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柔性电子在我国电子信息产业转型升级中的战略意义研究 被引量:1
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作者 麻尧斌 解楠 +1 位作者 陈颖 黄润坤 《新型工业化》 2023年第4期29-35,共7页
当前,新一轮科技革命和产业变革正加速演进,新一代信息技术与各行业正加速深度融合,深刻改变着全球经济格局、利益格局和安全格局。柔性电子是将有机/无机材料电子器件制作在柔性/可延性基板上的一类新兴电子技术。柔性电子具备柔软、... 当前,新一轮科技革命和产业变革正加速演进,新一代信息技术与各行业正加速深度融合,深刻改变着全球经济格局、利益格局和安全格局。柔性电子是将有机/无机材料电子器件制作在柔性/可延性基板上的一类新兴电子技术。柔性电子具备柔软、质轻、透明、便携、可大面积应用的特性,极大地扩展了电子器件的应用范围,在信息科技、健康医疗和航空航天等重要行业、重点领域、重大工程中发挥着举足轻重的作用,正逐步成为后摩尔时代我国电子信息产业转型升级发展的强大“助推器”。2023年1月17日,工业和信息化部等六部门联合发布《关于推动能源电子产业发展的指导意见》,指出加快推动柔性电子等面向新能源的关键信息技术产品开发和应用。同时,浙江、福建、湖北和重庆等多省市已超前布局柔性电子,将柔性电子列入“十四五”规划。柔性电子正成为各省市实现电子信息产业转型升级的“新赛道”和推动经济高质量发展的新引擎。本文介绍了发展柔性电子产业的重要意义,分析了柔性电子产业的发展现状以及在电子信息产业转型升级中的应用场景和实践,论述了当前我国柔性电子面临的机遇与挑战,最后给出了推动柔性电子技术与产业发展的建议。 展开更多
关键词 柔性电子 电子信息 半导体
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基于灰度预测法的我国集成电路产业人才需求研究 被引量:1
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作者 陈颖 黄润坤 +1 位作者 耿艳 张天仪 《中国集成电路》 2022年第5期11-17,31,共8页
当前,全球新一轮集成电路竞争已经拉开序幕,美国、韩国、欧洲、日本和中国台湾地区等主要经济体纷纷发力布局本土产业,集成电路已经成为主要经济体战略竞争和博弈的焦点,与之相对应的人才已经成为关键资源。本文介绍了全球和我国集成电... 当前,全球新一轮集成电路竞争已经拉开序幕,美国、韩国、欧洲、日本和中国台湾地区等主要经济体纷纷发力布局本土产业,集成电路已经成为主要经济体战略竞争和博弈的焦点,与之相对应的人才已经成为关键资源。本文介绍了全球和我国集成电路产业和人才发展情况,并采用灰度预测法对我国集成电路产业人才需求做了预判,对我国集成电路产业人才建设规划具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 集成电路 人才 灰度预测法
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中国光伏产业人才培养现状与改革探析 被引量:1
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作者 徐丰 乔路 +3 位作者 吴頔 刘超 江华 冯海玉 《太阳能》 2023年第8期13-19,共7页
近年来,在碳达峰、碳中和政策的引领下,中国光伏产业已进入高速发展阶段,产业进步的同时也对光伏产业人才培育提出了更高要求。经分析发现,中国国内光伏产业人才培养在专业人才供给数量、研发人才供给结构、人才培养学科体系等方面存在... 近年来,在碳达峰、碳中和政策的引领下,中国光伏产业已进入高速发展阶段,产业进步的同时也对光伏产业人才培育提出了更高要求。经分析发现,中国国内光伏产业人才培养在专业人才供给数量、研发人才供给结构、人才培养学科体系等方面存在与产业高速发展不配套的问题。为满足产业高速发展带来的人才需求,新时期光伏产业人才培育应立足发挥企业孵化培育优势、吸引相关交叉行业人才、发挥产业集聚地区优势,进一步完善学科建设,从产业化需求出发推进核心课程改革;优化院校师资团队,在校企双导师制基础上提升光伏产业人才培养质量;加强产教融合,鼓励和企业联合开展合作。 展开更多
关键词 可再生能源 光伏产业 人才培养 改革
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先进封装推动半导体产业新发展 被引量:7
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作者 王若达 《中国集成电路》 2022年第4期26-29,42,共5页
近年来,全球半导体封装测试市场规模增长明显,在摩尔定律不断逼近物理极限大背景下,半导体前道和后道工序加速融合,先进封装成为行业关注焦点,并将重塑半导体行业竞争格局。晶圆代工厂、IDM(集成器件制造商)涉足先进封装业务,Chiplet(芯... 近年来,全球半导体封装测试市场规模增长明显,在摩尔定律不断逼近物理极限大背景下,半导体前道和后道工序加速融合,先进封装成为行业关注焦点,并将重塑半导体行业竞争格局。晶圆代工厂、IDM(集成器件制造商)涉足先进封装业务,Chiplet(芯粒)技术引领先进封装发展,多片异构成未来主流;先进封装带动异质器件集成新发展,集成电路加乘人工智能与异质整合成为产业新趋势。同时先进封装也为半导体产业迎来新的机遇与挑战,质量标准体系建设更加迫切,伴随着Chiplet和异质整合的发展趋势,商业模式将迎来新变革,对半导体行业影响深远。 展开更多
关键词 先进封装 Chiplet 异质整合 竞争格局
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EDA行业人才队伍建设研究 被引量:4
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作者 张天仪 刘超 +1 位作者 王珺 陈颖 《中国集成电路》 2021年第9期31-36,共6页
