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中国电子科技集团公司第十三研究所高韧性陶瓷材料及其制备方法获美国专利
1
作者 高岭 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期735-735,共1页
中国电子科技集团公司第十三研究所高韧性陶瓷材料及其制备方法研究成果,获得美国国际发明专利授权。中国电子科技集团公司第十三研究所持续开展外壳领域的核心技术研发工作,通过持续研发、优化对高性能陶瓷材料配方研究,研发出一整套... 中国电子科技集团公司第十三研究所高韧性陶瓷材料及其制备方法研究成果,获得美国国际发明专利授权。中国电子科技集团公司第十三研究所持续开展外壳领域的核心技术研发工作,通过持续研发、优化对高性能陶瓷材料配方研究,研发出一整套制备工艺方法, 展开更多
关键词 中国电子科技集团公司 制备方法 美国专利 陶瓷材料 研究所 高韧性 研发工作 高性能陶瓷
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中国电子科技集团公司第十三研究所激光器产品推介
2
作者 刘小文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期799-799,共1页
中国电子科技集团公司第十三研究所研发生产半导体激光器、固态激光器和光纤激光器三大系列激光器。半导体激光器以高功率为主要特点,在800-1064nm近红外波段,连续功率达到3000W,脉冲功率达到5000W,
关键词 中国电子科技集团公司 半导体激光器 研究所 产品推介 光纤激光器 固态激光器 近红外波段 脉冲功率
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中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路
3
作者 蔚翠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期624-624,共1页
日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路（成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016）。该电路... 日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路（成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016）。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。此项工作对加速推动石墨烯在射频领域的应用具有里程碑式的意义。 展开更多
关键词 石墨烯 低噪声放大器 单片集成电路 噪声系数 ELECTRON 电路工作 电路设计 国际领先地位
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中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路
4
作者 蔚翠 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2016年第11期835-835,共1页
日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路（成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016）。该电路... 日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路（成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016）。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。 展开更多
关键词 中国电子科技集团公司 单片集成电路 低噪声放大器 石墨 关键工艺 电路设计 IEEE KU波段
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平行缝焊微电子器件的光学检漏 被引量：1
5
作者 张泽丰 徐达 +2 位作者 谭亮 魏少伟 马紫成 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第3期285-291,共7页
