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ICP刻蚀Mo侧壁角度及刻蚀速率的研究
1
作者
田本朗
梁柳洪
+3 位作者
何成勇
罗淦
郭耀祖
米佳
《压电与声光》
北大核心
2025年第1期59-62,共4页
采用基于Cl基气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀设备对金属Mo薄膜进行刻蚀,研究了刻蚀条件对侧壁角度以及刻蚀速率的控制。通过调节ICP干法刻蚀过程中射频源功率、ICP离子源功率、腔体压力、混合气体流量比例等工艺参数,实现了14.8...
采用基于Cl基气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀设备对金属Mo薄膜进行刻蚀,研究了刻蚀条件对侧壁角度以及刻蚀速率的控制。通过调节ICP干法刻蚀过程中射频源功率、ICP离子源功率、腔体压力、混合气体流量比例等工艺参数,实现了14.8°~85.0°图形侧壁倾角,表明图形侧壁角度可在大范围内得到控制,刻蚀速率可在148~232 nm/min调节,为薄膜体声波谐振器(FBAR)器件研制工艺打下良好基础。
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关键词
电感耦合等离子体(ICP)
MO
薄膜体声波谐振器(FBAR)
侧壁角度
刻蚀速率
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职称材料
中美纳电子技术发展对比研究(续)
被引量:
1
2
作者
郭树田
《微纳电子技术》
CAS
2006年第9期405-413,419,共10页
关键词
电子技术
美国政府
纳米技术
NNI计划
日本政府
西欧国家
澳大利亚
政府投入
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职称材料
中美纳电子技术发展对比研究
被引量:
1
3
作者
郭树田
《微纳电子技术》
CAS
2006年第8期357-360,共4页
以见诸报道的资料为基础,对中美纳电子技术的国家发展计划、经费支持、纳电子技术的成果、发展现状及应用等方面进行了对比;针对中美纳电子技术间存在的差距,对我国如何发展纳电子技术提出建议。
关键词
纳电子技术
策略
电子学
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职称材料
导电胶加速寿命模型评价方法研究
4
作者
文科
谭骁洪
+2 位作者
邢宗锋
罗俊
余航
《电子与封装》
2024年第9期85-88,共4页
简要介绍了导电胶的失效模式和机理,设计加速寿命试验对导电胶工艺可靠性开展研究,选取导电胶工艺中的关键参数进行正交试验,确定温度应力作为导电胶贴装失效的加速应力。采用定时截尾方法进行试验,利用Arrhenius模型对试验结果进行分析...
简要介绍了导电胶的失效模式和机理,设计加速寿命试验对导电胶工艺可靠性开展研究,选取导电胶工艺中的关键参数进行正交试验,确定温度应力作为导电胶贴装失效的加速应力。采用定时截尾方法进行试验,利用Arrhenius模型对试验结果进行分析,建立导电胶加速寿命可靠性评价模型,最终完成了对导电胶加速寿命可靠性模型的评价,为导电胶工艺在半导体集成电路中的应用和可靠性改进提供依据。
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关键词
导电胶工艺
加速寿命
正交试验
可靠性
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职称材料
X波段GaAs MMIC低噪声放大器设计研究
5
作者
王国强
蒲颜
+2 位作者
万瑞捷
聂荣邹
朱海
《电声技术》
2024年第2期116-118,共3页
文章针对雷达和卫星通信等微波系统需求,设计一种X波段GaAs单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)低噪声放大器。该电路为两级放大器级联结构,采用自偏置电路结构,实现单电源3.5 V供电。通过电感峰化和宽带...
文章针对雷达和卫星通信等微波系统需求,设计一种X波段GaAs单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)低噪声放大器。该电路为两级放大器级联结构,采用自偏置电路结构,实现单电源3.5 V供电。通过电感峰化和宽带匹配等技术实现X波段的工作频率全覆盖,并实现较低的噪声系数。测试结果表明,在8~12 GHz频率范围内,低噪声放大器功率增益大于23 dB,噪声系数小于1.7 dB,输出1 dB压缩点功率大于13 dBm。
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关键词
低噪声放大器
X波段
单片微波集成电路(MMIC)
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职称材料
抗辐照电源监控电路的极限评估试验研究
6
作者
文科
文闻
+2 位作者
钟昂
余航
罗俊
《电子与封装》
2024年第11期33-40,共8页
基于国内某款抗辐照电源监控电路开展了极限评估研究,分析该款产品的详细规范、核心参数、极限判据等内容。通过设计步进应力试验、寿命试验、辐照试验等,评估电路在电、热、机械等应力下的极限能力和失效模式,并对极限评估的方案有效...
基于国内某款抗辐照电源监控电路开展了极限评估研究,分析该款产品的详细规范、核心参数、极限判据等内容。通过设计步进应力试验、寿命试验、辐照试验等,评估电路在电、热、机械等应力下的极限能力和失效模式,并对极限评估的方案有效性进行了验证。试验结果表明,设计的极限评估方案能够有效反映器件在各种极限条件下的性能,通过试验可以查出器件的设计薄弱环节和失效模式,为器件在设计、工艺以及材料方面的优化提供支撑。
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关键词
极限评估
电源监控
失效模式
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职称材料
创新链视角下的美国微电子领域政策布局
7
作者
毛海燕
王天宇
王鹏
《国防科技》
2024年第6期26-33,共8页
研究美国微电子政策布局,有利于明确美微电子政策的协同性特征,为我国应对相关政策影响及自身政策规划提供有效参考。运用创新链理论,梳理美国在微电子领域的政策布局情况,明确政策对应主体与采取手段,并总结政策的布局特征。微电子作...
