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基于IMM的高脉冲重复频率雷达解距离模糊方法
被引量：
10
1
作者
王娜
谭顺成
+1 位作者
王国宏
刘兆磊
《系统工程与电子技术》
EI
CSCD
北大核心
2011年第9期1970-1977,共8页
针对高脉冲重复频率(high pulse-repetition frequency,HPRF)雷达多假设解距离模糊方法在模糊区间发生变化时会出现解距离模糊错误的现象,提出一种基于交互式多模型(interacting multiple model,IMM)的混合滤波解距离模糊方法。通过把...
针对高脉冲重复频率(high pulse-repetition frequency,HPRF)雷达多假设解距离模糊方法在模糊区间发生变化时会出现解距离模糊错误的现象,提出一种基于交互式多模型(interacting multiple model,IMM)的混合滤波解距离模糊方法。通过把脉冲间隔数和脉冲间隔变化量作为目标待估计状态,对离散的脉冲间隔数、间隔变化量和连续的目标状态(径向距离和速度)进行混合滤波,从而将解距离模糊转换为混合滤波问题。仿真结果表明,在第一个驻留时间内,在两帧以上同时检测到目标和只有一帧检测到目标两种情况下,该方法均可以克服现有多假设方法的不足,随着模糊区间的变化,正确地解距离模糊。
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关键词
高脉冲重复频率
距离模糊
交互式多模型
混合滤波
脉冲间隔数
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职称材料
无压烧结银-镍互连IGBT电源模块的力、热和电性能
2
作者
王美玉
梅云辉
+1 位作者
李欣
郝柏森
《电源学报》
CSCD
北大核心
2023年第1期195-201,共7页
作为一种应用广泛的基板金属镀层,镍在烧结过程中易发生氧化,形成烧结银-镍高性能互连接头较为困难,相关研究报道较少。提出了一种多尺度银焊膏互连材料和烧结银-镍无压互连工艺,研究了在220~300℃烧结10~60 min对烧结银-镍互连封装的I...
作为一种应用广泛的基板金属镀层,镍在烧结过程中易发生氧化,形成烧结银-镍高性能互连接头较为困难,相关研究报道较少。提出了一种多尺度银焊膏互连材料和烧结银-镍无压互连工艺,研究了在220~300℃烧结10~60 min对烧结银-镍互连封装的IGBT电源模块的力、热和电性能的影响。研究结果表明:得益于多尺度银焊膏的致密堆积烧结,在270~300℃高温烧结30~60 min时镍氧化减缓,在270℃无压烧结30 min互连的芯片抗剪切强度在40 MPa以上,热阻和静态电特性与仿真结果和IGBT芯片数据手册差异性<0.5%,表明无压烧结银-镍互连IGBT芯片具有较高的连接强度、导热和导电性能,可以满足半导体电源模块的互连封装要求。
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关键词
半导体封装
IGBT电源模块
镀镍基板
无压低温烧结银
多尺度银焊膏
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职称材料
题名
基于IMM的高脉冲重复频率雷达解距离模糊方法
被引量：
10
1
作者
王娜
谭顺成
王国宏
刘兆磊
机构
海军航空工程学院信息融合
技术
研究所
中国
人民解放军
中国电子科技集团公司南京电子技术研究所
出处
《系统工程与电子技术》
EI
CSCD
北大核心
2011年第9期1970-1977,共8页
基金
国家自然科学基金(60972159
61032001
+2 种基金
61002006)
航空科学基金(20085184003)
"泰山学者"建设工程专项经费资助课题
文摘
针对高脉冲重复频率(high pulse-repetition frequency,HPRF)雷达多假设解距离模糊方法在模糊区间发生变化时会出现解距离模糊错误的现象,提出一种基于交互式多模型(interacting multiple model,IMM)的混合滤波解距离模糊方法。通过把脉冲间隔数和脉冲间隔变化量作为目标待估计状态,对离散的脉冲间隔数、间隔变化量和连续的目标状态(径向距离和速度)进行混合滤波,从而将解距离模糊转换为混合滤波问题。仿真结果表明,在第一个驻留时间内,在两帧以上同时检测到目标和只有一帧检测到目标两种情况下,该方法均可以克服现有多假设方法的不足,随着模糊区间的变化,正确地解距离模糊。
关键词
高脉冲重复频率
距离模糊
交互式多模型
混合滤波
脉冲间隔数
Keywords
high pulse-repetition frequency （HPRF）
range ambiguity
interacting multiple model （IMM） hybrid filter
pulse interval number
分类号
TN957 [电子电信—信号与信息处理]
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职称材料
题名
无压烧结银-镍互连IGBT电源模块的力、热和电性能
2
作者
王美玉
梅云辉
李欣
郝柏森
机构
天津大学材料科学与工程学院
中国电子科技集团公司南京电子技术研究所
出处
《电源学报》
CSCD
北大核心
2023年第1期195-201,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(51922075,U1966212,51877147)。
文摘
作为一种应用广泛的基板金属镀层,镍在烧结过程中易发生氧化,形成烧结银-镍高性能互连接头较为困难,相关研究报道较少。提出了一种多尺度银焊膏互连材料和烧结银-镍无压互连工艺,研究了在220~300℃烧结10~60 min对烧结银-镍互连封装的IGBT电源模块的力、热和电性能的影响。研究结果表明:得益于多尺度银焊膏的致密堆积烧结,在270~300℃高温烧结30~60 min时镍氧化减缓,在270℃无压烧结30 min互连的芯片抗剪切强度在40 MPa以上,热阻和静态电特性与仿真结果和IGBT芯片数据手册差异性<0.5%,表明无压烧结银-镍互连IGBT芯片具有较高的连接强度、导热和导电性能,可以满足半导体电源模块的互连封装要求。
关键词
半导体封装
IGBT电源模块
镀镍基板
无压低温烧结银
多尺度银焊膏
Keywords
semiconductor packaging
IGBT power module
nickel-metallization
pressureless low-temperature silver sintering
multiscale silver paste
分类号
TM921.05 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于IMM的高脉冲重复频率雷达解距离模糊方法
王娜
谭顺成
王国宏
刘兆磊
《系统工程与电子技术》
EI
CSCD
北大核心
2011
10
在线阅读
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职称材料
2
无压烧结银-镍互连IGBT电源模块的力、热和电性能
王美玉
梅云辉
李欣
郝柏森
《电源学报》
CSCD
北大核心
2023
0
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职称材料
已选择
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