光学检漏为非接触式封装漏率测量方法,且单次测试可同时完成粗检及细检,是一种快速的封装检漏技术。对光学检漏与氦质谱检漏的漏率计算公式进行了详细分析和对比。设计了多组实验探究如工装翘曲度、封装内空腔体积等因素对光学检漏检测... 光学检漏为非接触式封装漏率测量方法,且单次测试可同时完成粗检及细检,是一种快速的封装检漏技术。对光学检漏与氦质谱检漏的漏率计算公式进行了详细分析和对比。设计了多组实验探究如工装翘曲度、封装内空腔体积等因素对光学检漏检测结果的影响,分析了光学检漏的“充压”问题并给出解决方案,对比了光学检漏与氦质谱检漏的检测漏率。分析了光学检漏技术的优缺点,并通过实验验证了光学检漏的可行性及可靠性,为微电子器件的光学检漏应用提供参考。 展开更多
关键词 微电子器件 光学检漏 平行缝焊 密封 氦质谱检漏
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50ns时间分辨率瞬态热反射热成像测温装置
6
作者 翟玉卫 刘岩 +4 位作者 王强栋 银军 李灏 杜蕾 吴爱华 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期740-745,共6页
针对脉冲工作条件下微波功率器件瞬态结温测试需求,开发了具备50 ns时间分辨率的热反射热成像测温装置。基于LED光源,采用较短的双同轴屏蔽线缆连接光源与驱动电源,减小了线缆阻抗和外部电磁干扰的影响,实现了50 ns照明脉冲输出。提出... 针对脉冲工作条件下微波功率器件瞬态结温测试需求,开发了具备50 ns时间分辨率的热反射热成像测温装置。基于LED光源,采用较短的双同轴屏蔽线缆连接光源与驱动电源,减小了线缆阻抗和外部电磁干扰的影响,实现了50 ns照明脉冲输出。提出插入监控帧的脉冲窗函数控制时序及算法,抑制了光强漂移对测温结果的影响。选择一个与GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极材质相同的金属微带电阻作为被测件(DUT),对其施加1μs脉宽的电激励。采用瞬态热反射热成像测温装置测得其温度上升时间为1.0μs,且能明显区分50 ns时间间隔的温度变化。 展开更多
关键词 瞬态热反射热成像 时间分辨率 脉冲窗函数平均 金属微带电阻 光强漂移
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不同栅氧退火工艺下的SiC MOS电容及其界面电学特性
7
作者 付兴中 刘俊哲 +4 位作者 薛建红 尉升升 谭永亮 王德君 张力江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期32-38,共7页
SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷... SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷密度的方法,对分别经过氮等离子体氧化后退火(POA)处理、氮氢混合等离子体POA处理、氮氢氧混合等离子体POA处理、氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性进行了分析。结果表明,该方法可以系统地评价SiC MOS电容电学特性和栅氧界面特性,经过氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容可以满足高温、大场强下长期运行的性能指标。 展开更多
关键词 SiC MOS电容 氧化后退火(POA) 平带电压漂移 氧化物陷阱电荷 可动电荷
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6英寸低缺陷掺硫磷化铟晶体制备与性质研究
8
作者 李晓岚 高渊 +4 位作者 闫小兵 徐成彦 史艳磊 王书杰 孙聂枫 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期684-690,共7页
低缺陷掺硫磷化铟晶片是光电器件的主要衬底材料,制备6英寸(1英寸=2.54 cm)大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。通过分析6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶生长过程的杂质效应机理、热应力和热场温度分布,并对掺硫磷化铟晶体头、中、尾... 低缺陷掺硫磷化铟晶片是光电器件的主要衬底材料,制备6英寸(1英寸=2.54 cm)大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。通过分析6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶生长过程的杂质效应机理、热应力和热场温度分布,并对掺硫磷化铟晶体头、中、尾切片进行电学性能、位错密度及应力测试,得到载流子浓度与掺杂量、迁移率及位错(腐蚀坑)密度之间的关系,以及掺硫磷化铟晶体易开裂的原因。优化了适合生长6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶的半封闭可调热场系统,通过增加热屏罩,提高了炉体上部空间的气氛温度,降低了晶体内部的温度梯度,从而有效降低了晶体内的残余应力。确定了InP中In2S3的掺杂质量分数最大限度(≤300×10^(-6)),得到了低位错密度(<3000 cm^(-2))的磷化铟晶体,并有效地降低了晶体开裂的概率,实现了6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶的重复生长。 展开更多