研究美国微电子政策布局,有利于明确美微电子政策的协同性特征,为我国应对相关政策影响及自身政策规划提供有效参考。运用创新链理论,梳理美国在微电子领域的政策布局情况,明确政策对应主体与采取手段,并总结政策的布局特征。微电子作为支撑社会发展的基础性产业,对确保国家经济稳健与保证国防安全至关重要。当前美国在微电子领域的政策已覆盖全创新链,呈现出多主体间的协同特征以及对于高弹性本土创新链、产业链的建设需求,强调通过多方协同继续保持美国在微电子领域的领先优势。
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关键词
政策布局
创新链
微电子产业政策
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职称材料
军用电子元器件可靠性强化试验的可行性研究
被引量:
6
8
作者
朱朝轩
罗俊
+1 位作者
林震
吴兆希
《电子产品可靠性与环境试验》
2018年第4期40-43,共4页
基于可靠性强化试验的原理和特点,对军用电子元器件的可靠性强化试验的可行性进行了分析。根据可靠性强化试验技术及其特点,分析了军用电子元器件可靠性强化试验的试验应力的选择、试验剖面的建立、敏感参数的在线测试和测试夹具的开发...
基于可靠性强化试验的原理和特点,对军用电子元器件的可靠性强化试验的可行性进行了分析。根据可靠性强化试验技术及其特点,分析了军用电子元器件可靠性强化试验的试验应力的选择、试验剖面的建立、敏感参数的在线测试和测试夹具的开发等关键技术,以阐述军用元器件可靠性强化试验的可行性,并且提出了对军用元器件进行可靠性强化试验的实施方案和基本实施流程。
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关键词
军用电子元器件
可靠性强化试验
可行性
试验应力
试验剖面
敏感参数
试验夹具
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职称材料
电子元器件质量与可靠性技术及其研究进展
被引量:
12
9
作者
罗雨薇
李晓红
《电子产品可靠性与环境试验》
2021年第6期84-91,共8页
作为高技术战争和电子战的重点,电子元器件是武器装备向电子化、自动化、智能化发展不可或缺的基本所在。其质量和可靠性受到了世界各国的重视。首先,简单地回顾了国内外电子元器件质量与可靠性技术的发展现状;然后,对可靠性设计、试验...
作为高技术战争和电子战的重点,电子元器件是武器装备向电子化、自动化、智能化发展不可或缺的基本所在。其质量和可靠性受到了世界各国的重视。首先,简单地回顾了国内外电子元器件质量与可靠性技术的发展现状;然后,对可靠性设计、试验、分析和评价技术逐一作了介绍;最后,对近年来出现的新型元器件及其可靠性技术的研究方向和发展趋势进行了概述。
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关键词
电子元器件
可靠性设计
可靠性分析
寿命试验
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职称材料
声表面波滤波器温度敏感性仿真研究
10
作者
王吉芳
郑露
+7 位作者
陈平静
潘虹芝
杜雪松
董加和
陆川
陈正林
吴浩东
马晋毅
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024年第3期310-314,共5页
针对不同温度场情况下任意复杂膜系结构和电路拓扑结构的声表面波(SAW)滤波器的温度敏感性精确计算问题,首先将温度场以热应力、热应变的方式耦合声/电本征方程并考虑封装模型的电磁因素,再结合分层级联算法和全波仿真技术,计算任意复...
针对不同温度场情况下任意复杂膜系结构和电路拓扑结构的声表面波(SAW)滤波器的温度敏感性精确计算问题,首先将温度场以热应力、热应变的方式耦合声/电本征方程并考虑封装模型的电磁因素,再结合分层级联算法和全波仿真技术,计算任意复杂膜系结构和电路拓扑结构的SAW滤波器的温度敏感性,实现不同温度作用下SAW滤波器频率响应曲线、频率温度系数(TCF)值、损耗、带宽及带外抑制等性能的综合分析。通过41°Y-X LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si_poly/Si(111)复合衬底SAW滤波器的优化设计与研制,其设计优化结果与实验结果吻合较好,验证了该方法的有效性和可行性。
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关键词
温度敏感性
声表面波(SAW)滤波器
分层级联
全波仿真
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职称材料
汽车电子技术的发展与应用
被引量:
1
11
作者
李建成
张涛
《汽车维修技师》
2024年第16期40-41,共2页
本文主要论述了汽车电子技术的发展与应用。该研究的目的是更好地了解这项技术对汽车行业的影响。通过大量的文献研究和实际案例分析,全面研究了汽车电子技术的发展趋势和应用领域。研究结果表明,汽车电子技术在智能化、互联互通、车联...
