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InP基谐振隧穿二极管的研究被引量：1: 1; 作者李亚丽张雄文 +2 位作者冯震周瑞张志国《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期141-143,共3页; 谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点。研究并试制了InP基RTD实验样品,对其直流特性进行... 展开更多; 关键词谐振隧穿二极管电流峰谷比铟磷基外延材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC衬底X波段GaN MMIC的研究: 2; 作者张志国冯震 +3 位作者武继宾王勇蔡树军杨克武《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1112-1114,共3页; 使用国产6H-SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的AlGaN/GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型,利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9.1~10.1 GHz时... 展开更多; 关键词 GAN 微波单片集成电路大信号模型输出功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

X波段大栅宽高输出功率AlGaN/GaN HEMT的研究被引量：3: 3; 作者顾卫东张志国《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1082-1084,共3页; 利用MOCVD技术研制了国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料,方块电阻小于260Ω/□,迁移率最大值达到2130 cm2V-1s-1,方块电阻和迁移率不均匀性小于3%,采用新的器件栅结构和高应力SiN钝化技术,降低了大栅宽器件栅泄漏电流,提高了工作电压。研... 展开更多; 关键词 ALGAN/GAN HEMT 大栅宽高电压高输出功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于肖特基二极管单片集成芯片的340 GHz收发链路被引量：1: 4; 作者张明浩董亚洲梁士雄《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期369-375,共7页; 针对太赫兹通信及成像等系统对高集成度射频收发链路的需求,在自主研制的太赫兹肖特基二极管的基础上,建立了器件的精确模型,设计并制备出基于二极管的倍频/混频单片集成芯片,解决了传统二极管装配难度大、一致性差的难题,提高了器件的... 展开更多; 关键词半导体器件太赫兹肖特基二极管倍频器混频器收发链路; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC MESFET工艺在片检测技术被引量：1: 5; 作者商庆杰潘宏菽 +3 位作者陈昊李亮杨霏霍玉柱《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1095-1099,共5页; 介绍了SiC MESFET芯片加工工艺中的主要在片检测技术,包括芯片表面情况判定、干法刻蚀的监测、等平面工艺的辅助测试、欧姆接触比接触电阻值的测试以及各种中间测试技术。芯片表面情况判定主要通过显微镜观察表面形貌、原子力显微镜测... 展开更多; 关键词碳化硅金属-半导体场效应晶体管检测干法刻蚀比接触电阻率; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于SiC和蓝宝石衬底的AlGaN/GaN HEMT热解析模型: 6; 作者姜霞赵正平 +3 位作者张志国骆新江杨瑞霞冯志红《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期125-128,共4页; 研究了温度的升高对低场迁移率及阈值电压的影响,建立了模拟AlGaN/GaN HEMT直流I-V特性的热解析模型。模型考虑了极化、材料热导率、电子迁移率、薄层载流子浓度、饱和电子漂移速度及导带断续的影响。模拟结果表明,低场迁移率随温度的... 展开更多; 关键词 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管自热解析模型阈值电压迁移率; 在线阅读下载PDF 职称材料

石墨烯场效应晶体管的非线性模型: 7; 作者杜光伟李佳 +2 位作者胡志富冯志红宋旭波《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期292-296,301,共6页; 包含新技术、新材料的新型器件的不断涌现,使现有的传统器件模型已不能完全表征石墨烯场效应晶体管(GFET)的特性。提出了一种基于经验公式的非线性模型来表征GFET的特性,该模型对传统经验模型的公式和拓扑结构进行了改进,使其能更好地表... 展开更多; 关键词石墨烯场效应晶体管(FET) 非线性模型低频散射效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP基谐振隧穿二极管的研究被引量：1: 1; 作者李亚丽张雄文冯震周瑞张志国; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期141-143,共3页; 基金国家自然科学基金(NSFC60606015) 上海市浦江人才计划项目(05PJ14068); 文摘谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点。研究并试制了InP基RTD实验样品,对其直流特性进行了测试分析,器件的最大电流峰谷比(PVCR)达到了17.8。; 关键词谐振隧穿二极管电流峰谷比铟磷基外延材料; Keywords resonant tunneling diodes peak-to-valley current ratio InP-based epitaxial material; 分类号 TN312.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC衬底X波段GaN MMIC的研究: 2; 作者张志国冯震武继宾王勇蔡树军杨克武; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室西安电子科技大学微电子学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1112-1114,共3页; 基金国家重点实验室基金项目(9140C0605010702); 文摘使用国产6H-SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的AlGaN/GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型,利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9.1~10.1 GHz时连续波输出功率大于10 W,带内增益大于12 dB,增益平坦度为±0.2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。; 关键词 GAN 微波单片集成电路大信号模型输出功率; Keywords GaN MMIC large-signal model output power; 分类号 TN455 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名X波段大栅宽高输出功率AlGaN/GaN HEMT的研究被引量：3: 3; 作者顾卫东张志国; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所西安电子科技大学微电子学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1082-1084,共3页; 文摘利用MOCVD技术研制了国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料,方块电阻小于260Ω/□,迁移率最大值达到2130 cm2V-1s-1,方块电阻和迁移率不均匀性小于3%,采用新的器件栅结构和高应力SiN钝化技术,降低了大栅宽器件栅泄漏电流,提高了工作电压。