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Ga_(x)In_(1-x)P氢化物气相外延制备工艺及性能研究进展
1
作者
张嵩
程文涛
+4 位作者
王健
程红娟
闫礼
孙科伟
董增印
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第4期266-273,共8页
对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体Ga_(x)In_(1-x)P材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述,重点介绍了Ga_(x)In_(1-x)P材料的氢化物气相外延(HVPE)制备工艺对Ga_(x)In_(1-x)P外延层质量和Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池性能的影响,并对国外研...
对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体Ga_(x)In_(1-x)P材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述,重点介绍了Ga_(x)In_(1-x)P材料的氢化物气相外延(HVPE)制备工艺对Ga_(x)In_(1-x)P外延层质量和Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池性能的影响,并对国外研究中用于制备Ga_(x)In_(1-x)P材料的垂直和水平HVPE结构设计、外延的原理和工艺改进、Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池的结构等对外延层质量和相关器件性能的影响进行了评述,总结了近年来HVPE法制备Ga_(x)In_(1-x)P材料在太阳电池领域的研究进展,HVPE有望代替MOCVD而成为Ga_(x)In_(1-x)P的主流制备工艺。最后,对HVPE法制备Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池的研究成果和难点以及未来研究的重点进行了总结,并对国内在该领域的研究工作指明了方向。
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关键词
Ⅲ-Ⅴ族化合物
Ga_(x)In_(1-x)P
氢化物气相外延(HVPE)
外延层
太阳电池
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职称材料
NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比对HVPE生长GaN薄膜的影响
2
作者
潘大力
杨瑞霞
+1 位作者
张嵩
董增印
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第2期152-157,共6页
氢化物气相外延(HVPE)法具有生长成本低、生长条件温和、生长速率快等优点,被认为是生长高质量GaN单晶衬底的最有潜力的方法。为了优化HVPE生长GaN的条件,通过改变NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比(NH3流量与HCl流量之比)。通过建立简单的生长模型,...
氢化物气相外延(HVPE)法具有生长成本低、生长条件温和、生长速率快等优点,被认为是生长高质量GaN单晶衬底的最有潜力的方法。为了优化HVPE生长GaN的条件,通过改变NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比(NH3流量与HCl流量之比)。通过建立简单的生长模型,对不同Ⅴ/Ⅲ比下GaN薄膜形态变化的机理进行了分析,研究了HVPE生长过程中氮源(Ⅴ族)和镓源(Ⅲ族)不同流量比对结晶质量和表面形貌的影响。实验结果表明,低Ⅴ/Ⅲ比会导致成核密度低,岛状晶胞难以合并;高Ⅴ/Ⅲ比会降低表面Ga原子的迁移率,导致表面高度差异大,结晶质量差。与Ⅴ/Ⅲ比为15.000和28.125相比,Ⅴ/Ⅲ比为21.250时更适合GaN薄膜生长,得到的晶体质量最高。
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关键词
GAN
氢化物气相外延(HVPE)
Ⅴ/Ⅲ比
NH3流量
形态变化模型
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职称材料
题名
Ga_(x)In_(1-x)P氢化物气相外延制备工艺及性能研究进展
1
作者
张嵩
程文涛
王健
程红娟
闫礼
孙科伟
董增印
机构
中国
电子科技
集团公司
第四十六研究所
中国电子科技集团公司新型半导体晶体材料技术重点实验室
中国
电子科技
集团公司
第十八研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第4期266-273,共8页
基金
重点实验室基金一般项目(61428080107)。
文摘
对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体Ga_(x)In_(1-x)P材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述,重点介绍了Ga_(x)In_(1-x)P材料的氢化物气相外延(HVPE)制备工艺对Ga_(x)In_(1-x)P外延层质量和Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池性能的影响,并对国外研究中用于制备Ga_(x)In_(1-x)P材料的垂直和水平HVPE结构设计、外延的原理和工艺改进、Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池的结构等对外延层质量和相关器件性能的影响进行了评述,总结了近年来HVPE法制备Ga_(x)In_(1-x)P材料在太阳电池领域的研究进展,HVPE有望代替MOCVD而成为Ga_(x)In_(1-x)P的主流制备工艺。最后,对HVPE法制备Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池的研究成果和难点以及未来研究的重点进行了总结,并对国内在该领域的研究工作指明了方向。
关键词
Ⅲ-Ⅴ族化合物
Ga_(x)In_(1-x)P
氢化物气相外延(HVPE)
外延层
太阳电池
Keywords
Ⅲ-Ⅴcompound
Ga_(x)In_(1-x)P
hydride vapor phase epitaxy(HVPE)
epitaxial layer
solar cell
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比对HVPE生长GaN薄膜的影响
2
作者
潘大力
杨瑞霞
张嵩
董增印
机构
河北工业大学
电子
信息工程学院
中国
电子科技
集团公司
第四十六研究所
中国电子科技集团公司新型半导体晶体材料技术重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第2期152-157,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61774054)。
文摘
氢化物气相外延(HVPE)法具有生长成本低、生长条件温和、生长速率快等优点,被认为是生长高质量GaN单晶衬底的最有潜力的方法。为了优化HVPE生长GaN的条件,通过改变NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比(NH3流量与HCl流量之比)。通过建立简单的生长模型,对不同Ⅴ/Ⅲ比下GaN薄膜形态变化的机理进行了分析,研究了HVPE生长过程中氮源(Ⅴ族)和镓源(Ⅲ族)不同流量比对结晶质量和表面形貌的影响。实验结果表明,低Ⅴ/Ⅲ比会导致成核密度低,岛状晶胞难以合并;高Ⅴ/Ⅲ比会降低表面Ga原子的迁移率,导致表面高度差异大,结晶质量差。与Ⅴ/Ⅲ比为15.000和28.125相比,Ⅴ/Ⅲ比为21.250时更适合GaN薄膜生长,得到的晶体质量最高。
关键词
GAN
氢化物气相外延(HVPE)
Ⅴ/Ⅲ比
NH3流量
形态变化模型
Keywords
GaN
hydride vapor phase epitaxy(HVPE)
Ⅴ/Ⅲratio
NH3 flow rate
morphological change model
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ga_(x)In_(1-x)P氢化物气相外延制备工艺及性能研究进展
张嵩
程文涛
王健
程红娟
闫礼
孙科伟
董增印
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比对HVPE生长GaN薄膜的影响
潘大力
杨瑞霞
张嵩
董增印
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
0
在线阅读
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职称材料
已选择
0
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