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基于数字预失真的发射机I/Q不平衡矫正 被引量:7
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作者 陈雷 岳光荣 +3 位作者 唐俊林 李少谦 宋志群 曾媛 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第4期847-853,共7页
同相支路(I路)与正交支路(Q路)不平衡、载波泄漏以及带内失真会造成系统性能损失,尤其是在采用直接变频结构的发射机中。该文提出一种自适应I/Q不平衡矫正方案,针对发射机中存在的与频率相关的I/Q不平衡、载波泄漏以及带内失真进行矫正... 同相支路(I路)与正交支路(Q路)不平衡、载波泄漏以及带内失真会造成系统性能损失,尤其是在采用直接变频结构的发射机中。该文提出一种自适应I/Q不平衡矫正方案,针对发射机中存在的与频率相关的I/Q不平衡、载波泄漏以及带内失真进行矫正。该文方案直接估计I/Q两支路的反滤波器,避免了先求响应再求逆响应的额外运算,降低了运算复杂度。同时,该文还提出一种基于迭代的在线追踪方案,用于跟踪由于发射机温度变化造成的I/Q不平衡的参数漂移现象。经过复杂度分析,该文提出的方案拥有很高的补偿效率。最后,仿真结果验证了两种方案针对各类射频损伤矫正的有效性。 展开更多
关键词 无线通信 发射机矫正 射频损伤
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恒定气压下流量对溅射AlN薄膜结构性能的影响
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作者 杨杰 马晋毅 +2 位作者 杜波 徐阳 石玉 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第2期217-220,共4页
研究了恒定气压下、通入不同气体流量对射频磁控溅射原位沉积氮化铝(AlN)薄膜应力、结晶质量和表面形貌的影响。利用应力分析仪、X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和台阶仪对AlN薄膜的结构特性进行了分析。结果表明,恒定气压下改变通入... 研究了恒定气压下、通入不同气体流量对射频磁控溅射原位沉积氮化铝(AlN)薄膜应力、结晶质量和表面形貌的影响。利用应力分析仪、X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和台阶仪对AlN薄膜的结构特性进行了分析。结果表明,恒定气压下改变通入气体流量对薄膜应力、结晶质量、表面形貌及粗糙度和薄膜沉积速率均有影响。当通入气体流量为10cm3/min时,AlN薄膜呈明显的压应力,结晶质量较差。增加通入气体流量降低了薄膜沉积速率和增加了表面粗糙度,但有利于减小薄膜的压应力和提高薄膜的结晶质量。本实验条件下得出的溅射AlN薄膜的最佳流量条件为50cm3/min。 展开更多
关键词 溅射 氮化铝(AlN)薄膜 通人气体流量 结构特性
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工控系统中进程间通信的设计与实现
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作者 陈海燕 张钟江 +1 位作者 卢红星 佘维 《信息工程大学学报》 2016年第3期353-357,共5页
随着工控系统规模的扩大,各服务进程之间的通信日益成为关键问题之一。提出了基于共享内存和先进先出队列的进程间通信模式。在给出工控系统3层结构的基础上,阐述了嵌入式、数据采集进程、数据服务进程和监控进程4个进程间的通信机制。... 随着工控系统规模的扩大,各服务进程之间的通信日益成为关键问题之一。提出了基于共享内存和先进先出队列的进程间通信模式。在给出工控系统3层结构的基础上,阐述了嵌入式、数据采集进程、数据服务进程和监控进程4个进程间的通信机制。同时,详细描述了报文定义、共享内存实现、先进先出队列实现、数据包类定义和Hash寻址算法等关键技术。实际应用表明,基于以上机制构建的工控系统,可以满足系统的实时性、可靠性和稳定性要求。 展开更多
关键词 工业控制 进程通信 共享内存 队列
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基于GaAs衬底的功分器芯片设计 被引量:2
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作者 韦雪真 白银超 +1 位作者 王朋 郝志娟 《电声技术》 2022年第10期121-123,共3页
依据Wilkinson功分器原理,将四分之一波长传输线等效为集总参数电路,在GaAs衬底上设计并实现一款20~30 GHz宽带功分器芯片。通过工艺线提供的衬底设置和电磁仿真软件建模仿真优化,功分器的测试结果和仿真结果具有较高的一致性。芯片尺寸... 依据Wilkinson功分器原理,将四分之一波长传输线等效为集总参数电路,在GaAs衬底上设计并实现一款20~30 GHz宽带功分器芯片。通过工艺线提供的衬底设置和电磁仿真软件建模仿真优化,功分器的测试结果和仿真结果具有较高的一致性。芯片尺寸为0.9 mm×0.7 mm×0.1 mm。探针台在片测试结果表明,功分器芯片在设计带宽20~30 GHz内,插入损耗小于4 dB,隔离度大于20 dB,输入回波损耗和输出回波损耗均优于15 dB,具有低损耗、高隔离、驻波好、面积小、成本低的优良特性。 展开更多
关键词 WILKINSON功分器 GAAS衬底 插入损耗
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一种TTL电平控制的间接加热式相变材料射频开关
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作者 刘宗岱 廖龙忠 +2 位作者 赵慧丰 陈南庭 何庆国 《半导体技术》 2025年第4期372-377,392,共7页
研制了一款晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平控制的GeTe材料相变射频开关芯片。该芯片采用间接加热方式设计,使用高阻硅作为衬底材料、钨金属层作为间接加热微结构、AlN材料作为阻挡层,以提高热传导效率,并使用CAD优化结构尺寸;选择合适的电... 研制了一款晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平控制的GeTe材料相变射频开关芯片。该芯片采用间接加热方式设计,使用高阻硅作为衬底材料、钨金属层作为间接加热微结构、AlN材料作为阻挡层,以提高热传导效率,并使用CAD优化结构尺寸;选择合适的电源控制芯片控制脉冲信号的幅度和宽度,将开启和关断脉冲分别降低到了3.3 V/500μs和5.0 V/100μs。测试结果表明,开关芯片的开关电阻比为1.86×10^(6),在DC~40 GHz工作频段内,开态插入损耗小于0.9 dB,关断隔离度大于15 dB,耐功率达到37 dBm,展示了相变材料射频开关在工程应用的良好前景。 展开更多
关键词 射频开关 GeTe相变材料 间接加热 控制脉冲 开关电阻比 插入损耗 隔离度
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