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超级电容器RuO_2·nH_2O电极材料的热处理工艺 被引量:2
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作者 刘泓 甘卫平 +3 位作者 黄波 师响 刘继宇 郑峰 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1546-1551,共6页
以RuCl3·3H2O水溶液为电沉积液,采用直流-示差脉冲组合电沉积技术制备超级电容器用钽基RuO2·nH2O薄膜阴极材料。借助扫描电镜、X射线衍射仪和电化学分析仪,研究RuO2·nH2O薄膜的微观形貌、物相结构、循环伏安和充放电性... 以RuCl3·3H2O水溶液为电沉积液,采用直流-示差脉冲组合电沉积技术制备超级电容器用钽基RuO2·nH2O薄膜阴极材料。借助扫描电镜、X射线衍射仪和电化学分析仪,研究RuO2·nH2O薄膜的微观形貌、物相结构、循环伏安和充放电性能。实验结果表明:RuCl3·3H2O先驱体经热处理后转变成RuO2·nH2O薄膜,呈不定形结构时能获得较大的比电容;随着热处理温度的升高,薄膜材料的附着力提高,RuO2·nH2O薄膜由不定形结构向晶体结构转变,随之薄膜的比电容下降;在300℃热处理的RuO2·nH2O薄膜电极材料,其比电容为466F/g,薄膜与钽基体的附着力为11.3MPa,薄膜的单位面积质量为2.5mg/cm2,1000次充放电循环后比电容为循环前的93.1%。 展开更多
关键词 超级电容器 氧化钌薄膜 直流-示差脉冲电沉积 热处理
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Ta-Ta2O5-电解液导电体系界面特性的实验研究
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作者 陆胜 蒋春强 +1 位作者 潘平华 陈红征 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期118-120,共3页
分析了阀金属钽氧化膜的形成过程,伏安特性测试结果表明Ta-Ta_2O_5-电解液体系具有单向导电性。电场作用下,电解液中O^(2-)跃过氧化膜/电解液界面,在氧化膜中形成定向迁移,同时引发膜内二次电子场助发射是该体系的主要导电机理。实验表... 分析了阀金属钽氧化膜的形成过程,伏安特性测试结果表明Ta-Ta_2O_5-电解液体系具有单向导电性。电场作用下,电解液中O^(2-)跃过氧化膜/电解液界面,在氧化膜中形成定向迁移,同时引发膜内二次电子场助发射是该体系的主要导电机理。实验表明,大量二次电子导致介质膜雪崩式击穿是该体系闪火的主要原因,在电解液中添加适量有机物,可以屏蔽O^(2-)使电解液的闪火电压提高30V以上,从而提高液体钽电解电容器的性能。 展开更多
关键词 阳极氧化膜 介电特性 整流效应 闪火电压
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低温烧结压电陶瓷驱动器用材料特性研究 被引量:4
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作者 张静 李正权 +3 位作者 褚涛 李慧琴 江平 郭亚雄 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第4期502-506,共5页
以Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-Pb(Zr_(0.41)Ti_(0.59))O_(3)(PNN-PZT)为基础体系,通过对烧结助剂x%CuO(质量比)和y%LiBiO_(2)(质量比)的质量进行调节,对陶瓷样品的相结构、微观组织形貌及电学性能进行了分析,阐述了助烧剂对陶瓷样品性... 以Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-Pb(Zr_(0.41)Ti_(0.59))O_(3)(PNN-PZT)为基础体系,通过对烧结助剂x%CuO(质量比)和y%LiBiO_(2)(质量比)的质量进行调节,对陶瓷样品的相结构、微观组织形貌及电学性能进行了分析,阐述了助烧剂对陶瓷样品性能的影响。结果发现,在温度940~960℃下陶瓷烧结成瓷,且晶粒长大较充分。当x=0.2,y=1时,陶瓷样品的电学性能最优,即此时压电常数d_(33)=608 pC/N,机电耦合系数k_(p)=0.65,介电损耗tanδ=2.19%,介电常数ε_(r)=3843。采用烧结助剂质量比x=0.2,y=1的粉体制备7 mm×7 mm×36 mm的叠层压电驱动器,然后进行微观组织形貌和位移特性研究。叠层压电驱动器断面微观结构表明,电极层与陶瓷层粘接紧密,无裂缝或间隙产生。位移的测试结果表明,随着电压的增加,位移也在逐渐增加,在驱动电压为150 V时,其最大位移为46.280μm,位移增大的同时,迟滞逐渐降低。 展开更多
关键词 PNN-PZT 叠层压电陶瓷 烧结助剂 低温共烧
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Sn-Ge改性BCZT无铅压电陶瓷的结构与性能 被引量:1
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作者 江平 张静 +3 位作者 褚涛 李政权 钟敏 郭亚雄 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第4期513-515,520,共4页
采用传统的固相反应法将Sn、Ge以不同质量比掺入(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.09)Ti_(0.91-2x)Sn_(x)Ge_(x))O_(3)(x为质量比)无铅压电陶瓷中,研究其相结构、微观组织、介电性能和压电性能的影响。结果表明,Sn、Ge掺入晶体内部后仍为单... 采用传统的固相反应法将Sn、Ge以不同质量比掺入(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.09)Ti_(0.91-2x)Sn_(x)Ge_(x))O_(3)(x为质量比)无铅压电陶瓷中,研究其相结构、微观组织、介电性能和压电性能的影响。结果表明,Sn、Ge掺入晶体内部后仍为单一的钙钛矿结构,没有明显的第二相产生,但掺杂引起了晶体内部晶格的变化。随着Sn、Ge掺杂量的逐渐增加,其压电常数和机电耦合系数呈现先增大后减小的趋势。当Sn、Ge的掺杂量x=0.032时,该体系的居里温度最高(为122℃)。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 锆钛酸钙钡(BCZT) 微观结构 电性能
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