关键词 掺硫磷化铟 晶体生长 杂质效应 位错(腐蚀坑)密度 晶体开裂
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富磷半绝缘磷化铟晶体生长的行波磁场调控
9
作者 邵会民 史睿菁 +4 位作者 李早阳 孙聂枫 姜剑 毛旭瑞 宋瑞良 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期901-907,共7页
针对高压垂直梯度凝固(HP-VGF)法生长InP晶体,建立了行波磁场作用下的晶体生长流动传热数值模型,并结合晶体生长实验研究了磁场对富磷半绝缘InP晶体中缺陷生成与掺杂分布的调控作用。研究结果表明,行波磁场可以在InP熔体中产生足够大的... 针对高压垂直梯度凝固(HP-VGF)法生长InP晶体,建立了行波磁场作用下的晶体生长流动传热数值模型,并结合晶体生长实验研究了磁场对富磷半绝缘InP晶体中缺陷生成与掺杂分布的调控作用。研究结果表明,行波磁场可以在InP熔体中产生足够大的洛伦兹力,使得熔体流动增强且温度分布发生变化;磁场调控使孪晶形核概率降低了15%,促进富磷熔体中气泡的逃逸,获得少气孔甚至无气孔的InP晶体,并能够减少晶体中心位错和提高Fe掺杂及轴向电学参数的均匀性。本研究可为生长大尺寸高品质InP晶体提供参考。 展开更多
关键词 磷化铟 单晶 孪晶 半绝缘 磁场 位错
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ROV搭载光纤水听器水下搜寻技术应用验证
10
作者 刘雨 唐继蔚 赵二刚 《海洋测绘》 北大核心 2025年第3期41-45,共5页
针对海上失事飞机和船舶黑匣子的快速搜寻与打捞需求,基于一种新研发的深海光纤水听器原理样机及其小体积、低功耗、高耐压的技术特点,开展了遥控水下机器人(ROV)搭载光纤水听器进行水下声信标搜寻定位的应用技术研究。通过湖试验证了... 针对海上失事飞机和船舶黑匣子的快速搜寻与打捞需求,基于一种新研发的深海光纤水听器原理样机及其小体积、低功耗、高耐压的技术特点,开展了遥控水下机器人(ROV)搭载光纤水听器进行水下声信标搜寻定位的应用技术研究。通过湖试验证了该技术具有良好的探测能力和整体性能,实现了对模拟目标3km以上及3°以内的定位精度,为深海黑匣子的搜寻与打捞提供了一种高效、灵活的解决途径,对后续相关工程的实际应用具有重要的指导价值。 展开更多
关键词 光纤水听器 遥控水下机器人 水下搜寻 水下定位 应用验证
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RFCMOS、BiCMOS的新进展(四)——振荡器、混频器与频率综合器
11
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第11期1093-1106,共14页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RFCMOS和RFBiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RFCMOS和RFBiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RFCMOS和RFBiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RFIC发展的主要方面,凝练了各类RFIC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(三)——功率放大器、RF信号放大器与发射机
12
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期981-994,共14页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(一)——低噪声放大器与接收前端
13
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期757-772,共16页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(二)——射频-直流整流器与射频能量收集器
14
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期885-892,共8页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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室温晶圆键合的金刚石基GaN HEMT制备与性能 被引量：1
