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InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究
被引量：
4
1
作者
李彬
陈伟
+5 位作者
黄晓峰
迟殿鑫
姚科明
王玺
柴松刚
高新江
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第4期420-424,共5页
通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响.理论结果显示,InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿,降低隧穿暗载流子产生速率,提高雪崩击穿几率.实验结果显示,顶层非故意掺...
通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响.理论结果显示,InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿,降低隧穿暗载流子产生速率,提高雪崩击穿几率.实验结果显示,顶层非故意掺杂的器件在223K下获得了20%的单光子探测效率和1kHz的暗计数率,其单光子探测效率比顶层掺杂浓度为5×10^(15)/cm^3的器件高3%~8%,而暗计数率低一个量级.结果表明,降低InP顶层的掺杂浓度有利于提高器件性能.
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关键词
INGAAS/INP
单光子雪崩光电二极管
顶层
掺杂浓度
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职称材料
用刻蚀坑方法抑制平面型InGaAs/InP盖革模式APD的边缘击穿
被引量：
1
2
作者
侯丽丽
韩勤
+2 位作者
李彬
王帅
叶焓
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期78-85,共8页
通过测量平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管闭管扩散器件帽层InP中Zn杂质的分布,拟合出掺杂浓度随扩散深度的变化函数,并且利用离化积分研究不同倍增层厚度下的最佳刻蚀坑深度和最佳刻蚀方法.结果表明在帽层深度不变的情况下,最佳刻蚀坑...
通过测量平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管闭管扩散器件帽层InP中Zn杂质的分布,拟合出掺杂浓度随扩散深度的变化函数,并且利用离化积分研究不同倍增层厚度下的最佳刻蚀坑深度和最佳刻蚀方法.结果表明在帽层深度不变的情况下,最佳刻蚀坑深度会随着倍增层厚度而变化,当倍增层厚度为1μm左右时刻蚀坑深度在0.1~0.3μm之间.采取反应离子刻蚀可以获得良好的刻蚀坑形貌,有利于边缘击穿的抑制.
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关键词
雪崩光电二极管
光探测器
离化积分
电场击穿
刻蚀
反应离子刻蚀
盖革计数
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职称材料
题名
InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究
被引量：
4
1
作者
李彬
陈伟
黄晓峰
迟殿鑫
姚科明
王玺
柴松刚
高新江
机构
中国电子科技集团公司第四十四研究所化合物半导体光电子事业部
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第4期420-424,共5页
基金
中国电子科技集团创新基金项目(KJ1402011)~~
文摘
通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响.理论结果显示,InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿,降低隧穿暗载流子产生速率,提高雪崩击穿几率.实验结果显示,顶层非故意掺杂的器件在223K下获得了20%的单光子探测效率和1kHz的暗计数率,其单光子探测效率比顶层掺杂浓度为5×10^(15)/cm^3的器件高3%~8%,而暗计数率低一个量级.结果表明,降低InP顶层的掺杂浓度有利于提高器件性能.
关键词
INGAAS/INP
单光子雪崩光电二极管
顶层
掺杂浓度
Keywords
InGaAs/InP, single-photon avalanche diode, cap layer, doping density
分类号
O47 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
用刻蚀坑方法抑制平面型InGaAs/InP盖革模式APD的边缘击穿
被引量：
1
2
作者
侯丽丽
韩勤
李彬
王帅
叶焓
机构
中国
科学院
半导体
研究所
集成
光电子
学国家重点实验室
中国
科学院大学
电子
电气与通信工程学院
中国电子科技集团公司第四十四研究所化合物半导体光电子事业部
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期78-85,共8页
基金
国家重点研发计划(No.2016YFB0402404)
国家自然科学基金(Nos.61674136
+1 种基金
61635010
61435002)资助~~
文摘
通过测量平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管闭管扩散器件帽层InP中Zn杂质的分布,拟合出掺杂浓度随扩散深度的变化函数,并且利用离化积分研究不同倍增层厚度下的最佳刻蚀坑深度和最佳刻蚀方法.结果表明在帽层深度不变的情况下,最佳刻蚀坑深度会随着倍增层厚度而变化,当倍增层厚度为1μm左右时刻蚀坑深度在0.1~0.3μm之间.采取反应离子刻蚀可以获得良好的刻蚀坑形貌,有利于边缘击穿的抑制.
关键词
雪崩光电二极管
光探测器
离化积分
电场击穿
刻蚀
反应离子刻蚀
盖革计数
Keywords
Avalanche photodiodes
Photodetectors
Ionization integral
Electric breakdown
Etching
Reactive ion etching
Geiger counters
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究
李彬
陈伟
黄晓峰
迟殿鑫
姚科明
王玺
柴松刚
高新江
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
用刻蚀坑方法抑制平面型InGaAs/InP盖革模式APD的边缘击穿
侯丽丽
韩勤
李彬
王帅
叶焓
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
在线阅读
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职称材料
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