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InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究
被引量：
4
1
作者
李彬
陈伟
+5 位作者
黄晓峰
迟殿鑫
姚科明
王玺
柴松刚
高新江
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第4期420-424,共5页
通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响.理论结果显示,InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿,降低隧穿暗载流子产生速率,提高雪崩击穿几率.实验结果显示,顶层非故意掺...
通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响.理论结果显示,InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿,降低隧穿暗载流子产生速率,提高雪崩击穿几率.实验结果显示,顶层非故意掺杂的器件在223K下获得了20%的单光子探测效率和1kHz的暗计数率,其单光子探测效率比顶层掺杂浓度为5×10^(15)/cm^3的器件高3%~8%,而暗计数率低一个量级.结果表明,降低InP顶层的掺杂浓度有利于提高器件性能.
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关键词
INGAAS/INP
单光子雪崩光电二极管
顶层
掺杂浓度
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职称材料
题名
InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究
被引量：
4
1
作者
李彬
陈伟
黄晓峰
迟殿鑫
姚科明
王玺
柴松刚
高新江
机构
中国电子科技集团公司第四十四研究所化合物半导体光电子事业部
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第4期420-424,共5页
基金
中国电子科技集团创新基金项目(KJ1402011)~~
文摘
通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响.理论结果显示,InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿,降低隧穿暗载流子产生速率,提高雪崩击穿几率.实验结果显示,顶层非故意掺杂的器件在223K下获得了20%的单光子探测效率和1kHz的暗计数率,其单光子探测效率比顶层掺杂浓度为5×10^(15)/cm^3的器件高3%~8%,而暗计数率低一个量级.结果表明,降低InP顶层的掺杂浓度有利于提高器件性能.
关键词
INGAAS/INP
单光子雪崩光电二极管
顶层
掺杂浓度
Keywords
InGaAs/InP, single-photon avalanche diode, cap layer, doping density
分类号
O47 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究
李彬
陈伟
黄晓峰
迟殿鑫
姚科明
王玺
柴松刚
高新江
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
4
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