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湿法腐蚀DFB半导体激光器的均匀光栅的研究
被引量：
2
1
作者
高丽艳
陈国鹰
+2 位作者
花吉珍
张世祖
郭艳菊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期41-44,共4页
论述了用湿法腐蚀电子束光刻的均匀光栅DFB激光器亚微米光栅的过程,研究了几种腐蚀液对半导体激光器外延材料中InP的腐蚀过程。用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,通过调节腐蚀液HBr:HNO3:H2O的体积比,找到了对InP腐蚀的最...
论述了用湿法腐蚀电子束光刻的均匀光栅DFB激光器亚微米光栅的过程,研究了几种腐蚀液对半导体激光器外延材料中InP的腐蚀过程。用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,通过调节腐蚀液HBr:HNO3:H2O的体积比,找到了对InP腐蚀的最佳配比(1:1:30)以及合适的腐蚀条件(室温23℃)。利用这种腐蚀液得到的光栅图形可以满足DFB激光器的要求。
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关键词
化学湿法腐蚀
DFB半导体激光器
扫描电子显微镜
电了束光刻
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职称材料
941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列
被引量：
4
2
作者
辛国锋
花吉珍
+4 位作者
陈国鹰
康志龙
杨鹏
徐会武
安振峰
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期521-524,共4页
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半...
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为 94 0 .5nm ,光谱的FWHM为 2 .6nm ,在 4 0 0 μs ,5 0Hz的输入电流下 ,输出峰值功率达到1 1 4 .7W(1 6 5A) ,斜率效率高达 0 .81W/A ,阈值电流密度为 1 0 3.7A/cm2 ,串联电阻 5mΩ ,最高转换效率可达 36 .9%
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关键词
金属有机化合物气相淀积
半导体激光器阵列
分别限制结构
单量子阱
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职称材料
大功率半导体激光器阵列热特性分析
被引量：
4
3
作者
李冬梅
安振锋
+2 位作者
王晓燕
许敏
陈国鹰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第11期843-846,共4页
基于实际器件的材料和结构参数,利用ANSYS软件对泵浦用808nm半导体激光器一维线阵列在连续及准连续驱动条件下的稳态及瞬态温度分布进行了模拟和分析,并采用纵模光谱法对稳态热阻进行了测量,实测与模拟结果基本吻合。
关键词
半导体激光器阵列
温度分布
ANSYS软件
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职称材料
题名
湿法腐蚀DFB半导体激光器的均匀光栅的研究
被引量：
2
1
作者
高丽艳
陈国鹰
花吉珍
张世祖
郭艳菊
机构
河北工业大学信息工程学院微
电子
所
中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期41-44,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60476025)
河北省自然科学基金资助项目(603080)
文摘
论述了用湿法腐蚀电子束光刻的均匀光栅DFB激光器亚微米光栅的过程,研究了几种腐蚀液对半导体激光器外延材料中InP的腐蚀过程。用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,通过调节腐蚀液HBr:HNO3:H2O的体积比,找到了对InP腐蚀的最佳配比(1:1:30)以及合适的腐蚀条件(室温23℃)。利用这种腐蚀液得到的光栅图形可以满足DFB激光器的要求。
关键词
化学湿法腐蚀
DFB半导体激光器
扫描电子显微镜
电了束光刻
Keywords
wet chemical etching
DFB semiconductor lasers
SEM
electron lithographic
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列
被引量：
4
2
作者
辛国锋
花吉珍
陈国鹰
康志龙
杨鹏
徐会武
安振峰
机构
河北工业大学信息工程学院微
电子
所
中国
电子科技
集团公司
电子
第十三
研究所
光电
专业部
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期521-524,共4页
基金
河北省科技攻关项目 (编号 :0 32 1 35 4 0D)
河北省自然科学基金 (编号 :6 0 30 80 )项目
文摘
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为 94 0 .5nm ,光谱的FWHM为 2 .6nm ,在 4 0 0 μs ,5 0Hz的输入电流下 ,输出峰值功率达到1 1 4 .7W(1 6 5A) ,斜率效率高达 0 .81W/A ,阈值电流密度为 1 0 3.7A/cm2 ,串联电阻 5mΩ ,最高转换效率可达 36 .9%
关键词
金属有机化合物气相淀积
半导体激光器阵列
分别限制结构
单量子阱
Keywords
Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)
Semiconductor laser array
Separate confinement heterostructure
Single quantum well
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
大功率半导体激光器阵列热特性分析
被引量：
4
3
作者
李冬梅
安振锋
王晓燕
许敏
陈国鹰
机构
河北工业大学微
电子
研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第11期843-846,共4页
基金
长春光机学院重点实验室基金资助项目(51456030103DZ2302)
文摘
基于实际器件的材料和结构参数,利用ANSYS软件对泵浦用808nm半导体激光器一维线阵列在连续及准连续驱动条件下的稳态及瞬态温度分布进行了模拟和分析,并采用纵模光谱法对稳态热阻进行了测量,实测与模拟结果基本吻合。
关键词
半导体激光器阵列
温度分布
ANSYS软件
Keywords
semiconductor lasers arrays
temperature distribution
ANSYS
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
湿法腐蚀DFB半导体激光器的均匀光栅的研究
高丽艳
陈国鹰
花吉珍
张世祖
郭艳菊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列
辛国锋
花吉珍
陈国鹰
康志龙
杨鹏
徐会武
安振峰
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
大功率半导体激光器阵列热特性分析
李冬梅
安振锋
王晓燕
许敏
陈国鹰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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统计分析
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