15
作者 张栋曜 周幸叶 +3 位作者 郭红雨 余浩 吕元杰 冯志红 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期468-472,共5页
GaN作为第三代宽禁带半导体材料,具有较大的自发极化系数和压电系数,可承受高功率密度,适用于高频、高温、大功率器件。随着GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)向小型化、大功率发展,散热问题已成为制约GaN功率器件性能提升的重要因素。高热导... GaN作为第三代宽禁带半导体材料,具有较大的自发极化系数和压电系数,可承受高功率密度,适用于高频、高温、大功率器件。随着GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)向小型化、大功率发展,散热问题已成为制约GaN功率器件性能提升的重要因素。高热导率(2000 W·m^(-1)·K^(-1))金刚石是一种极具竞争力的新型散热材料,在解决大功率器件的散热问题方面极具潜力。针对散热问题,采用室温晶圆键合工艺制备了金刚石基GaN HEMT,并对其进行了直流特性、微波功率特性和结温测试。与传统SiC基GaN HEMT相比,金刚石基GaN HEMT的漏源饱和输出电流增大了约5%,热阻从5.04 K·mm/W降低至3.78 K·mm/W,有利于提升器件性能、延长器件寿命。本文研究结果为突破GaN功率器件性能的发展瓶颈提供了实验基础。 展开更多
关键词 GAN 金刚石 微波功率 结温 散热能力
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宽带高功率三维异构集成微波光子探测器 被引量：1
16
作者 许向前 龚广宇 +4 位作者 孙雷 李宇 康晓晨 李思敏 潘时龙 《红外与毫米波学报》 北大核心 2025年第1期112-117,共6页
本研究采用三维异构集成技术实现单行载流子光电二极管与微波集成电路芯片堆叠集成,研制出一款微波光子应用的高功率、宽带探测器芯片。通过优化单行载流子光电二极管的材料掺杂和外延工艺,显著提高了功率承受能力;采用集成背入射透镜... 本研究采用三维异构集成技术实现单行载流子光电二极管与微波集成电路芯片堆叠集成,研制出一款微波光子应用的高功率、宽带探测器芯片。通过优化单行载流子光电二极管的材料掺杂和外延工艺,显著提高了功率承受能力;采用集成背入射透镜和增设金属反射层的设计,有效提升了响应度;通过提取光电二极管的精确模型并采用阻抗补偿及宽带匹配电路设计技术,成功增强了宽带特性。将光电二极管芯片倒装集成在微波集成电路芯片上,大幅减小了芯片互连电路对高频性能的不利影响;采用高导热率底层芯片的设计,极大提升了探测器芯片的导热性能和高功率处理特性。研制的三维异构集成光电探测器1 dB带宽高达42 GHz,射频回波损耗优于11 dB,响应度优于0.85 A/W,暗电流低于50 nA,饱和输入光功率超过120 mW。三维异构集成微波光子探测器芯片实现了优异的带宽和响应度特性,该设计方法为微波光子应用提供了创新性的解决方案。 展开更多
关键词 微波光子学 单行载流子光电二极管 宽带 高功率 三维异构集成
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基于衬底台阶调控技术的高质量GaN生长
17
作者 高楠 房玉龙 +4 位作者 王波 张志荣 尹甲运 韩颖 刘超 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期481-487,共7页
GaN晶体质量提升对材料及器件性能优化至关重要。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在SiC衬底上对GaN晶体质量进行了实验研究。对比了高温H2刻蚀与高温HCl刻蚀对衬底台阶的影响,并对后续生长的AlN和GaN晶体质量进行了表征,发现增加衬... GaN晶体质量提升对材料及器件性能优化至关重要。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在SiC衬底上对GaN晶体质量进行了实验研究。对比了高温H2刻蚀与高温HCl刻蚀对衬底台阶的影响,并对后续生长的AlN和GaN晶体质量进行了表征,发现增加衬底台阶宽度有助于降低半高宽(FWHM)。采用不同表面预处理条件进行材料生长,发现氨气/三甲基铝(NH_(3)/TMAl)交替预处理对台阶有修饰作用,有助于降低GaN(002)晶面X射线衍射(XRD)峰FWHM,对(102)晶面XRD峰FWHM影响较小。最后讨论了AlN生长温度对GaN晶体质量的影响,发现AlN和GaN晶体质量均随温度升高而提高。综合各条件生长得到的GaN(002)晶面XRD峰FWHM为58.5 arcsec的GaN外延层,该FWHM为目前已知最低值,该样品GaN(102)晶面XRD峰FWHM为104.9 arcsec。 展开更多
