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电子束曝光设备及研制进展
1
作者 范江华 张超 +3 位作者 李苹 陈庆广 朱勇波 梁文彬 《中国集成电路》 2025年第4期86-90,共5页
本文介绍了一种应用于化合物芯片制造领域的电子束曝光设备,该设备最大装载尺寸8英寸,同时具备自动传片、自动束流切换、自动调焦等功能。通过曝光试验测试,结果表明设备最小线宽优于50nm,拼接精度优于40 nm,满足化合物芯片曝光工艺的... 本文介绍了一种应用于化合物芯片制造领域的电子束曝光设备,该设备最大装载尺寸8英寸,同时具备自动传片、自动束流切换、自动调焦等功能。通过曝光试验测试,结果表明设备最小线宽优于50nm,拼接精度优于40 nm,满足化合物芯片曝光工艺的需求。 展开更多
关键词 电子束曝光 电子束光刻 电子束直写 曝光设备
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电子束曝光机子系统光柱控制器设计
2
作者 何远湘 龙会跃 +1 位作者 梁文彬 苏鑫 《电子工业专用设备》 2024年第4期30-35,共6页
为了提高电子束曝光机光柱控制器稳定性和控制精度,通过多年研究提出了一套功能较为完备的新型光柱控制的硬件设计方案,通过对电子束聚焦、对中、偏转、扫描曝光等参数精准控制,将图形发生器产生各项数字信号变换成对应的模拟量,稳定地... 为了提高电子束曝光机光柱控制器稳定性和控制精度,通过多年研究提出了一套功能较为完备的新型光柱控制的硬件设计方案,通过对电子束聚焦、对中、偏转、扫描曝光等参数精准控制,将图形发生器产生各项数字信号变换成对应的模拟量,稳定地控制电子束对承放在激光工作台上的掩模基片进行扫描曝光,从而达到高质量生产。 展开更多
关键词 电子束曝光机 光柱 聚焦 束闸 偏转 数模转换(DAC)转接
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LPCVD制备二氧化硅薄膜工艺中防颗粒污染技术
3
作者 樊坤 黄志海 +2 位作者 王理正 王志伟 苏子懿 《电子工艺技术》 2025年第2期52-55,共4页
二氧化硅(SiO_(2))薄膜制备作为集成电路制造工艺中重要的一个步骤,在芯片的制造过程中具有多种用途,但易受颗粒污染造成产品不良。对采用TEOS源LPCVD法沉积SiO_(2)膜颗粒污染的方法进行了探索,设计了一种用于防颗粒污染的机构,该机构... 二氧化硅(SiO_(2))薄膜制备作为集成电路制造工艺中重要的一个步骤,在芯片的制造过程中具有多种用途,但易受颗粒污染造成产品不良。对采用TEOS源LPCVD法沉积SiO_(2)膜颗粒污染的方法进行了探索,设计了一种用于防颗粒污染的机构,该机构主要包括微环境系统和温度控制系统,重点介绍了立式LPCVD设备工艺颗粒来源、微环境系统和温度控制系统结构组成,以及微环境系统和温度控制系统的应用效果。 展开更多
关键词 半导体 CVD 温度控制 微环境 颗粒污染 二氧化硅
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通信基站用光伏上塔能源系统设计及运营效益分析
4
作者 蒋超 黄齐鸣 +1 位作者 陆运章 何峰 《科技创新与应用》 2025年第8期17-20,共4页
该文设计一种通信基站用光伏上塔能源系统,重点对光伏发电阵列的布局和结构进行设计和校核,并深入分析其运营效益。分析结果显示,该系统设计的光伏发电阵列在12级风速条件下不会对铁塔结构安全造成损害;光伏上塔能源系统的5年平均平准... 该文设计一种通信基站用光伏上塔能源系统,重点对光伏发电阵列的布局和结构进行设计和校核,并深入分析其运营效益。分析结果显示,该系统设计的光伏发电阵列在12级风速条件下不会对铁塔结构安全造成损害;光伏上塔能源系统的5年平均平准化度电成本(LCOE)为3.6元/kWh,仅为采用柴油发电系统的50.42%、采用地面油光互补能源系统的74.07%;与地面油光互补能源系统相比,5年可节约土地租赁成本6.39万元。 展开更多
关键词 通信基站 光伏上塔 能源系统 运营效益 光伏发电阵列
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密闭式创面冲洗-负压引流治疗仪的研制
5
作者 蒋超 何峰 《科学技术创新》 2025年第5期45-48,共4页