本文主要论述了汽车电子技术的发展与应用。该研究的目的是更好地了解这项技术对汽车行业的影响。通过大量的文献研究和实际案例分析,全面研究了汽车电子技术的发展趋势和应用领域。研究结果表明,汽车电子技术在智能化、互联互通、车联网、绿色环保等方面取得了显著进展。其应用包括但不限于自动驾驶、智能驾驶辅助系统、车载娱乐系统等,可提高汽车的安全性、舒适性、节能性和环保性能。未来,汽车电子技术将不断发展,为人们带来更便捷、高效、安全的出行体验。
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关键词
汽车电子技术
智能化
舒适性
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职称材料
高性能声学滤波器技术研究进展
被引量:
8
12
作者
李晖
米佳
+2 位作者
胡少勤
李左翰
邱海莲
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020年第5期617-622,共6页
声学滤波器是当前射频前端模块中最核心元器件之一。随着第五代(5G)移动通信技术的深入推进,对滤波器的技术要求也不断提高。近年来,在一些新架构、新材料和先进建模技术的加持下,声学滤波器技术屡有突破,已研制出多种高性能声学滤波器...
声学滤波器是当前射频前端模块中最核心元器件之一。随着第五代(5G)移动通信技术的深入推进,对滤波器的技术要求也不断提高。近年来,在一些新架构、新材料和先进建模技术的加持下,声学滤波器技术屡有突破,已研制出多种高性能声学滤波器。该文对高性能声表面波(SAW)和声体波(BAW)滤波器技术(包括UltraSAW、LowDrift TM和NoDrift TM、I.H.P SAW、XBAR TM、XBAW滤波器等)的研究情况进行了介绍与评述。最后对未来声学滤波器将面临的技术问题做了简要总结。
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关键词
声学
声波
声表面波(SAW)
体声波(BAW)
滤波器
射频前端模块(RFFEM)
第五代移动通信技术(5G)
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职称材料
硅各向异性浅槽腐蚀实验研究
被引量:
4
13
作者
杨增涛
冷俊林
+4 位作者
梅勇
黄磊
杨正兵
李燕
刘晓莉
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011年第4期513-516,519,共5页
通过实验分析,对比了异丙醇(IPA)和超声波对Si(100)面在KOH溶液和四甲基氢氧化氨(TMAH)溶液中的浅槽腐蚀速率及其表面形态的影响。实验结果表明,IPA能降低TMAH溶液的腐蚀速率,但IPA在KOH溶液中腐蚀速率降低不明显;IPA加入到较高浓度的KO...
通过实验分析,对比了异丙醇(IPA)和超声波对Si(100)面在KOH溶液和四甲基氢氧化氨(TMAH)溶液中的浅槽腐蚀速率及其表面形态的影响。实验结果表明,IPA能降低TMAH溶液的腐蚀速率,但IPA在KOH溶液中腐蚀速率降低不明显;IPA加入到较高浓度的KOH溶液中,会在Si表面产生较大小丘,恶化了Si腐蚀表面的质量,但在TMAH溶液中加入一定量的IPA会改善腐蚀表面的质量;超声波能加快腐蚀速率并能改善Si腐蚀表面质量,但对于加入IPA的较高浓度KOH溶液,超声波未能消除Si腐蚀表面的小丘,另外,超声波还能减弱腐蚀过程中微尺寸沟槽的尺寸效应;在腐蚀条件和配比一定情况下,TMAH溶液的腐蚀质量比KOH溶液好。
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关键词
各向异性腐蚀
Si浅槽
KOH
四甲基氢氧化氨(TMAH)
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职称材料
亚微米间距PECVD填隙工艺研究
被引量:
1
14
作者
王学毅
王飞
+2 位作者
冉明
刘嵘侃
杨永晖
《微纳电子技术》
北大核心
2016年第1期60-63,共4页
将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金...
将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金属条间隙的空洞问题。实验结果表明,在尺寸大于0.5μm的金属条间隙中没有发现介质填充的空洞问题。空洞问题的解决,使得"三步填充法"的介质填充技术在工艺中能够实用化,并应用到亚微米多层金属布线工艺当中。
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关键词
等离子增强化学气相淀积(PECVD)
二氧化硅(SiO2)
反应离子刻蚀(RIE)
三步填充法
亚微米间隙
金属间介质(IMD)
空洞
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职称材料
锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展
被引量:
5
15
作者
李培
贺朝会
+3 位作者
郭红霞
张晋新
魏佳男
刘默寒
《太赫兹科学与电子信息学报》
2022年第6期523-534,共12页
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特...
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特征。本文详述了SiGeHBT的空间辐射效应研究现状,重点介绍了国产工艺SiGeHBT的单粒子效应、总剂量效应、低剂量率辐射损伤增强效应以及辐射协同效应的研究进展。研究表明,SiGeHBT作为双极晶体管的重要类型,普遍具有较好的抗总剂量和位移损伤效应的能力,但单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题。由于工艺的不同,国产SiGeHBT还表现出显著的低剂量率辐射损伤增强效应响应和辐射协同效应。
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关键词
锗硅异质结双极晶体管
单粒子效应
总剂量效应
低剂量率辐射损伤增强效应
电离总剂量/单粒子效应协同效应
电离总剂量/位移损伤协同效应
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职称材料
运算放大器SET效应的试验研究
被引量:
1
16
作者
封国强
胡永贵
+4 位作者
王健安
黄建国
马英起
韩建伟
张振龙
《空间科学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期170-175,共6页
模拟器件的单粒子瞬态脉冲效应的研究,成为近来国际上单粒子效应研究的热点.针对中国生产的运算放大器SF3503,利用脉冲激光单粒子效应测试装置,试验研究了SF3503工作于反相放大器与电压比较器模式SET效应的特征与规律.获取了器件的敏感...
