也不会增加系统的复杂度,与自适应光学系统相比各有所长。 展开更多
关键词 自由曲面镜 波前校正 万瓦板条 固体激光器 光束质量
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中红外激光技术研究进展
11
作者 张熙宁 唐晓军 +3 位作者 陈国 刘昆 张昆 赵鸿 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期1659-1666,共8页
报告介绍了3~5μm中红外激光的主要应用领域,概述了该波段中红外激光器国内外研究的最新进展。并对中红外激光器的主要技术路线进行了详细的对比分析,总结其关键技术;结合应用场景,指出不同方案工程应用的难点和特点。最后,对中红外激... 报告介绍了3~5μm中红外激光的主要应用领域,概述了该波段中红外激光器国内外研究的最新进展。并对中红外激光器的主要技术路线进行了详细的对比分析,总结其关键技术;结合应用场景,指出不同方案工程应用的难点和特点。最后,对中红外激光技术未来的发展进行了展望。 展开更多
关键词 中红外激光 直接激射 非线性频率变换 超短脉冲 定向对抗
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光电转台RCS仿真研究
12
作者 郭广宇 齐放 +1 位作者 杜瑞娟 周建华 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1440-1448,共9页
通过软件仿真计算光电转台的雷达散射截面积(radar cross section,RCS)。基于散射的高频局部性原理完成目标的RCS预估,在S、C、X波段,0~3°入射余角条件下对光电转台的RCS进行仿真。将复杂的光电转台分解,研究各部分RCS特性并对光... 通过软件仿真计算光电转台的雷达散射截面积(radar cross section,RCS)。基于散射的高频局部性原理完成目标的RCS预估,在S、C、X波段,0~3°入射余角条件下对光电转台的RCS进行仿真。将复杂的光电转台分解,研究各部分RCS特性并对光电转台开展隐身设计。对完成隐身设计后的转台进行仿真分析,隐身设计后均值大于0.5 m^(2)的RCS占比约为18.18%,光电转台隐身特性提升明显。 展开更多
关键词 雷达散射截面积 光电转台 仿真计算 隐身设计
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分子束外延碲镉汞探测器的变结面积Ⅰ-Ⅴ测试研究
13
作者 赵成城 王丹 +1 位作者 何斌 戴永喜 《红外》 CAS 2024年第3期1-6,共6页
碲镉汞红外探测器的表面钝化处理对器件暗电流有较大影响,决定了器件的探测性能。为了研究表面钝化层不同生长方式对暗电流的抑制效果,使用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)系统在Si基衬底上生长碲镉汞材料,分别通过磁控溅射和... 碲镉汞红外探测器的表面钝化处理对器件暗电流有较大影响,决定了器件的探测性能。为了研究表面钝化层不同生长方式对暗电流的抑制效果,使用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)系统在Si基衬底上生长碲镉汞材料,分别通过磁控溅射和原位钝化方法生长CdTe/ZnS钝化膜层。采用半导体工艺在碲镉汞材料上制备了变面积光伏探测器。通过测试不同钝化膜层器件的暗电流,分析零偏电阻和面积乘积(R0A)与周长面积之比(p/A)的关系。结果表明,磁控溅射生长钝化层的Si基碲镉汞器件存在较大的隧穿电流,而原位钝化生长钝化层的Si基碲镉汞器件能更有效地抑制表面漏电流。拟合器件R0A因子随PN结面积的变化,得出原位生长钝化层的器件具有更好的钝化效果。变面积器件的制备和测试能够有效且直观地反映器件性能。 展开更多
关键词 碲镉汞 原位钝化 变结面积 暗电流测试
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一种高速全差分输出线列型读出电路设计方法
14
作者 王静 孟令伟 +2 位作者 刘伟 李冬冰 李敬国 《激光与红外》 北大核心 2025年第2期239-242,共4页