目的:为解决现有糖尿病足创面处理方法存在的不足,研制一种密闭式创面冲洗-负压引流治疗仪。方法:以密封足套和内桶构建的密闭空间为结构基础,利用单片机控制隔膜泵产生高压雾化水流实现创面的无痛冲洗;通过真空泵和压力传感器产生高精... 目的:为解决现有糖尿病足创面处理方法存在的不足,研制一种密闭式创面冲洗-负压引流治疗仪。方法:以密封足套和内桶构建的密闭空间为结构基础,利用单片机控制隔膜泵产生高压雾化水流实现创面的无痛冲洗;通过真空泵和压力传感器产生高精度负压实现VSD治疗。结果:该治疗仪可对糖尿病足创面进行非接触式雾化水流冲洗和负压封闭引流(VSD)治疗,最大冲洗压力为300 kPa,最大负压为-60 kPa(-450mmHg),压力控制精度均优于5%FS。结论:该治疗仪可明显改善创面血液循环,促进肉芽组织生长,在临床治疗上具备很好的应用前景。 展开更多
关键词 创面 冲洗 负压引流 密闭结构 治疗仪
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半导体工艺设备互联通信的研究及应用
6
作者 赵辉良 邬啸宇 +3 位作者 邬远航 何永平 罗超 谢政廷 《中国集成电路》 2025年第4期80-85,共6页
半导体工艺设备的互联通信是半导体制造工厂向具有高洁净度、高无尘环境,无人值守状态下全自动控制的智能制造模式方向发展的关键基础。介绍半导体控制SEMI标准模型和设备通信标准、工艺设备互联通信功能需求以及SECS/GEM、GEM300通信... 半导体工艺设备的互联通信是半导体制造工厂向具有高洁净度、高无尘环境,无人值守状态下全自动控制的智能制造模式方向发展的关键基础。介绍半导体控制SEMI标准模型和设备通信标准、工艺设备互联通信功能需求以及SECS/GEM、GEM300通信标准在设备控制系统的实现方案和应用案例,可为类似设备的互联通信功能开发提供参考。 展开更多
关键词 SEMI 半导体工艺设备 SECS/GEM GEM300
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立式LPCVD设备的设计
7
作者 陈庆广 樊坤 +2 位作者 赵瓛 黄志海 郑红应 《电子工艺技术》 2025年第2期45-48,共4页
针对传统的卧式炉特点,从目前8~12英寸90 nm到28 nm制程的工艺需求出发,提出了一种立式LPCVD设备设计方案。设备对标国际主流应用装备,结合主流FAB产线大尺寸晶圆、高温度均匀性、颗粒污染控制、全自动控制的需求,进行了设备的针对性设... 针对传统的卧式炉特点,从目前8~12英寸90 nm到28 nm制程的工艺需求出发,提出了一种立式LPCVD设备设计方案。设备对标国际主流应用装备,结合主流FAB产线大尺寸晶圆、高温度均匀性、颗粒污染控制、全自动控制的需求,进行了设备的针对性设计。产线验证结果表明,设备各项关键技术指标均满足工艺要求。 展开更多
关键词 立式LPCVD 颗粒 金属污染 膜厚
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基于倍福PLC的MOCVD设备控制系统设计研究
8
作者 熊峥 李明 +1 位作者 周立平 叶肖杰 《电子工业专用设备》 2025年第1期13-20,共8页
为实现MOCVD设备的稳定运行与控制,通过分析MOCVD设备的子系统组成、PLC硬件网络及控制系统,结合系统的安全性设计,研究了一套基于倍福PLC的MOCVD设备控制系统。通过实际运行,该套电气控制系统电气强弱分离,整体结构层次感强,易于维护,... 为实现MOCVD设备的稳定运行与控制,通过分析MOCVD设备的子系统组成、PLC硬件网络及控制系统,结合系统的安全性设计,研究了一套基于倍福PLC的MOCVD设备控制系统。通过实际运行,该套电气控制系统电气强弱分离,整体结构层次感强,易于维护,运行稳定可靠,安全等级高,可满足半导体工业生产要求。 展开更多
关键词 MOCVD设备 安全性设计 PLC控制系统
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基于物联网技术的燃气管道监测系统设计与实现 被引量：1
9
作者 蒋超 《科技创新与应用》 2024年第6期104-107,共4页