关键词 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GAN 衬底台阶 高温刻蚀 半高宽(FWHM)
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一种波导内阻抗匹配的0.4THz宽带倍频器
18
作者 胡松祥 宋旭波 +2 位作者 顾国栋 刘庆彬 冯志红 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期822-827,共6页
为满足近场通信和成像等应用领域对0.4 THz宽带倍频器的需求,基于GaAs肖特基势垒二极管(SBD)设计了一款工作在0.4 THz的宽带平衡式二倍频器。该设计采用波导内输出阻抗匹配结构,解决了传统悬置带线设计中阻抗失配导致的带宽受限问题。... 为满足近场通信和成像等应用领域对0.4 THz宽带倍频器的需求,基于GaAs肖特基势垒二极管(SBD)设计了一款工作在0.4 THz的宽带平衡式二倍频器。该设计采用波导内输出阻抗匹配结构,解决了传统悬置带线设计中阻抗失配导致的带宽受限问题。二倍频器采用反向偏置工作模式,通过优化散射参数的相位一致性,提高了谐波合成效率。设计了0.4 THz宽带的E面探针过渡和直流偏置的集成复合结构,采用紧凑型谐振器结构低通滤波器实现悬置带线至波导的高效转换,并抑制了信号泄漏。测试结果表明,在0.37~0.43 THz工作频带内,二倍频器实现了3.4%以上的转换效率,最高转换效率达6.7%,峰值输出功率为4.4 mW,为太赫兹频段宽带二倍频器设计提供了新的解决方案。 展开更多
关键词 太赫兹 二倍频器 肖特基势垒二极管(SBD) GAAS 宽带
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射频微系统中混频杂散的研究和计算
19
作者 李成凯 王磊 +4 位作者 张鹏飞 要志宏 王朋 姜文 龚书喜 《现代雷达》 北大核心 2025年第6期69-74,共6页
随着半导体元器件的快速发展,传统民航雷达、气象雷达、卫星导航、车载电台等多个独立子系统演变成了多种功能协同工作的一体化微系统,前端的射频模块设计从传统混合集成技术、多芯片通道化技术向射频系统级封装(RF-SIP)多芯片模块化技... 随着半导体元器件的快速发展,传统民航雷达、气象雷达、卫星导航、车载电台等多个独立子系统演变成了多种功能协同工作的一体化微系统,前端的射频模块设计从传统混合集成技术、多芯片通道化技术向射频系统级封装(RF-SIP)多芯片模块化技术发展,因此系统的体积可以缩小到原先的一半。采用三维堆叠技术的RF-SIP内部可以集成一次、两次甚至多次变频,在其狭小的空间内部,混频杂散的抑制是一个难题。为了更好地避免杂散信号的产生,文中借鉴了诸多前人的研究,并结合实际工作中的测试经验,研究了一种新型混频杂散的计算方法。该方法解决了传统计算工具中计算混频杂散的完备问题,并采用C#编写成小工具,集成在微波辅助测试软件Locverk PBS内部。从事射频组件设计、测试的工程师或者方案规划人员,可在项目初期辅助分析和设计混频方案,以降低项目的设计和研发周期。 展开更多
关键词 混频杂散 交调信号 虚假信号 混频方案 杂散计算
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X波段高功率InP/InGaAs单行载流子光电二极管
20
作者 杨大宝 刘波 +3 位作者 周幸叶 许婧 邢东 冯志红 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期1001-1005,共5页
为提高光电转换器件的输出功率,设计并制备了一种新型InP/InGaAs高功率电荷补偿(CC)改进型单行载流子(MUTC)光电二极管(PD)。InGaAs吸收层采用p型高斯掺杂部分耗尽层与非故意掺杂耗尽层相结合的形式,在异质结界面产生一个强电场以加速... 为提高光电转换器件的输出功率,设计并制备了一种新型InP/InGaAs高功率电荷补偿(CC)改进型单行载流子(MUTC)光电二极管(PD)。InGaAs吸收层采用p型高斯掺杂部分耗尽层与非故意掺杂耗尽层相结合的形式,在异质结界面产生一个强电场以加速电子通过异质结界面,从而起到缓解异质结电子积聚的作用,增大了芯片的3 dB带宽;在吸收层和收集层间增加一层n型掺杂InP崖层,以增强异质结界面的电场,有效缓解了芯片空间电荷效应。为提高器件的高功率输出性能,将芯片阳极结直径增大到40μm,以增加芯片的散热面积;将背入射式芯片以倒装焊方式安装到300μm厚的金刚石基片上,以提高其散热性能。经测试,在1.55μm波长的激光照射下,该CC-MUCT-PD芯片的响应度在-6 V偏压下达到0.7 A/W,在10 GHz处脉冲输出功率为313 mW。 展开更多
关键词 高输出功率 电荷补偿(CC)改进型单行载流子(MUTC)光电二极管(PD) 高斯掺杂 背入射 金刚石基底
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