模拟器件的单粒子瞬态脉冲效应的研究,成为近来国际上单粒子效应研究的热点.针对中国生产的运算放大器SF3503,利用脉冲激光单粒子效应测试装置,试验研究了SF3503工作于反相放大器与电压比较器模式SET效应的特征与规律.获取了器件的敏感节点分布、LET阈值和SET脉冲波形的特征参数,其中器件的敏感节点均分布在输入级与放大级,LET阈值不大于1.2 MeV·cm~·mg^(-1),电压比较器产生的最大SET脉冲的幅度达27V、脉冲宽度为51μs.试验表明SF3503对SET效应极其敏感,在不采取任何措施的情况下,在空间任务中直接使用,会严重影响系统的可靠性.
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关键词
运算放大器
单粒子瞬态脉冲
脉冲激光
敏感节点
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职称材料
微型生化分析仪样品室温度控制系统研究
被引量:
3
17
作者
李东玲
温志渝
冯小飞
《信息技术》
2008年第4期30-32,共3页
结合微型生化分析仪样品室的要求,设计了一种基于单片机的微型生化分析仪样品室温度控制系统。它以AT89S51为核心,采用单总线高精度数字温度传感器DS18B20对样品室温度采样,同时利用汇编语言编写温度设定与控制程序,采用半导体制冷的方...
结合微型生化分析仪样品室的要求,设计了一种基于单片机的微型生化分析仪样品室温度控制系统。它以AT89S51为核心,采用单总线高精度数字温度传感器DS18B20对样品室温度采样,同时利用汇编语言编写温度设定与控制程序,采用半导体制冷的方式,实现了温度在25℃、30℃、32℃和37℃四个温度值的稳定,控制精度达±0.5℃。
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关键词
微型生化分析仪
温度控制
DS18820
半导体制冷
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职称材料
纳米电子学
被引量:
3
18
作者
郭树田
《微纳电子技术》
CAS
2004年第3期6-13,24,共9页
纳米电子学是纳米技术的重要科学基础,纳米电子学将成为21世纪信息时代的科学核心,将使未来社会产生重大变革。本文介绍了纳米电子学的基本概念、纳米电子学的产生、纳米电子学的研究内容、纳米器件的基本结构及工作机理、纳米结构的微...
纳米电子学是纳米技术的重要科学基础,纳米电子学将成为21世纪信息时代的科学核心,将使未来社会产生重大变革。本文介绍了纳米电子学的基本概念、纳米电子学的产生、纳米电子学的研究内容、纳米器件的基本结构及工作机理、纳米结构的微加工技术、纳米结构的检测与表征、纳米电子学的应用及发展对策。
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关键词
纳米电子学
集成电路
纳米结构
应用
微电子技术
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职称材料
一种宽输入电压范围反激电源的研究与设计
被引量:
8
19
作者
李文豪
廖建军
《电子与封装》
2018年第11期18-21,共4页
当前针对小功率开关电源输入宽电压范围、输出高电压的要求日趋普遍。实现高压输出的方式很多,但电源产品研发需要综合考虑性能、可靠性、可生产性及成本等多方面因素。着重介绍一种采用双绕组变压器的电源设计思路,每个绕组分别整流后...
当前针对小功率开关电源输入宽电压范围、输出高电压的要求日趋普遍。实现高压输出的方式很多,但电源产品研发需要综合考虑性能、可靠性、可生产性及成本等多方面因素。着重介绍一种采用双绕组变压器的电源设计思路,每个绕组分别整流后再叠加升压,以此获得直流高压输出。分析了该方法在器件选择、频率设定以及电路体积重量等方面的优势。最后运用该方案研制了一款电路,通过仿真和实测结果表明设计满足要求。
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关键词
高效率
反激
双绕组变压器
叠加倍压
TL431
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职称材料
一种高速互连通道的信号完整性仿真研究
被引量:
9
20
作者
滕丽
《电子与封装》
2018年第12期37-40,共4页
对高速互连通道的信号完整性问题进行了研究,着重以数字激励源与D/A转换器评估板互连通道为例,分别对组成高速互连通道的微带线、过孔进行了建模分析。同时创建了整个高速互连通道的仿真模型,对高速互连通道的时域响应进行仿真,生成数...
