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置氢TC4钛合金与C/SiC复合材料钎焊接头界面组织和结构
1
作者
王宇欣
张丽霞
+1 位作者
王军
冯吉才
《焊接学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第10期105-108,118,共4页
采用AgCu箔片对不同置氢含量的TC4钛合金与C/SiC复合材料进行了钎焊连接.借助SEM,EDS,XRD等分析手段对接头的微观组织、界面结构进行研究,并分析了钎焊工艺参数的影响.结果表明,钎焊温度810℃,保温时间10 min时,置氢含量0.3%的接头界面...
采用AgCu箔片对不同置氢含量的TC4钛合金与C/SiC复合材料进行了钎焊连接.借助SEM,EDS,XRD等分析手段对接头的微观组织、界面结构进行研究,并分析了钎焊工艺参数的影响.结果表明,钎焊温度810℃,保温时间10 min时,置氢含量0.3%的接头界面结构为置氢钛合金/针状韦德曼组织/Ti(s.s)+Ti2Cu过共析组织/Ti2Cu+TiCu+Ti3Cu4扩散带/Ag(s.s)+Cu(s.s)/Ti2Cu+Ti5Si3/TiC/复合材料.不同氢含量下接头的界面产物基本相同,但接头反应层总厚度随置氢含量的增加而增大.随着钎焊温度升高或时间延长,复合材料侧Ti5Si3等化合物逐渐增多,TiC反应层变得连续且厚度增加.
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关键词
置氢钛合金
复合材料
真空钎焊
界面结构
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职称材料
题名
置氢TC4钛合金与C/SiC复合材料钎焊接头界面组织和结构
1
作者
王宇欣
张丽霞
王军
冯吉才
机构
哈尔滨工业大学现代
焊接
生产技术国家重点实验
室
中国核电工程有限公司核设备所工程焊接室
出处
《焊接学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第10期105-108,118,共4页
文摘
采用AgCu箔片对不同置氢含量的TC4钛合金与C/SiC复合材料进行了钎焊连接.借助SEM,EDS,XRD等分析手段对接头的微观组织、界面结构进行研究,并分析了钎焊工艺参数的影响.结果表明,钎焊温度810℃,保温时间10 min时,置氢含量0.3%的接头界面结构为置氢钛合金/针状韦德曼组织/Ti(s.s)+Ti2Cu过共析组织/Ti2Cu+TiCu+Ti3Cu4扩散带/Ag(s.s)+Cu(s.s)/Ti2Cu+Ti5Si3/TiC/复合材料.不同氢含量下接头的界面产物基本相同,但接头反应层总厚度随置氢含量的增加而增大.随着钎焊温度升高或时间延长,复合材料侧Ti5Si3等化合物逐渐增多,TiC反应层变得连续且厚度增加.
关键词
置氢钛合金
复合材料
真空钎焊
界面结构
Keywords
hydrogenated TC4 titanium alloy
composite
vacuum brazing
interfacial microstructure
分类号
TG454 [金属学及工艺—焊接]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
置氢TC4钛合金与C/SiC复合材料钎焊接头界面组织和结构
王宇欣
张丽霞
王军
冯吉才
《焊接学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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职称材料
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