红外探测器发展进入第三代后,以大面阵、长线列应用为典型代表,其中长线列通常使用拼接结构实现。对于参与拼接的单片电路规模也在不断的扩展、行频不断的提升。阵列规格的增加带来信号传输链路延长,行频提升对读出速率提出新的要求,这... 红外探测器发展进入第三代后,以大面阵、长线列应用为典型代表,其中长线列通常使用拼接结构实现。对于参与拼接的单片电路规模也在不断的扩展、行频不断的提升。阵列规格的增加带来信号传输链路延长,行频提升对读出速率提出新的要求,这些还必须考虑探测器的低温应用,要求读出电路提出更加合理有效的应对措施。本文探索了一种新的输出机制,针对长线列的应用,可以通过全差分输出抑制传输噪声,同时差分模块转换模块独立于探测器主芯片,在不影响芯片整体热耗的前提下,显著的提升读出速率。依赖于这种设计,线列读出速率提升至20 MHz,对于1 k的规模,行频达到19 kHz。 展开更多
关键词 线列读出电路 全差分输出 信号转换 拼接电路
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基于Lighttools和Matlab的内辐射杂光分析方法研究 被引量：6
15
作者 杨加强 李荣刚 +3 位作者 彭晴晴 张兴德 刘琳 孙昌峰 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期888-891,共4页
针对红外系统内辐射杂光对系统成像影响严重的问题,以一个具体红外系统为例,基于Lighttools和Matlab软件,提出一种适用于红外系统的内辐射杂光分析方法。针对分析结果所确定的需要重点消除杂光的表面,提出了相应的杂光消除措施。经验证... 针对红外系统内辐射杂光对系统成像影响严重的问题,以一个具体红外系统为例,基于Lighttools和Matlab软件,提出一种适用于红外系统的内辐射杂光分析方法。针对分析结果所确定的需要重点消除杂光的表面,提出了相应的杂光消除措施。经验证,该方法对于寻找内辐射杂光来源,消除内辐射杂光具有很好的效果和适用性。 展开更多
关键词 红外系统 内辐射杂光分析 蒙特卡罗方法 Lighttools
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高功率Tm光纤泵浦Ho∶YAG激光器
16
作者 马纪羽 王克强 +2 位作者 陈国 罗凌霄 张颖达 《激光与红外》 北大核心 2025年第2期185-190,共6页
2μm激光在生产和科研中发挥着重要作用,常被用作中长波光参量振荡器的泵浦源。单掺Ho^(3+)离子固体激光器是产生高功率2μm激光的主要途径,是2μm激光领域的重要研究方向。本文设计了一种由掺Tm^(3+)离子光纤激光器泵浦的调Q Ho∶YAG... 2μm激光在生产和科研中发挥着重要作用,常被用作中长波光参量振荡器的泵浦源。单掺Ho^(3+)离子固体激光器是产生高功率2μm激光的主要途径,是2μm激光领域的重要研究方向。本文设计了一种由掺Tm^(3+)离子光纤激光器泵浦的调Q Ho∶YAG固体激光器。该激光器可实现2090 nm单波长输出,平均功率最高可达36.1 W,斜效率达到61.4%。该激光器在15 kHz重复频率下,得到了脉宽72 ns,峰值功率33.6 kW的脉冲输出。该激光器采用光纤激光器泵浦和单Ho∶YAG晶体棒设计,结构紧凑,易于集成。 展开更多
关键词 固体激光器 2μm激光器 Ho∶YAG 高功率激光器
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单光子激光探测中大气传输及背景辐射的影响
17
作者 缪瑞晴 王励横 +4 位作者 徐广平 韩隆 许连望 赵宇昊 丁浩宇 《激光与红外》 北大核心 2025年第4期554-561,共8页
单光子激光测距技术由于具有高探测灵敏度而被广泛应用于各种测距场景。为探究单光子探测体制下,大气传输和背景辐射参数对1064nm波段背景噪声的影响,本文使用两种大气辐射传输仿真工具MODTRAN和CART对水平路径下不同探测条件中的大气... 单光子激光测距技术由于具有高探测灵敏度而被广泛应用于各种测距场景。为探究单光子探测体制下,大气传输和背景辐射参数对1064nm波段背景噪声的影响,本文使用两种大气辐射传输仿真工具MODTRAN和CART对水平路径下不同探测条件中的大气透过率和太阳辐射参数进行计算和对比,进一步仿真分析其对背景噪声计数率的影响。研究发现,白天测距时,越接近正午时刻,背景噪声越小,越有利于探测;当探测高度高于3km时可以基本摆脱地表能见度对背景噪声的影响,且探测高度越高,背景噪声越小;且在探测高度高,探测距离近的应用场景中,不可忽略目标背景辐射。本文可以为全天候不同探测条件下的单光子激光机载远程测距系统设计提供背景噪声水平的参考。 展开更多