对高速互连通道的信号完整性问题进行了研究,着重以数字激励源与D/A转换器评估板互连通道为例,分别对组成高速互连通道的微带线、过孔进行了建模分析。同时创建了整个高速互连通道的仿真模型,对高速互连通道的时域响应进行仿真,生成数据眼图,通过数据眼图评估传输通道的信号质量。
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关键词
信号完整性
高速互连通道
微带线
过孔
眼图
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职称材料
题名
ICP刻蚀Mo侧壁角度及刻蚀速率的研究
1
作者
田本朗
梁柳洪
何成勇
罗淦
郭耀祖
米佳
机构
中国
电子科技
集团公司
第二
十六
研究所
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《压电与声光》
北大核心
2025年第1期59-62,共4页
文摘
采用基于Cl基气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀设备对金属Mo薄膜进行刻蚀,研究了刻蚀条件对侧壁角度以及刻蚀速率的控制。通过调节ICP干法刻蚀过程中射频源功率、ICP离子源功率、腔体压力、混合气体流量比例等工艺参数,实现了14.8°~85.0°图形侧壁倾角,表明图形侧壁角度可在大范围内得到控制,刻蚀速率可在148~232 nm/min调节,为薄膜体声波谐振器(FBAR)器件研制工艺打下良好基础。
关键词
电感耦合等离子体(ICP)
MO
薄膜体声波谐振器(FBAR)
侧壁角度
刻蚀速率
Keywords
inductively coupled plasma
molybdenum
film bulk acoustic resonator
sidewall profile
etch rate
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
中美纳电子技术发展对比研究(续)
被引量:
1
2
作者
郭树田
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2006年第9期405-413,419,共10页
关键词
电子技术
美国政府
纳米技术
NNI计划
日本政府
西欧国家
澳大利亚
政府投入
分类号
TN-4 [电子电信]
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职称材料
题名
中美纳电子技术发展对比研究
被引量:
1
3
作者
郭树田
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2006年第8期357-360,共4页
文摘
以见诸报道的资料为基础,对中美纳电子技术的国家发展计划、经费支持、纳电子技术的成果、发展现状及应用等方面进行了对比;针对中美纳电子技术间存在的差距,对我国如何发展纳电子技术提出建议。
关键词
纳电子技术
策略
电子学
Keywords
nano-electronic technology
tactic
electronics
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
导电胶加速寿命模型评价方法研究
4
作者
文科
谭骁洪
邢宗锋
罗俊
余航
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《电子与封装》
2024年第9期85-88,共4页
文摘
简要介绍了导电胶的失效模式和机理,设计加速寿命试验对导电胶工艺可靠性开展研究,选取导电胶工艺中的关键参数进行正交试验,确定温度应力作为导电胶贴装失效的加速应力。采用定时截尾方法进行试验,利用Arrhenius模型对试验结果进行分析,建立导电胶加速寿命可靠性评价模型,最终完成了对导电胶加速寿命可靠性模型的评价,为导电胶工艺在半导体集成电路中的应用和可靠性改进提供依据。
关键词
导电胶工艺
加速寿命
正交试验
可靠性
Keywords
conductive adhesive process
accelerated life
orthogonal test
reliability
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
X波段GaAs MMIC低噪声放大器设计研究
5
作者
王国强
蒲颜
万瑞捷
聂荣邹
朱海
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《电声技术》
2024年第2期116-118,共3页
文摘
文章针对雷达和卫星通信等微波系统需求,设计一种X波段GaAs单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)低噪声放大器。该电路为两级放大器级联结构,采用自偏置电路结构,实现单电源3.5 V供电。通过电感峰化和宽带匹配等技术实现X波段的工作频率全覆盖,并实现较低的噪声系数。测试结果表明,在8~12 GHz频率范围内,低噪声放大器功率增益大于23 dB,噪声系数小于1.7 dB,输出1 dB压缩点功率大于13 dBm。
关键词
低噪声放大器
X波段
单片微波集成电路(MMIC)
Keywords
low noise amplifier
X band
Monolithic Microwave Integrated Circuit(MMIC)
分类号
TN912.2 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
抗辐照电源监控电路的极限评估试验研究
6
作者
文科
文闻
钟昂
余航
罗俊
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《电子与封装》
2024年第11期33-40,共8页
文摘
基于国内某款抗辐照电源监控电路开展了极限评估研究,分析该款产品的详细规范、核心参数、极限判据等内容。通过设计步进应力试验、寿命试验、辐照试验等,评估电路在电、热、机械等应力下的极限能力和失效模式,并对极限评估的方案有效性进行了验证。试验结果表明,设计的极限评估方案能够有效反映器件在各种极限条件下的性能,通过试验可以查出器件的设计薄弱环节和失效模式,为器件在设计、工艺以及材料方面的优化提供支撑。
关键词
极限评估
电源监控
失效模式
Keywords
limit evaluation
power monitoring
failure mode
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
创新链视角下的美国微电子领域政策布局
7
作者
毛海燕
王天宇
王鹏
机构
中国
电子科技
集团公司
第二
十六
研究所
中电科芯片技术(
集团
)有限
公司
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《国防科技》
2024年第6期26-33,共8页
文摘
