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电子产品金属桥连接的可靠性研究: 1; 作者刘建更张巧威《电子产品可靠性与环境试验》 2005年第3期26-28,共3页; 分析了3种金属桥材料在规定的环境条件下,所产生的热应变、热应力对可靠性的影响和金属桥失效的机理,并通过试验验证了金属桥连接的可靠性。; 关键词热应力金属桥屈服强度; 在线阅读下载PDF 职称材料

某机载电子设备中片式厚膜电阻器失效机理分析被引量：4: 2; 作者刘玮高东阳 +4 位作者席善斌石中玉张魁黄杰彭浩《电子质量》 2018年第3期23-25,共3页; 对某机载电子设备中片式厚膜电阻器的失效机理进行了研究,结果表明:电阻器的失效与生产制作工艺流程中的微小偏差、长期使用过程中受到的机械及温度应力以及大气中有害气氛的侵蚀均有密切的关系,给出了预防措施及电阻器的选用建议。; 关键词片式厚膜电阻器失效机理预防措施; 在线阅读下载PDF 职称材料

考虑布线-通孔的陶瓷封装基板嵌入式微流道设计: 3; 作者彭博王明阳 +2 位作者淦作腾刘林杰杜平安《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期3899-3906,共8页; 芯片热流密度持续增加对封装散热提出了新的挑战,液冷微流道散热技术是解决封装热控制问题的重要研究方向.针对陶瓷封装高功耗芯片散热需求,本文提出在陶瓷基板上嵌入微流道,以缩短芯片与热沉距离,降低热阻,同时减小热控系统体积,实现... 展开更多; 关键词布线通孔微流道陶瓷封装散热; 在线阅读下载PDF 职称材料

31～38 GHz宽带高效率GaAs中功率放大器芯片: 4; 作者韩芹刘永强 +1 位作者刘会东魏洪涛《太赫兹科学与电子信息学报》北大核心 2019年第1期169-173,共5页; 为实现毫米波放大器芯片的宽带、高增益和高效率,基于GaAs pHEMT工艺实现高增益,采用四级级联拓扑结构拓展带宽,利用电流复用结构降低直流功耗,采用T型电抗匹配技术实现最佳输出功率和效率匹配,成功实现了一款31～38GHz频段的毫米波宽... 展开更多; 关键词功率放大器毫米波砷化镓宽带高效率单片集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电子产品金属桥连接的可靠性研究: 1; 作者刘建更张巧威; 机构中国电子科技集团有限公司第十三研究所河北科技大学网络学院; 出处《电子产品可靠性与环境试验》 2005年第3期26-28,共3页; 文摘分析了3种金属桥材料在规定的环境条件下,所产生的热应变、热应力对可靠性的影响和金属桥失效的机理,并通过试验验证了金属桥连接的可靠性。; 关键词热应力金属桥屈服强度; Keywords thermal stress metal bridge yield strength; 分类号 TN06 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名某机载电子设备中片式厚膜电阻器失效机理分析被引量：4: 2; 作者刘玮高东阳席善斌石中玉张魁黄杰彭浩; 机构中国电子科技集团有限公司第十三研究所; 出处《电子质量》 2018年第3期23-25,共3页; 文摘对某机载电子设备中片式厚膜电阻器的失效机理进行了研究,结果表明:电阻器的失效与生产制作工艺流程中的微小偏差、长期使用过程中受到的机械及温度应力以及大气中有害气氛的侵蚀均有密切的关系,给出了预防措施及电阻器的选用建议。; 关键词片式厚膜电阻器失效机理预防措施; Keywords chip thick film resistor failure mechanism preventive measure; 分类号 TM54 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名考虑布线-通孔的陶瓷封装基板嵌入式微流道设计: 3; 作者彭博王明阳淦作腾刘林杰杜平安; 机构电子科技大学中国电子科技集团有限公司第十三研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期3899-3906,共8页; 基金国家自然科学基金(No.52175218)。; 文摘芯片热流密度持续增加对封装散热提出了新的挑战,液冷微流道散热技术是解决封装热控制问题的重要研究方向.针对陶瓷封装高功耗芯片散热需求,本文提出在陶瓷基板上嵌入微流道,以缩短芯片与热沉距离,降低热阻,同时减小热控系统体积,实现热控、电气互连与结构的集成.嵌入式微流道结构设计的关键是如何考虑基板上的密集布线和通孔,避免布线、通孔和微流道的相互干涉.考虑布线和通孔的微流道结构,提出了微流道-布线-通孔的陶瓷基板一体化工艺方法.测试结果表明,微流道层位置的影响大于结构参数影响,微流道入口主流道汇流层与散热层应设计在同一结构层.设计的微流道陶瓷基板满足功耗100 W的芯片散热要求.; 关键词布线通孔微流道陶瓷封装散热; Keywords wiring through hole microchannels ceramic package heat dissipation; 分类号 TN305.94 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名31～38 GHz宽带高效率GaAs中功率放大器芯片: 4; 作者韩芹刘永强刘会东魏洪涛; 机构中国电子科技集团有限公司第十三研究所; 出处《太赫兹科学与电子信息学报》北大核心 2019年第1期169-173,共5页; 文摘为实现毫米波放大器芯片的宽带、高增益和高效率,基于GaAs pHEMT工艺实现高增益,采用四级级联拓扑结构拓展带宽,利用电流复用结构降低直流功耗,采用T型电抗匹配技术实现最佳输出功率和效率匹配,成功实现了一款31～38GHz频段的毫米波宽带高效率功率放大器芯片。测试结果表明,该功率放大器芯片在31～38GHz宽带范围内,线性增益为26～29dB,饱和输出功率为21.5 dBm,动态电流低于100 mA,饱和效率≥37%,在32～35 GHz内最高效率达45%。; 关键词功率放大器毫米波砷化镓宽带高效率单片集成电路; Keywords power amplifier millimeter wave GaAs broadband high efficiency Monolithic MicrowaveIntegrated Circuit; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料