研制的总栅宽为25.3 mm的四胞内匹配器件X波段输出功率达到141.25 W,线性增益大于12 dB,PAE达到41.4%。; 关键词 ALGAN/GAN HEMT 大栅宽高电压高输出功率; Keywords AlGaN/GaN HEMT long gate width high operation voltage high output power; 分类号 TN323.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于肖特基二极管单片集成芯片的340 GHz收发链路被引量：1: 4; 作者张明浩董亚洲梁士雄; 机构河北省产品质量监督检验研究院电子科技大学中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期369-375,共7页; 基金国家重点研发计划(2018YFB1801503) 中央高校经费(ZYGX2020ZB011)。; 文摘针对太赫兹通信及成像等系统对高集成度射频收发链路的需求,在自主研制的太赫兹肖特基二极管的基础上,建立了器件的精确模型,设计并制备出基于二极管的倍频/混频单片集成芯片,解决了传统二极管装配难度大、一致性差的难题,提高了器件的性能。成功研制出170 GHz、340 GHz倍频器和340 GHz混频器模块,并且开发出集成化的340 GHz发射与接收链路。发射端一体化模块实现了342 GHz功率为22 mW的输出,接收端一体化模块实现了330~350 GHz单边带变频损耗在10 dB上下。该模块的开发为未来太赫兹通信及成像技术的应用奠定基础。; 关键词半导体器件太赫兹肖特基二极管倍频器混频器收发链路; Keywords semiconductor device terahertz Schottky diode frequency multiplier mixer transceiver link; 分类号 TN837 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC MESFET工艺在片检测技术被引量：1: 5; 作者商庆杰潘宏菽陈昊李亮杨霏霍玉柱; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1095-1099,共5页; 基金国家重点实验室资助项目(9140C060702060C0603); 文摘介绍了SiC MESFET芯片加工工艺中的主要在片检测技术,包括芯片表面情况判定、干法刻蚀的监测、等平面工艺的辅助测试、欧姆接触比接触电阻值的测试以及各种中间测试技术。芯片表面情况判定主要通过显微镜观察表面形貌、原子力显微镜测表面均匀性以及扫描电镜观察形貌以及组分分析。干法刻蚀的监测主要通过台阶仪结合椭偏仪实现,即保证了干法刻蚀按预想的深度刻蚀也验证了材料结构的参数。通过TLM图形测试的比接触电阻值可以确保良好的欧姆接触,减小器件的串联电阻,提高器件的电流处理能力,为实现高功率输出奠定基础。通过台阶仪测量和显微镜观察实现的等平面工艺大大提高了器件的性能,微波功率提高30%左右,增益提高1.5 dB以上,功率附加效率提高接近10%。; 关键词碳化硅金属-半导体场效应晶体管检测干法刻蚀比接触电阻率; Keywords SiC MESFET measurement dry-etching specific contact resistance; 分类号 TN304.07 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于SiC和蓝宝石衬底的AlGaN/GaN HEMT热解析模型: 6; 作者姜霞赵正平张志国骆新江杨瑞霞冯志红; 机构河北工业大学信息工程学院中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室杭州电子科技大学电子信息学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期125-128,共4页; 基金国家自然科学基金重大项目(NSFC60890192); 文摘研究了温度的升高对低场迁移率及阈值电压的影响,建立了模拟AlGaN/GaN HEMT直流I-V特性的热解析模型。模型考虑了极化、材料热导率、电子迁移率、薄层载流子浓度、饱和电子漂移速度及导带断续的影响。模拟结果表明,低场迁移率随温度的升高而下降,阈值电压随温度的升高略有增加,但变化很小,而沟道温度随漏压的增加上升很快,并最终导致输出漏电流的下降。最后将模拟结果与实验值进行对比,符合较好,证明了该模型的正确性,并可以应用于SiC和蓝宝石两种不同衬底AlGaN/GaN HEMT器件的模拟。; 关键词 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管自热解析模型阈值电压迁移率; Keywords AlGaN/GaN HEMT self-heating analytical model threshold voltage mobility; 分类号 TP2 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名石墨烯场效应晶体管的非线性模型: 7; 作者杜光伟李佳胡志富冯志红宋旭波; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期292-296,301,共6页; 文摘包含新技术、新材料的新型器件的不断涌现,使现有的传统器件模型已不能完全表征石墨烯场效应晶体管(GFET)的特性。提出了一种基于经验公式的非线性模型来表征GFET的特性,该模型对传统经验模型的公式和拓扑结构进行了改进,使其能更好地表征GFET的特性。该模型包含了GFET的栅源电流模型、源漏电流模型、电容模型和低频散射效应等。此外该模型为可定标的模型,可用于一定尺寸范围的器件的仿真。该模型可集成在仿真软件中进行石墨烯电路的设计,其直流I-V特性和多偏置S参数的仿真结果与测试结果吻合较好,验证了该模型的有效性。; 关键词石墨烯场效应晶体管(FET) 非线性模型低频散射效应; Keywords graphene field effect transistor（FET） non-linear model low frequence dispersion effect; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	InP基谐振隧穿二极管的研究	李亚丽张雄文冯震周瑞张志国	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	SiC衬底X波段GaN MMIC的研究	张志国冯震武继宾王勇蔡树军杨克武	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	X波段大栅宽高输出功率AlGaN/GaN HEMT的研究	顾卫东张志国	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于肖特基二极管单片集成芯片的340 GHz收发链路	张明浩董亚洲梁士雄	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	SiC MESFET工艺在片检测技术	商庆杰潘宏菽陈昊李亮杨霏霍玉柱	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	用于SiC和蓝宝石衬底的AlGaN/GaN HEMT热解析模型	姜霞赵正平张志国骆新江杨瑞霞冯志红	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	石墨烯场效应晶体管的非线性模型	杜光伟李佳胡志富冯志红宋旭波	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料