研究美国微电子政策布局,有利于明确美微电子政策的协同性特征,为我国应对相关政策影响及自身政策规划提供有效参考。运用创新链理论,梳理美国在微电子领域的政策布局情况,明确政策对应主体与采取手段,并总结政策的布局特征。微电子作为支撑社会发展的基础性产业,对确保国家经济稳健与保证国防安全至关重要。当前美国在微电子领域的政策已覆盖全创新链,呈现出多主体间的协同特征以及对于高弹性本土创新链、产业链的建设需求,强调通过多方协同继续保持美国在微电子领域的领先优势。
关键词
政策布局
创新链
微电子产业政策
Keywords
policies
innovation chain
microelectronics policies
分类号
N01 [自然科学总论—科学技术哲学]
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职称材料
题名
军用电子元器件可靠性强化试验的可行性研究
被引量:
6
8
作者
朱朝轩
罗俊
林震
吴兆希
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
中国
电子科技
集团公司
第二
十六
研究所
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2018年第4期40-43,共4页
文摘
基于可靠性强化试验的原理和特点,对军用电子元器件的可靠性强化试验的可行性进行了分析。根据可靠性强化试验技术及其特点,分析了军用电子元器件可靠性强化试验的试验应力的选择、试验剖面的建立、敏感参数的在线测试和测试夹具的开发等关键技术,以阐述军用元器件可靠性强化试验的可行性,并且提出了对军用元器件进行可靠性强化试验的实施方案和基本实施流程。
关键词
军用电子元器件
可靠性强化试验
可行性
试验应力
试验剖面
敏感参数
试验夹具
Keywords
military electronic component
reliability enhancement test
feasibility
test stress
test section
sensitive parameter
test fixture
分类号
TB114.37 [理学—概率论与数理统计]
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职称材料
题名
电子元器件质量与可靠性技术及其研究进展
被引量:
12
9
作者
罗雨薇
李晓红
机构
中电
科技
集团
重庆声光电有限
公司
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2021年第6期84-91,共8页
文摘
作为高技术战争和电子战的重点,电子元器件是武器装备向电子化、自动化、智能化发展不可或缺的基本所在。其质量和可靠性受到了世界各国的重视。首先,简单地回顾了国内外电子元器件质量与可靠性技术的发展现状;然后,对可靠性设计、试验、分析和评价技术逐一作了介绍;最后,对近年来出现的新型元器件及其可靠性技术的研究方向和发展趋势进行了概述。
关键词
电子元器件
可靠性设计
可靠性分析
寿命试验
Keywords
electronic component
reliability design
reliability analysis
life test
分类号
TB114.3 [理学—概率论与数理统计]
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职称材料
题名
声表面波滤波器温度敏感性仿真研究
10
作者
王吉芳
郑露
陈平静
潘虹芝
杜雪松
董加和
陆川
陈正林
吴浩东
马晋毅
机构
中国
电子科技
集团公司
第二
十六
研究所
重庆医药高等专科学校
模拟集成电路国家重点实验室
南京大学声学科学与工程系教育部近代声学重点实验室
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024年第3期310-314,共5页
基金
重庆市教委科学技术研究项目(KJQN202302803)。
文摘
针对不同温度场情况下任意复杂膜系结构和电路拓扑结构的声表面波(SAW)滤波器的温度敏感性精确计算问题,首先将温度场以热应力、热应变的方式耦合声/电本征方程并考虑封装模型的电磁因素,再结合分层级联算法和全波仿真技术,计算任意复杂膜系结构和电路拓扑结构的SAW滤波器的温度敏感性,实现不同温度作用下SAW滤波器频率响应曲线、频率温度系数(TCF)值、损耗、带宽及带外抑制等性能的综合分析。通过41°Y-X LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si_poly/Si(111)复合衬底SAW滤波器的优化设计与研制,其设计优化结果与实验结果吻合较好,验证了该方法的有效性和可行性。
关键词
温度敏感性
声表面波(SAW)滤波器
分层级联
全波仿真
Keywords
temperature sensitivity
SAW filters
hierarchical cascade
full-wave simulation
分类号
TN65 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
汽车电子技术的发展与应用
被引量:
1
11
作者
李建成
张涛
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《汽车维修技师》
2024年第16期40-41,共2页
文摘
本文主要论述了汽车电子技术的发展与应用。该研究的目的是更好地了解这项技术对汽车行业的影响。通过大量的文献研究和实际案例分析,全面研究了汽车电子技术的发展趋势和应用领域。研究结果表明,汽车电子技术在智能化、互联互通、车联网、绿色环保等方面取得了显著进展。其应用包括但不限于自动驾驶、智能驾驶辅助系统、车载娱乐系统等,可提高汽车的安全性、舒适性、节能性和环保性能。未来,汽车电子技术将不断发展,为人们带来更便捷、高效、安全的出行体验。
关键词
汽车电子技术
智能化
舒适性
分类号
U46 [机械工程—车辆工程]
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职称材料
题名
高性能声学滤波器技术研究进展
被引量:
8
12
作者
李晖
米佳
胡少勤
李左翰
邱海莲
机构
中国
电子科技
集团公司
第二
十六
研究所
中国电子科技集团公司第二十四研究所
云南省机电一体化应用技术重点实验室云南省先进制造技术
研究
中心
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020年第5期617-622,共6页
文摘
声学滤波器是当前射频前端模块中最核心元器件之一。随着第五代(5G)移动通信技术的深入推进,对滤波器的技术要求也不断提高。近年来,在一些新架构、新材料和先进建模技术的加持下,声学滤波器技术屡有突破,已研制出多种高性能声学滤波器。该文对高性能声表面波(SAW)和声体波(BAW)滤波器技术(包括UltraSAW、LowDrift TM和NoDrift TM、I.H.P SAW、XBAR TM、XBAW滤波器等)的研究情况进行了介绍与评述。最后对未来声学滤波器将面临的技术问题做了简要总结。
