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题名基于GaN的多倍频程宽带功率放大电路设计
被引量：3
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作者
谢晓峰
肖仕伟
郑贵强
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机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
中国工程物理研究院研究生部
中国工程物理研究院高新技术装备发展中心
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期356-360,共5页
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文摘
随着第三代半导体GaN技术的发展成熟,GaN功率器件在各种电子系统中逐渐得到了广泛应用。由于GaN的功率器件具有击穿场强高和功率密度大的特点,因此很适合应用于功率放大技术中。结合商用GaN高电子迁移率晶体管的自身特性,基于GaN高电子迁移率晶体管的大信号模型,采用电抗匹配的方式,通过ADS软件进行仿真优化,设计并制作了0.5～4 GHz的宽带GaN功率放大器。最终测试结果表明,功率放大器在0.5～4 GHz的频带内,线性增益大于8.5 dB,增益平坦度为±1.3 dB。功率放大器饱和输出功率大于7 W,各个频点的最大功率附加效率大于22%,其中在1～3.75 GHz内饱和输出功率大于10 W,最大功率附加效率均大于40%。
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关键词
氮化镓
功率放大器
宽带
第三代半导体
微波放大器
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Keywords
GaN
power amplifier
broadband
the third generation semiconductor
microwave amplifier
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分类号
TN722
[电子电信—电路与系统]
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题名多倍频程GaN分布式功率放大器的设计与实现
被引量：2
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作者
谢晓峰
肖仕伟
沈川
吴尚昀
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机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
中国工程物理研究院研究生部
中国工程物理研究院高新技术装备发展中心
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2013年第4期74-77,共4页
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文摘
分布式放大器结构是一种能够实现极宽带宽的放大电路结构。不过由于晶体管自身功率密度的限制,分布式放大器大多用于小信号放大器的设计中。第3代宽禁带半导体GaN具有击穿场强高、输出功率密度大的优点,随着GaN晶体管的发展成熟,将其应用于分布式放大器结构中能够实现宽带功率放大器。本文采用4个GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)分立器件进行分布式功率放大器设计,并以混合集成电路工艺加工,实现了0.3～2.5GHz的多倍频程宽带功率放大器。最终得到的测量结果显示,功率放大器在0.3～2.5GHz的频带内,饱和输出功率大于39dBm,线性增益大于8dB,最大PAE大于15%。
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关键词
GAN
分布式放大器
宽带
功率放大器
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Keywords
GaN, distributed amplifier, wideband, power amplifier
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分类号
TN722.75
[电子电信—电路与系统]
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