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941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列
被引量：
4
1
作者
辛国锋
花吉珍
+4 位作者
陈国鹰
康志龙
杨鹏
徐会武
安振峰
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期521-524,共4页
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半...
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为 94 0 .5nm ,光谱的FWHM为 2 .6nm ,在 4 0 0 μs ,5 0Hz的输入电流下 ,输出峰值功率达到1 1 4 .7W(1 6 5A) ,斜率效率高达 0 .81W/A ,阈值电流密度为 1 0 3.7A/cm2 ,串联电阻 5mΩ ,最高转换效率可达 36 .9%
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关键词
金属有机化合物气相淀积
半导体激光器阵列
分别限制结构
单量子阱
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职称材料
题名
941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列
被引量：
4
1
作者
辛国锋
花吉珍
陈国鹰
康志龙
杨鹏
徐会武
安振峰
机构
河北工业大学信息工程学院微
电子
所
中国电子科技集团公司电子第十三研究所光电专业部
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期521-524,共4页
基金
河北省科技攻关项目 (编号 :0 32 1 35 4 0D)
河北省自然科学基金 (编号 :6 0 30 80 )项目
文摘
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为 94 0 .5nm ,光谱的FWHM为 2 .6nm ,在 4 0 0 μs ,5 0Hz的输入电流下 ,输出峰值功率达到1 1 4 .7W(1 6 5A) ,斜率效率高达 0 .81W/A ,阈值电流密度为 1 0 3.7A/cm2 ,串联电阻 5mΩ ,最高转换效率可达 36 .9%
关键词
金属有机化合物气相淀积
半导体激光器阵列
分别限制结构
单量子阱
Keywords
Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)
Semiconductor laser array
Separate confinement heterostructure
Single quantum well
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列
辛国锋
花吉珍
陈国鹰
康志龙
杨鹏
徐会武
安振峰
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
4
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