关键词
声学
声波
声表面波(SAW)
体声波(BAW)
滤波器
射频前端模块(RFFEM)
第五代移动通信技术(5G)
Keywords
acoustic
acoustic wave
surface acoustic wave(SAW)
bulk acoustic wave(BAW)
filter
radio frequency front end module(RFFEM)
5th generation mobile communication technology(5G)
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
硅各向异性浅槽腐蚀实验研究
被引量:
4
13
作者
杨增涛
冷俊林
梅勇
黄磊
杨正兵
李燕
刘晓莉
机构
中国
电子科技
集团公司
第
模拟集成电路国家重点实验室
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011年第4期513-516,519,共5页
文摘
通过实验分析,对比了异丙醇(IPA)和超声波对Si(100)面在KOH溶液和四甲基氢氧化氨(TMAH)溶液中的浅槽腐蚀速率及其表面形态的影响。实验结果表明,IPA能降低TMAH溶液的腐蚀速率,但IPA在KOH溶液中腐蚀速率降低不明显;IPA加入到较高浓度的KOH溶液中,会在Si表面产生较大小丘,恶化了Si腐蚀表面的质量,但在TMAH溶液中加入一定量的IPA会改善腐蚀表面的质量;超声波能加快腐蚀速率并能改善Si腐蚀表面质量,但对于加入IPA的较高浓度KOH溶液,超声波未能消除Si腐蚀表面的小丘,另外,超声波还能减弱腐蚀过程中微尺寸沟槽的尺寸效应;在腐蚀条件和配比一定情况下,TMAH溶液的腐蚀质量比KOH溶液好。
关键词
各向异性腐蚀
Si浅槽
KOH
四甲基氢氧化氨(TMAH)
Keywords
anisotropic etching
silicon shallow trend
KOH
TMAH
分类号
TM28 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
亚微米间距PECVD填隙工艺研究
被引量:
1
14
作者
王学毅
王飞
冉明
刘嵘侃
杨永晖
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
重庆中科渝芯
电子
有限
公司
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2016年第1期60-63,共4页
文摘
将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金属条间隙的空洞问题。实验结果表明,在尺寸大于0.5μm的金属条间隙中没有发现介质填充的空洞问题。空洞问题的解决,使得"三步填充法"的介质填充技术在工艺中能够实用化,并应用到亚微米多层金属布线工艺当中。
关键词
等离子增强化学气相淀积(PECVD)
二氧化硅(SiO2)
反应离子刻蚀(RIE)
三步填充法
亚微米间隙
金属间介质(IMD)
空洞
Keywords
plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)
SiO2
reactive ion etching(RIE)
three-step method
submicron gap
intermetal dielectric(IMD)
void
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展
被引量:
5
15
作者
李培
贺朝会
郭红霞
张晋新
魏佳男
刘默寒
机构
西安交通大学核科学与技术学院
西北核技术
研究
院
西安
电子科技
大学空间科学与技术学院
模拟集成电路国家重点实验室
中国
科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
出处
《太赫兹科学与电子信息学报》
2022年第6期523-534,共12页
基金
国家自然科学基金资助项目(12005159)
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题资助项目(SKLIPR2010)。
文摘
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特征。本文详述了SiGeHBT的空间辐射效应研究现状,重点介绍了国产工艺SiGeHBT的单粒子效应、总剂量效应、低剂量率辐射损伤增强效应以及辐射协同效应的研究进展。研究表明,SiGeHBT作为双极晶体管的重要类型,普遍具有较好的抗总剂量和位移损伤效应的能力,但单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题。由于工艺的不同,国产SiGeHBT还表现出显著的低剂量率辐射损伤增强效应响应和辐射协同效应。
关键词
锗硅异质结双极晶体管
单粒子效应
总剂量效应
低剂量率辐射损伤增强效应
电离总剂量/单粒子效应协同效应
电离总剂量/位移损伤协同效应
Keywords
SiGe heterojunction bipolar transistors
Single Event Effects
Total Ionizing Dose effect
Enhanced Low Dose Rate Sensitivity
synergistic effect of total ionizing dose and single event effect
synergistic effects of ionizing dose and displacement damage
分类号
TN325 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
运算放大器SET效应的试验研究
被引量:
1
16
作者
封国强
胡永贵
王健安
黄建国
马英起
韩建伟
张振龙
机构
中国
科学院空间科学与应用
研究
中心
中国电子科技集团公司第二十四研究所
模拟集成电路国家级重点实验室
出处
《空间科学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期170-175,共6页
基金
重庆市科技计划项目资助(2007AC2062)
文摘
模拟器件的单粒子瞬态脉冲效应的研究,成为近来国际上单粒子效应研究的热点.针对中国生产的运算放大器SF3503,利用脉冲激光单粒子效应测试装置,试验研究了SF3503工作于反相放大器与电压比较器模式SET效应的特征与规律.获取了器件的敏感节点分布、LET阈值和SET脉冲波形的特征参数,其中器件的敏感节点均分布在输入级与放大级,LET阈值不大于1.2 MeV·cm~·mg^(-1),电压比较器产生的最大SET脉冲的幅度达27V、脉冲宽度为51μs.试验表明SF3503对SET效应极其敏感,在不采取任何措施的情况下,在空间任务中直接使用,会严重影响系统的可靠性.