关键词 单光子激光测距 大气透过率 太阳辐射 背景噪声计数率 MODTRAN CART
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Cr^(4+):YAG被动调Q Nd:YAG陶瓷激光器输出特性研究 被引量：1
18
作者 应建新 张彬 +1 位作者 廖皓杰 徐学珍 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期56-60,共5页
本文对Cr4+:YAG被动调Q Nd:YAG陶瓷激光器的输出特性进行了理论和实验研究。在相同泵浦功率和不同输出耦合透过率条件下,实验测量了被动调Q陶瓷激光器的输出激光重复频率、平均输出功率以及单脉冲能量,并与理论计算结果进行了比较。研... 本文对Cr4+:YAG被动调Q Nd:YAG陶瓷激光器的输出特性进行了理论和实验研究。在相同泵浦功率和不同输出耦合透过率条件下,实验测量了被动调Q陶瓷激光器的输出激光重复频率、平均输出功率以及单脉冲能量,并与理论计算结果进行了比较。研究结果表明,随着输出耦合透过率的增加,输出激光重复频率单调减小,而平均输出功率及单脉冲能量则呈现出先增加后减小的变化趋势,只是平均输出功率及单脉冲能量所对应的最佳输出耦合透过率会有所不同。 展开更多
关键词 Cr4+:YAG被动调Q ND:YAG陶瓷 输出特性 最佳输出耦合透过率
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碲镉汞雪崩光电探测器的发展与展望
19
作者 管崇尚 邢伟荣 +4 位作者 周睿 李震 姜梦佳 王丹 折伟林 《红外》 2025年第1期1-15,共15页
通过对现有的几类主流碲镉汞(HgCdTe)雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD)器件进行梳理,简要总结了目前国际上主流的APD器件发展路线,并分析了包括PIN、高密度垂直集成光电二极管(High-Density Vertically Integrated Photodiode,... 通过对现有的几类主流碲镉汞(HgCdTe)雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD)器件进行梳理,简要总结了目前国际上主流的APD器件发展路线,并分析了包括PIN、高密度垂直集成光电二极管(High-Density Vertically Integrated Photodiode,HDVIP)和吸收--倍增分离(Separated Absorption and Multiplication,SAM)型器件在内的主要APD器件的结构与性能特点。通过对比不同技术路线的器件优化思路和性能特点,对相关器件的持续发展进行了展望。目前SAM型器件是主流APD器件中暗电流抑制和高温工作性能最好的结构,能够实现高增益条件下的高灵敏度探测。这也为相关器件工艺的发展开辟了新方向。 展开更多
关键词 碲镉汞 雪崩 增益 噪声
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CTIA线列型读出电路输出异常问题研究 被引量：1
20
作者 王静 刘兴新 +1 位作者 李冬冰 袁媛 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期914-917,共4页
CTIA电路结构由于其高注入效率和线性度在小信号探测器读出电路设计中广泛应用。然而,采用该结构作为输入级的TDI线列型读出电路,在使用中处理信号足够大时,帧与帧之间输出电平出现高低差异,最大可达2 V。表现在图像则为明暗条纹交替出... CTIA电路结构由于其高注入效率和线性度在小信号探测器读出电路设计中广泛应用。然而,采用该结构作为输入级的TDI线列型读出电路,在使用中处理信号足够大时,帧与帧之间输出电平出现高低差异,最大可达2 V。表现在图像则为明暗条纹交替出现,无法正常探测。积分电容越小,该现象越容易出现。并且,通过改善供电、调节偏置电压和参考电压等措施对该现象均无明显改善。本文针对这一现象,通过深入仿真和理论分析,最终实现问题定位,同时提出解决措施,有效地消除该现象。 展开更多
关键词 CTIA 输出异常 明暗行 过冲电流
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