随着城市化的加速和能源需求的增加,燃气管道网络变得越来越复杂。燃气管道监测系统的设计对于保障燃气管道的安全、可靠和高效运行至关重要。物联网技术的兴起为燃气管道监测系统的设计提供新的机遇,通过连接各种传感器和设备,实现实... 随着城市化的加速和能源需求的增加,燃气管道网络变得越来越复杂。燃气管道监测系统的设计对于保障燃气管道的安全、可靠和高效运行至关重要。物联网技术的兴起为燃气管道监测系统的设计提供新的机遇,通过连接各种传感器和设备,实现实时监测、数据采集和分析,以提高燃气管道的可靠性和安全性。基于此,该文分析基于物联网技术的燃气管道监测系统设计与实现策略,供广大相关从业人员参考。 展开更多
关键词 物联网技术 燃气管道监测 系统设计 实现策略 实时监测
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基于TEOS源LPCVD设备的设计开发 被引量：2
10
作者 彭浩 姬常晓 赵瓛 《电子工艺技术》 2024年第1期56-60,共5页
在以TEOS源为SiO_(2)薄膜淀积源的低压化学气相沉积(LPCVD)工艺过程中,频繁出现薄膜厚度均匀性差、表面颗粒度高、设备维护周期短的问题。针对这个问题,设计并开发出一种适用于半导体工艺中的立式LPCVD设备。在设备结构上,工艺腔采用双... 在以TEOS源为SiO_(2)薄膜淀积源的低压化学气相沉积(LPCVD)工艺过程中,频繁出现薄膜厚度均匀性差、表面颗粒度高、设备维护周期短的问题。针对这个问题,设计并开发出一种适用于半导体工艺中的立式LPCVD设备。在设备结构上,工艺腔采用双管式结构,以提高气氛场均匀性;在晶舟系统中,增加自旋转功能,以提高晶圆表面气体含量的均匀性;为延长设备维护周期,并降低工艺颗粒度,排气管道增加伴热带和冷阱装置。基于此,通过工艺验证,有效提高了设备在线生产应用的可靠性。 展开更多
关键词 立式LPCVD 工艺腔 旋转舟架 排气管道
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半导体制造设备自动化作业系统设计与实现 被引量：3
11
作者 黄浩 杨勇 周时宇 《中国集成电路》 2024年第4期82-85,93,共5页
本文针对半导体计算机集成制造系统中的设备自动化环节,设计了一套通用的设备自动化系统框架模型,并通过了实际生产验证。该框架模型包含底层通信驱动(SECS/GEM)、SML解析、基于状态机的业务逻辑控制、外围系统接口、异常处理&日志... 本文针对半导体计算机集成制造系统中的设备自动化环节,设计了一套通用的设备自动化系统框架模型,并通过了实际生产验证。该框架模型包含底层通信驱动(SECS/GEM)、SML解析、基于状态机的业务逻辑控制、外围系统接口、异常处理&日志、消息总线、UI终端等模块,通过设备自动化系统的应用可以有效地解决生产线程的误操作问题、数据收集问题、大数据分析问题,通过联动生产制造环节中的各个子系统,显著地提高了生产效率及产品良率。 展开更多
关键词 半导体制造设备自动化 SECS/GEM 有限状态机 CIM系统
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红外器件钝化膜专用磁控溅射系统镀膜工艺研究 被引量：1
12
作者 刘杰 黄也 +3 位作者 袁祖浩 佘鹏程 石任凭 何秋福 《电子工业专用设备》 2024年第2期33-38,共6页
为研究工艺参数对碲镉汞红外器件单层钝化膜工艺影响规律,采用红外器件钝化膜专用磁控溅射系统设备作为实验载体,通过仿真优化指导设计磁控溅射阴极靶,加快实现磁控溅射靶的制备;并采用仿真与实验相结合的方法研究靶基距、靶偏置角度等... 为研究工艺参数对碲镉汞红外器件单层钝化膜工艺影响规律,采用红外器件钝化膜专用磁控溅射系统设备作为实验载体,通过仿真优化指导设计磁控溅射阴极靶,加快实现磁控溅射靶的制备;并采用仿真与实验相结合的方法研究靶基距、靶偏置角度等工艺参数对镀膜均匀性的影响规律,获得较优的一组工艺参数值,为钝化膜工艺形成稳定、均匀性较好的膜层提供理论指导,为进一步研究双层钝化膜层奠定基础。 展开更多
关键词 碲镉汞 红外器件 钝化膜 磁控溅射 工艺参数 均匀性
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外延生长设备EFEM系统设计 被引量：1
13
作者 陈国钦 吴限 +1 位作者 周立平 巴赛 《电子工业专用设备》 2024年第1期15-18,共4页
阐述了应用于外延生长设备的EFEM系统,通过采用顶升机构、机械手和校准器等部件,结合机器视觉辅助判断方法,设计了一种外延生长设备的EFEM系统,该系统有效地提高了晶圆洁净度,提升了设备的自动化水平;并在相关机型进行应用和测试,能够... 阐述了应用于外延生长设备的EFEM系统,通过采用顶升机构、机械手和校准器等部件,结合机器视觉辅助判断方法,设计了一种外延生长设备的EFEM系统,该系统有效地提高了晶圆洁净度,提升了设备的自动化水平;并在相关机型进行应用和测试,能够可靠高效地运行。 展开更多