关键词
运算放大器
单粒子瞬态脉冲
脉冲激光
敏感节点
Keywords
Operational amplifier
Single Event Transient(SET)
Pulsed laser
Sensitive nodes
分类号
TN722.77 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
微型生化分析仪样品室温度控制系统研究
被引量:
3
17
作者
李东玲
温志渝
冯小飞
机构
重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《信息技术》
2008年第4期30-32,共3页
基金
国际科技合作重点项目(2004DFA00600)
重庆市科技创新能力建设项目(CSTC
2004CB4003)
文摘
结合微型生化分析仪样品室的要求,设计了一种基于单片机的微型生化分析仪样品室温度控制系统。它以AT89S51为核心,采用单总线高精度数字温度传感器DS18B20对样品室温度采样,同时利用汇编语言编写温度设定与控制程序,采用半导体制冷的方式,实现了温度在25℃、30℃、32℃和37℃四个温度值的稳定,控制精度达±0.5℃。
关键词
微型生化分析仪
温度控制
DS18820
半导体制冷
Keywords
miniature biochemical analyzer
temperature control
DS18B20
semiconductor refrigeration
分类号
TP368.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
纳米电子学
被引量:
3
18
作者
郭树田
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2004年第3期6-13,24,共9页
文摘
纳米电子学是纳米技术的重要科学基础,纳米电子学将成为21世纪信息时代的科学核心,将使未来社会产生重大变革。本文介绍了纳米电子学的基本概念、纳米电子学的产生、纳米电子学的研究内容、纳米器件的基本结构及工作机理、纳米结构的微加工技术、纳米结构的检测与表征、纳米电子学的应用及发展对策。
关键词
纳米电子学
集成电路
纳米结构
应用
微电子技术
Keywords
nanoelectronics
nanotechnology
micrelectronic technology
IC
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种宽输入电压范围反激电源的研究与设计
被引量:
8
19
作者
李文豪
廖建军
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《电子与封装》
2018年第11期18-21,共4页
文摘
当前针对小功率开关电源输入宽电压范围、输出高电压的要求日趋普遍。实现高压输出的方式很多,但电源产品研发需要综合考虑性能、可靠性、可生产性及成本等多方面因素。着重介绍一种采用双绕组变压器的电源设计思路,每个绕组分别整流后再叠加升压,以此获得直流高压输出。分析了该方法在器件选择、频率设定以及电路体积重量等方面的优势。最后运用该方案研制了一款电路,通过仿真和实测结果表明设计满足要求。
关键词
高效率
反激
双绕组变压器
叠加倍压
TL431
Keywords
high efficiency
flyback
double-column transformer
superimposed voltage-doubling
TL431
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种高速互连通道的信号完整性仿真研究
被引量:
9
20
作者
滕丽
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《电子与封装》
2018年第12期37-40,共4页
文摘
对高速互连通道的信号完整性问题进行了研究,着重以数字激励源与D/A转换器评估板互连通道为例,分别对组成高速互连通道的微带线、过孔进行了建模分析。同时创建了整个高速互连通道的仿真模型,对高速互连通道的时域响应进行仿真,生成数据眼图,通过数据眼图评估传输通道的信号质量。
关键词
信号完整性
高速互连通道
微带线
过孔
眼图
Keywords
signal integrity
high-speed interconnection channel
microstrip line
via
eye diagram
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ICP刻蚀Mo侧壁角度及刻蚀速率的研究
田本朗
梁柳洪
何成勇
罗淦
郭耀祖
米佳
《压电与声光》
北大核心
2025
0
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职称材料
2
中美纳电子技术发展对比研究(续)
郭树田
《微纳电子技术》
CAS
2006
1
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职称材料
3
中美纳电子技术发展对比研究
郭树田
《微纳电子技术》
CAS
2006
1
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职称材料
4
导电胶加速寿命模型评价方法研究
文科
谭骁洪
邢宗锋
罗俊
余航
《电子与封装》
2024
0
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职称材料
5
X波段GaAs MMIC低噪声放大器设计研究
王国强
蒲颜
万瑞捷
聂荣邹
朱海
《电声技术》
2024
0
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职称材料
6
抗辐照电源监控电路的极限评估试验研究
文科
文闻
钟昂
余航
罗俊
《电子与封装》
2024
0
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职称材料
7
创新链视角下的美国微电子领域政策布局
毛海燕
王天宇
王鹏
《国防科技》
2024
0
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职称材料
8
军用电子元器件可靠性强化试验的可行性研究
朱朝轩
罗俊
林震
吴兆希
《电子产品可靠性与环境试验》
2018
6
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职称材料
9
电子元器件质量与可靠性技术及其研究进展
罗雨薇
李晓红
《电子产品可靠性与环境试验》
2021
12
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职称材料
10
声表面波滤波器温度敏感性仿真研究
王吉芳
郑露
陈平静
潘虹芝
杜雪松
董加和
陆川
陈正林
吴浩东
马晋毅
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024
0
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职称材料
11
汽车电子技术的发展与应用
李建成
张涛
《汽车维修技师》
2024
1
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职称材料
12
高性能声学滤波器技术研究进展
李晖
米佳
胡少勤
李左翰
邱海莲
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020
8
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职称材料
13
硅各向异性浅槽腐蚀实验研究
杨增涛
冷俊林
梅勇
黄磊
杨正兵
李燕
刘晓莉
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011
4
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职称材料
14
亚微米间距PECVD填隙工艺研究
王学毅
王飞
冉明
刘嵘侃
杨永晖
《微纳电子技术》
北大核心
2016
1
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职称材料
15
锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展
李培
贺朝会
郭红霞
张晋新
魏佳男
刘默寒
《太赫兹科学与电子信息学报》
2022
5
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职称材料
16
运算放大器SET效应的试验研究
封国强
胡永贵
王健安
黄建国
马英起
韩建伟
张振龙
《空间科学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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职称材料
17
微型生化分析仪样品室温度控制系统研究
李东玲
温志渝
冯小飞
《信息技术》
2008
3
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职称材料
18
纳米电子学
郭树田
《微纳电子技术》
CAS
2004
3
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职称材料
19
一种宽输入电压范围反激电源的研究与设计
李文豪
廖建军
《电子与封装》
2018
8
在线阅读
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职称材料
20
一种高速互连通道的信号完整性仿真研究
滕丽
《电子与封装》
2018
9
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职称材料
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