-
题名基于数字预失真的发射机I/Q不平衡矫正
被引量：7
- 1
-
-
作者
陈雷
岳光荣
唐俊林
李少谦
宋志群
曾媛
-
机构
电子科技大学通信抗干扰国家级重点实验室
中国电子科技公司第
上海宇航系统工程研究所
-
出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2017年第4期847-853,共7页
-
基金
国家科技重大专项课题(2013ZX03005010)
通信网信息传输与分发技术重点实验室开放课题(KX152600016/ITD-U15007)
+1 种基金
国家自然科学基金(61371103
61401447)~~
-
文摘
同相支路(I路)与正交支路(Q路)不平衡、载波泄漏以及带内失真会造成系统性能损失,尤其是在采用直接变频结构的发射机中。该文提出一种自适应I/Q不平衡矫正方案,针对发射机中存在的与频率相关的I/Q不平衡、载波泄漏以及带内失真进行矫正。该文方案直接估计I/Q两支路的反滤波器,避免了先求响应再求逆响应的额外运算,降低了运算复杂度。同时,该文还提出一种基于迭代的在线追踪方案,用于跟踪由于发射机温度变化造成的I/Q不平衡的参数漂移现象。经过复杂度分析,该文提出的方案拥有很高的补偿效率。最后,仿真结果验证了两种方案针对各类射频损伤矫正的有效性。
-
关键词
无线通信
发射机矫正
射频损伤
-
Keywords
Wireless communications
Transmitter calibration
RF impairments
-
分类号
TN92
[电子电信—通信与信息系统]
-
-
题名恒定气压下流量对溅射AlN薄膜结构性能的影响
- 2
-
-
作者
杨杰
马晋毅
杜波
徐阳
石玉
-
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
中国电子科技公司第
-
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2014年第2期217-220,共4页
-
文摘
研究了恒定气压下、通入不同气体流量对射频磁控溅射原位沉积氮化铝(AlN)薄膜应力、结晶质量和表面形貌的影响。利用应力分析仪、X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和台阶仪对AlN薄膜的结构特性进行了分析。结果表明,恒定气压下改变通入气体流量对薄膜应力、结晶质量、表面形貌及粗糙度和薄膜沉积速率均有影响。当通入气体流量为10cm3/min时,AlN薄膜呈明显的压应力,结晶质量较差。增加通入气体流量降低了薄膜沉积速率和增加了表面粗糙度,但有利于减小薄膜的压应力和提高薄膜的结晶质量。本实验条件下得出的溅射AlN薄膜的最佳流量条件为50cm3/min。
-
关键词
溅射
氮化铝(AlN)薄膜
通人气体流量
结构特性
-
Keywords
sputtering
AIN films
input gas flux
structural characteristics
-
分类号
TQ174
[化学工程—陶瓷工业]
-
-
题名工控系统中进程间通信的设计与实现
- 3
-
-
作者
陈海燕
张钟江
卢红星
佘维
-
机构
北京电子科技职业学院
中国电子科技公司第
郑州大学软件技术学院
-
出处
《信息工程大学学报》
2016年第3期353-357,共5页
-
基金
河南人才培养联合基金资助项目(U1204610)
-
文摘
随着工控系统规模的扩大,各服务进程之间的通信日益成为关键问题之一。提出了基于共享内存和先进先出队列的进程间通信模式。在给出工控系统3层结构的基础上,阐述了嵌入式、数据采集进程、数据服务进程和监控进程4个进程间的通信机制。同时,详细描述了报文定义、共享内存实现、先进先出队列实现、数据包类定义和Hash寻址算法等关键技术。实际应用表明,基于以上机制构建的工控系统,可以满足系统的实时性、可靠性和稳定性要求。
-
关键词
工业控制
进程通信
共享内存
队列
-
Keywords
industrial control
process communication
shared memory
queue
-
分类号
TP391.7
[自动化与计算机技术—计算机应用技术]
-
-
题名基于GaAs衬底的功分器芯片设计
被引量：2
- 4
-
-
作者
韦雪真
白银超
王朋
郝志娟
-
机构
中国电子科技公司第十三研究所
-
出处
《电声技术》
2022年第10期121-123,共3页
-
文摘
依据Wilkinson功分器原理,将四分之一波长传输线等效为集总参数电路,在GaAs衬底上设计并实现一款20~30 GHz宽带功分器芯片。通过工艺线提供的衬底设置和电磁仿真软件建模仿真优化,功分器的测试结果和仿真结果具有较高的一致性。芯片尺寸为0.9 mm×0.7 mm×0.1 mm。探针台在片测试结果表明,功分器芯片在设计带宽20~30 GHz内,插入损耗小于4 dB,隔离度大于20 dB,输入回波损耗和输出回波损耗均优于15 dB,具有低损耗、高隔离、驻波好、面积小、成本低的优良特性。
-
关键词
WILKINSON功分器
GAAS衬底
插入损耗
-
Keywords
Wilkinson power divider
GaAs substrate
insertion loss
-
分类号
TN912.2
[电子电信—通信与信息系统]
-
-
题名一种TTL电平控制的间接加热式相变材料射频开关
- 5
-
-
作者
刘宗岱
廖龙忠
赵慧丰
陈南庭
何庆国
-
机构
中国电子科技公司第十三研究所
-
出处
《半导体技术》
2025年第4期372-377,392,共7页
-
文摘
研制了一款晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平控制的GeTe材料相变射频开关芯片。该芯片采用间接加热方式设计,使用高阻硅作为衬底材料、钨金属层作为间接加热微结构、AlN材料作为阻挡层,以提高热传导效率,并使用CAD优化结构尺寸;选择合适的电源控制芯片控制脉冲信号的幅度和宽度,将开启和关断脉冲分别降低到了3.3 V/500μs和5.0 V/100μs。测试结果表明,开关芯片的开关电阻比为1.86×10^(6),在DC~40 GHz工作频段内,开态插入损耗小于0.9 dB,关断隔离度大于15 dB,耐功率达到37 dBm,展示了相变材料射频开关在工程应用的良好前景。
-
关键词
射频开关
GeTe相变材料
间接加热
控制脉冲
开关电阻比
插入损耗
隔离度
-
Keywords
RF switch
GeTe phase-change material
indirect heating
control pulse
switching resistance ratio
insertion loss
isolation
-
分类号
TN43
[电子电信]
-