关键词 外延生长 机械手 机器视觉 半导体设备前端模块
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条形离子源栅网设计及优化
14
作者 龚俊 袁祖浩 +3 位作者 佘鹏程 何秋福 李勇 孔令通 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期196-200,共5页
为克服传统圆形离子源刻蚀基片数量较少、产能较低的劣势,提高离子源栅网的精度、稳定性及使用寿命,设计出一种用于离子束刻蚀的条形离子源栅网。采用ANSYS18.2对栅网进行热应力仿真模拟分析,为进一步增强离子源栅网性能,通过加工前后... 为克服传统圆形离子源刻蚀基片数量较少、产能较低的劣势,提高离子源栅网的精度、稳定性及使用寿命,设计出一种用于离子束刻蚀的条形离子源栅网。采用ANSYS18.2对栅网进行热应力仿真模拟分析,为进一步增强离子源栅网性能,通过加工前后的真空退火处理,达到改善栅网使用性能、提高稳定性和延长使用寿命的效果。将两种栅网装载至M431-9/UM型离子束刻蚀设备进行实验验证,结果表明相比条形腰孔曲面型栅网,条形圆孔平面型栅网在热应力下形变量更小,更符合离子源对精度、稳定性及使用寿命的要求。 展开更多
关键词 离子源栅网 退火 形变 均匀性 稳定性
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基于BP神经网络的激光氧分压传感器温压补偿算法
15
作者 曾佳慧 何峰 +3 位作者 王振翔 李松辉 刘兵 蒋利军 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第11期1245-1250,共6页
针对可调谐半导体激光吸收光谱(Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy,TDLAS)技术在密闭空间中测量氧分压时受温度和压力的影响,本文提出了基于BP神经网络的激光氧分压传感器温压补偿算法来消除温度和压力对氧分压测量的影响。... 针对可调谐半导体激光吸收光谱(Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy,TDLAS)技术在密闭空间中测量氧分压时受温度和压力的影响,本文提出了基于BP神经网络的激光氧分压传感器温压补偿算法来消除温度和压力对氧分压测量的影响。采用模拟电路构建了激光氧分压传感器,并通过电连接器上传测量的二次谐波峰值、温度和压力值至上位机,上位机通过BP神经网络温压补偿算法进行温压补偿,获取准确的氧分压值。实验结果表明,该算法可以实现对测量的氧分压补偿,补偿后氧分压测量误差小于±1 kPa,能满足航天、航空等领域的要求,具有较好的应用前景。 展开更多
关键词 BP神经网络 TDLAS 氧分压 温压补偿 波长调制
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一种基于多目机器视觉技术的硅片搬运机构研究
16
作者 邓乐 樊坤 《太阳能》 2024年第1期83-88,共6页
在太阳电池生产过程中,传统的硅片搬运机构存在搬运效率低、容易产生硅片搭边不良、吸盘印不良的问题,且无法在线检测硅片搭边不良。研究了一种基于多目机器视觉技术的硅片搬运机构,在对传统硅片搬运机构的机械结构和动作流程分析的基础... 在太阳电池生产过程中,传统的硅片搬运机构存在搬运效率低、容易产生硅片搭边不良、吸盘印不良的问题,且无法在线检测硅片搭边不良。研究了一种基于多目机器视觉技术的硅片搬运机构,在对传统硅片搬运机构的机械结构和动作流程分析的基础上,介绍了基于多目机器视觉技术的硅片搬运机构的动作流程、机械结构及特性,并重点分析了其使用多目机器视觉技术实现硅片位置检测及硅片搭边不良在线检测的原理,提出了该机构与传统的硅片搬运机构相比所具有的优势,其创新性在于引入了多目机器视觉技术和独特的动作流程,从而解决了硅片搬运过程中会产生吸盘印、划伤、隐裂等缺陷的问题。研究结果为多目机器视觉技术在光伏自动化设备中的应用开拓了思路,该新型硅片搬运机构在物理气相沉积(PVD)自动化设备的实际应用中,生产效率与良率均达到了全球领先水平。 展开更多
