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湿法腐蚀DFB半导体激光器的均匀光栅的研究被引量：2: 1; 作者高丽艳陈国鹰 +2 位作者花吉珍张世祖郭艳菊《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期41-44,共4页; 论述了用湿法腐蚀电子束光刻的均匀光栅DFB激光器亚微米光栅的过程,研究了几种腐蚀液对半导体激光器外延材料中InP的腐蚀过程。用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,通过调节腐蚀液HBr:HNO3:H2O的体积比,找到了对InP腐蚀的最... 展开更多; 关键词化学湿法腐蚀 DFB半导体激光器扫描电子显微镜电了束光刻; 在线阅读下载PDF 职称材料

InGaAs(InAlAs)/InP和InP/InAlAs湿法选择腐蚀研究: 2; 作者赵永林蔡道明 +2 位作者周州郭亚娜刘跳《微纳电子技术》 CAS 2005年第11期515-517,共3页; 介绍了两种选择腐蚀液对InGaAs(InAlAs)I/nP和InPI/nAlAs异质结构材料选择腐蚀的实验结果,重点介绍在InAlAs上面生长InP的湿法选择腐蚀,用HClH∶3PO4C∶H3COOH系列腐蚀液,InPI/nAlAs选择比大于300。InPI/nAlAs湿法选择腐蚀的结果可以很... 展开更多; 关键词湿法选择腐蚀选择比 InP/InAlAs 光电子集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

连续波工作高功率应变单量子阱半导体激光器被引量：2: 3; 作者辛国锋陈国鹰 +5 位作者花吉珍康志龙赵卫青安振峰冯荣珠牛健《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期476-479,共4页; 利用金属有机化合物气相淀积 ( MOCVD)技术成功生长了 In Ga As/Ga As/Al Ga As分别限制应变单量子阱材料 ,用该材料制成的单管半导体激光器在室温下连续波输出功率高达 2 .36 W,中心激射波长为 94 4nm,斜率效率高达 0 .96 W/A,阈值电... 展开更多; 关键词应变单量子阱半导体激光器金属有机化合物气相淀积连续波 MOCVD 结构设计材料结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

大功率半导体激光器阵列热特性分析被引量：4: 4; 作者李冬梅安振锋 +2 位作者王晓燕许敏陈国鹰《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期843-846,共4页; 基于实际器件的材料和结构参数,利用ANSYS软件对泵浦用808nm半导体激光器一维线阵列在连续及准连续驱动条件下的稳态及瞬态温度分布进行了模拟和分析,并采用纵模光谱法对稳态热阻进行了测量,实测与模拟结果基本吻合。; 关键词半导体激光器阵列温度分布 ANSYS软件; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名湿法腐蚀DFB半导体激光器的均匀光栅的研究被引量：2: 1; 作者高丽艳陈国鹰花吉珍张世祖郭艳菊; 机构河北工业大学信息工程学院微电子所中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期41-44,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60476025) 河北省自然科学基金资助项目(603080); 文摘论述了用湿法腐蚀电子束光刻的均匀光栅DFB激光器亚微米光栅的过程,研究了几种腐蚀液对半导体激光器外延材料中InP的腐蚀过程。用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,通过调节腐蚀液HBr:HNO3:H2O的体积比,找到了对InP腐蚀的最佳配比(1:1:30)以及合适的腐蚀条件(室温23℃)。利用这种腐蚀液得到的光栅图形可以满足DFB激光器的要求。; 关键词化学湿法腐蚀 DFB半导体激光器扫描电子显微镜电了束光刻; Keywords wet chemical etching DFB semiconductor lasers SEM electron lithographic; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InGaAs(InAlAs)/InP和InP/InAlAs湿法选择腐蚀研究: 2; 作者赵永林蔡道明周州郭亚娜刘跳; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部; 出处《微纳电子技术》 CAS 2005年第11期515-517,共3页; 基金国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2001AA312040); 文摘介绍了两种选择腐蚀液对InGaAs(InAlAs)I/nP和InPI/nAlAs异质结构材料选择腐蚀的实验结果,重点介绍在InAlAs上面生长InP的湿法选择腐蚀,用HClH∶3PO4C∶H3COOH系列腐蚀液,InPI/nAlAs选择比大于300。InPI/nAlAs湿法选择腐蚀的结果可以很好应用到OEIC芯片制作中,并取得了较好的器件及电路结果。; 关键词湿法选择腐蚀选择比 InP/InAlAs 光电子集成电路; Keywords wet selective etching selectivity InP/InAls OEIC; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名连续波工作高功率应变单量子阱半导体激光器被引量：2: 3; 作者辛国锋陈国鹰花吉珍康志龙赵卫青安振峰冯荣珠牛健; 机构河北工业大学信息工程学院微电子所中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期476-479,共4页; 基金河北省科技攻关重点项目(编号0 3 2 13 540 D) 河北省自然科学基金项目(编号 60 3 0 80); 文摘利用金属有机化合物气相淀积 ( MOCVD)技术成功生长了 In Ga As/Ga As/Al Ga As分别限制应变单量子阱材料 ,用该材料制成的单管半导体激光器在室温下连续波输出功率高达 2 .36 W,中心激射波长为 94 4nm,斜率效率高达 0 .96 W/A,阈值电流密度为 177.8A/cm2。该波长的半导体激光器是 Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。; 关键词应变单量子阱半导体激光器金属有机化合物气相淀积连续波 MOCVD 结构设计材料结构; Keywords metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) strained single quantum well continuous wave semiconductor laser; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名大功率半导体激光器阵列热特性分析被引量：4: 4; 作者李冬梅安振锋王晓燕许敏陈国鹰; 机构河北工业大学微电子研究所中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期843-846,共4页; 基金长春光机学院重点实验室基金资助项目(51456030103DZ2302); 文摘基于实际器件的材料和结构参数,利用ANSYS软件对泵浦用808nm半导体激光器一维线阵列在连续及准连续驱动条件下的稳态及瞬态温度分布进行了模拟和分析,并采用纵模光谱法对稳态热阻进行了测量,实测与模拟结果基本吻合。; 关键词半导体激光器阵列温度分布 ANSYS软件; Keywords semiconductor lasers arrays temperature distribution ANSYS; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	湿法腐蚀DFB半导体激光器的均匀光栅的研究	高丽艳陈国鹰花吉珍张世祖郭艳菊	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2005	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	InGaAs(InAlAs)/InP和InP/InAlAs湿法选择腐蚀研究	赵永林蔡道明周州郭亚娜刘跳	《微纳电子技术》 CAS	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	连续波工作高功率应变单量子阱半导体激光器	辛国锋陈国鹰花吉珍康志龙赵卫青安振峰冯荣珠牛健	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2003	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	大功率半导体激光器阵列热特性分析	李冬梅安振锋王晓燕许敏陈国鹰	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	4	在线阅读下载PDF 职称材料