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题名一种TTL电平控制的间接加热式相变材料射频开关
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作者
刘宗岱
廖龙忠
赵慧丰
陈南庭
何庆国
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机构
中国电子科技公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第4期372-377,392,共7页
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文摘
研制了一款晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平控制的GeTe材料相变射频开关芯片。该芯片采用间接加热方式设计,使用高阻硅作为衬底材料、钨金属层作为间接加热微结构、AlN材料作为阻挡层,以提高热传导效率,并使用CAD优化结构尺寸;选择合适的电源控制芯片控制脉冲信号的幅度和宽度,将开启和关断脉冲分别降低到了3.3 V/500μs和5.0 V/100μs。测试结果表明,开关芯片的开关电阻比为1.86×10^(6),在DC~40 GHz工作频段内,开态插入损耗小于0.9 dB,关断隔离度大于15 dB,耐功率达到37 dBm,展示了相变材料射频开关在工程应用的良好前景。
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关键词
射频开关
GeTe相变材料
间接加热
控制脉冲
开关电阻比
插入损耗
隔离度
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Keywords
RF switch
GeTe phase-change material
indirect heating
control pulse
switching resistance ratio
insertion loss
isolation
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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