电子设计自动化(EDA)是以计算机为载体的集成电路自动化设计工具,由众多面向具体集成电路设计环节的点工具组成,贯穿集成电路设计、制造、封装测试全部环节。随着智能化应用在制造业领域渗透不断加深,EDA对于电子信息、通信、航空航天... 电子设计自动化(EDA)是以计算机为载体的集成电路自动化设计工具,由众多面向具体集成电路设计环节的点工具组成,贯穿集成电路设计、制造、封装测试全部环节。随着智能化应用在制造业领域渗透不断加深,EDA对于电子信息、通信、航空航天等领域的发展起到了至关重要的影响作用。目前,美国三大公司Synopsys、Cadence和Mentor垄断全球市场份额,其提高研发人员待遇、利用全球各地EDA人才、持续加大研发投入、积极开展兼并重组等工作值得全球各地后发EDA企业学习。 展开更多
关键词 EDA 人才队伍建设
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新型存储器产业发展现状与展望
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作者 黄阳棋 《信息通信技术与政策》 2022年第5期78-81,共4页
为了解决日益严重的存储墙问题对计算系统的制约,应对新的存储应用需求,新型存储器正逐渐从科研走向产业化。英特尔、三星、台积电等国际巨头纷纷加入相关技术的产业化推进中。新型存储技术主要包括相变存储、磁变存储和阻变存储。相变... 为了解决日益严重的存储墙问题对计算系统的制约,应对新的存储应用需求,新型存储器正逐渐从科研走向产业化。英特尔、三星、台积电等国际巨头纷纷加入相关技术的产业化推进中。新型存储技术主要包括相变存储、磁变存储和阻变存储。相变存储适用于大容量的独立式存储应用,磁变存储适用于小容量高速低功耗的嵌入式应用,阻变存储则有可能在未来的人工智能、存算一体等领域发挥作用。 展开更多
关键词 存储器 新型存储技术 相变存储 磁变存储 阻变存储
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全球汽车芯片产业现状及布局 被引量:8
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作者 王若达 夏梦阳 +2 位作者 解楠 葛婕 周峰 《中国集成电路》 2022年第8期10-14,共5页
汽车芯片已成为推动汽车产业创新的重要力量,在汽车产业“新三化”(电动化、智能化、网联化)的推动下,汽车芯片市场空间广阔,汽车产业链及其供应链的转型整合也在加速。汽车芯片对使用寿命、可靠性、稳定性、环境耐受度等多种性能指标... 汽车芯片已成为推动汽车产业创新的重要力量,在汽车产业“新三化”(电动化、智能化、网联化)的推动下,汽车芯片市场空间广阔,汽车产业链及其供应链的转型整合也在加速。汽车芯片对使用寿命、可靠性、稳定性、环境耐受度等多种性能指标要求严苛,具有较高的技术和产业壁垒。从当前全球竞争格局看,欧洲、美国和日本处于主导地位。2020年至今,全球汽车芯片短缺问题突出,这主要是地缘政治格局变化等外部环境冲击下的市场供求失衡,以及商业模式调整等多重因素交织影响的结果。为应对芯片短缺,美国、欧洲、日本和韩国等发达国家和地区采取不同保供政策,以开拓行业发展空间及创新机遇。 展开更多
关键词 汽车芯片 新三化 竞争格局 产业政策
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载流子复合机制对InGaN多量子阱蓝光LED调制带宽的影响 被引量:3
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作者 杨杰 朱邵歆 +2 位作者 闫建昌 李晋闽 王军喜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期202-207,共6页
通过设计InGaN多量子阱LED有源区的不同结构,研究了载流子复合机制对LED调制速度的影响。结果显示,由于窄量子阱LED的载流子空间波函数重叠几率更高,且电子泄露效应更显著,所以复合速率更快,调制带宽更高。In组分为1%的InGaN量子垒LED... 通过设计InGaN多量子阱LED有源区的不同结构,研究了载流子复合机制对LED调制速度的影响。结果显示,由于窄量子阱LED的载流子空间波函数重叠几率更高,且电子泄露效应更显著,所以复合速率更快,调制带宽更高。In组分为1%的InGaN量子垒LED可提高辐射复合的权重,使得调制带宽高于GaN量子垒LED;In组分为5%时,电子泄露和俄歇复合占据主导地位,且由于这两种复合机制复合速率很快,所以调制带宽显著提高。 展开更多
关键词 发光二极管(LED) 可见光通信 调制带宽 载流子寿命 复合机制
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大面积规则排布的AlN纳米柱阵列制备 被引量:2
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作者 朱邵歆 陈翔 +3 位作者 闫建昌 张韵 王军喜 李晋闽 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第9期696-700,716,共6页
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面蓝宝石衬底上异质外延厚度1μm、具有原子级平整表面的高质量氮化铝(Al N)外延层。并在此高质量Al N薄膜的基础上开发了基于纳米压印光刻技术、干法刻蚀和湿法腐蚀... 采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面蓝宝石衬底上异质外延厚度1μm、具有原子级平整表面的高质量氮化铝(Al N)外延层。并在此高质量Al N薄膜的基础上开发了基于纳米压印光刻技术、干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的工艺,通过自上而下的方法制备得到了大面积范围内规则排列的Al N纳米柱阵列,纳米柱的高度和直径分别为1μm和535 nm。研究结果表明,高晶体质量的Al N材料以及基于AZ400K溶液的湿法腐蚀工艺是制备无腐蚀坑且侧壁光滑的垂直Al N纳米柱阵列的关键。Al N纳米柱阵列的制备为深紫外纳米柱发光器件的研究奠定了基础。 展开更多
关键词 氮化铝 纳米柱 纳米压印光刻 湿法腐蚀 自上而下法
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