关键词 多目机器视觉技术 光伏行业 太阳电池 硅片搬运 硅片搭边不良 自动化设备 物理气相沉积
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用于氮化铝陶瓷高温烧结设备的设计与验证
17
作者 陈庆广 姬常晓 +2 位作者 何永平 王成宇 文正 《电子工艺技术》 2024年第1期61-63,共3页
针对以“新基建”为代表的通信领域对高功率、高性能微波组件的需求,阐述了氮化铝陶瓷基板的优点和工艺复杂性。基于此,开发了高温烧结设备,进行氮化铝陶瓷高温烧结工艺试验,分析了烧结温度及时间、升降温速率、气体流量及炉体压强等因... 针对以“新基建”为代表的通信领域对高功率、高性能微波组件的需求,阐述了氮化铝陶瓷基板的优点和工艺复杂性。基于此,开发了高温烧结设备,进行氮化铝陶瓷高温烧结工艺试验,分析了烧结温度及时间、升降温速率、气体流量及炉体压强等因素对高温烧结产品性能的影响。 展开更多
关键词 高温烧结炉 氮化铝陶瓷 高温烧结工艺
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第三代半导体CIM系统集成设计与应用
18
作者 张炜 赵辉良 +4 位作者 罗超 何永平 肖骏 谢政廷 曾参 《中国集成电路》 2024年第10期87-91,共5页
在半导体制造企业推进数字化转型,建设CIM系统的过程中,各个数字化业务系统之间、数字化系统与车间设备之间打破数据孤岛,实现数据互联、互通、集成是所有企业面临的共同挑战。本文介绍第三代半导体CIM系统及各子系统的功能分工,重点对... 在半导体制造企业推进数字化转型,建设CIM系统的过程中,各个数字化业务系统之间、数字化系统与车间设备之间打破数据孤岛,实现数据互联、互通、集成是所有企业面临的共同挑战。本文介绍第三代半导体CIM系统及各子系统的功能分工,重点对三个核心子系统MES、SPC、EAP之间以及EAP与设备监控系统之间的集成方案进行了介绍。该方案在某公司晶圆制造车间实现成功应用,可为半导体制造工厂CIM系统规划、设计开发、实施应用等提供参考。 展开更多
关键词 CIM系统 MES系统 SPC系统 EAP系统 系统集成 系统应用
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第三代半导体SPC质量监控系统设计及应用
19
作者 曾参 赵辉良 +5 位作者 谢政廷 罗超 易卓 肖骏 张炜 黄浩 《中国集成电路》 2024年第12期29-33,85,共6页
在第三代半导体晶圆制造过程中,统计过程控制(SPC)可对工艺加工过程的稳定性和产品质量起到重要作用。本文基于SPC基本理论,结合第三代半导体晶圆生产过程质量控制的需求,设计实现了一种SPC质量监控系统并实现与制造执行系统(MES)的集成... 在第三代半导体晶圆制造过程中,统计过程控制(SPC)可对工艺加工过程的稳定性和产品质量起到重要作用。本文基于SPC基本理论,结合第三代半导体晶圆生产过程质量控制的需求,设计实现了一种SPC质量监控系统并实现与制造执行系统(MES)的集成,在某企业晶圆制造车间实现了应用,验证了其可行性,可为类似场景的SPC系统规划、设计开发、实施应用等提供参考。 展开更多
关键词 SPC系统 质量监控 系统集成 晶圆制造 系统应用
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碳化硅基器件碳膜保护层的制备与研究
20
作者 孔令通 肖晓雨 +3 位作者 佘鹏程 黄也 龚俊 王建青 《电子工业专用设备》 2024年第2期27-32,67,共7页
碳膜沉积工艺是集成电路碳化硅器件制造过程中一道关键工艺,通过在碳化硅表面沉积碳膜,有效防止碳化硅器件在高温退火后的表面荒化,避免器件失效。通过磁控溅射法在碳化硅基底上制备碳膜,探索不同的参数对碳膜的影响,得到了表面光滑、... 碳膜沉积工艺是集成电路碳化硅器件制造过程中一道关键工艺,通过在碳化硅表面沉积碳膜,有效防止碳化硅器件在高温退火后的表面荒化,避免器件失效。通过磁控溅射法在碳化硅基底上制备碳膜,探索不同的参数对碳膜的影响,得到了表面光滑、均匀性小于2%的碳膜。通过表征,证实碳膜与碳化硅基底有很好的结合力,在实际生产中沉积的碳膜对碳化硅器件起到了保护作用,有效地保证了产品良率。 展开更多
关键词 碳化硅 集成电路 碳膜沉积工艺 磁控溅射法 物理气相沉积
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