美国核武器实验室太赫兹技术与应用研究 被引量：3

1

作者 朱礼国 孟坤 +6 位作者 彭龙瑶 钟森城 刘乔 王德田 彭其先 赵剑衡 李泽仁 《太赫兹科学与电子信息学报》 2013年第4期501-506,511,共7页

超快激光技术、半导体技术以及电子技术的迅速发展为太赫兹波的产生提供了稳定、可靠的激发光源和探测器,从而使太赫兹科学技术的研究和应用得到了蓬勃发展,目前已成为国际上的研究热点。本文介绍了美国3大核武器实验室和美国重要国家... 超快激光技术、半导体技术以及电子技术的迅速发展为太赫兹波的产生提供了稳定、可靠的激发光源和探测器,从而使太赫兹科学技术的研究和应用得到了蓬勃发展,目前已成为国际上的研究热点。本文介绍了美国3大核武器实验室和美国重要国家实验室在太赫兹科学技术以及应用研究中开展的工作,并对其太赫兹技术的发展态势进行了分析。简单分析了太赫兹技术对武器物理研究的促进作用及其研究方向,例如:极端条件下材料的太赫兹表征与调控研究、含能材料化学反应动力学研究、冲击波与爆轰物理瞬态诊断研究等。 展开更多

关键词 太赫兹源 关键器件 光谱成像 发展态势 武器物理

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基于太赫兹时域光谱技术的水蒸气传输特性研究 被引量：4

2

作者 周逊 邓琥 +1 位作者 罗振飞 王度 《红外》 CAS 2013年第6期20-24,共5页

为了评估太赫兹波在空间通信、雷达、遥感等方面的潜在应用,需要研究太赫兹波在大气中的传输特性。由于0.1～2 THz的太赫兹波在大气中传输的主要衰减来自水蒸气,采用太赫兹时域光谱技术(THz Time-Domain Spectroscopy,THz-TDS),在2 m长... 为了评估太赫兹波在空间通信、雷达、遥感等方面的潜在应用,需要研究太赫兹波在大气中的传输特性。由于0.1～2 THz的太赫兹波在大气中传输的主要衰减来自水蒸气,采用太赫兹时域光谱技术(THz Time-Domain Spectroscopy,THz-TDS),在2 m长的太赫兹传输行程中对不同湿度的空气进行了透射光谱测量,获得了水蒸气在0.1～2THz频率范围内的吸收谱、传输率和弱衰减窗口。 展开更多

关键词 太赫兹时域光谱技术 水蒸气 吸收谱 传输率 窗口

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第二届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会征文通知(第二轮)

3

《太赫兹科学与电子信息学报》 2014年第4期641-641,共1页

中国兵工学会太赫兹应用技术专业委员会是2011年经国家民政部和中国科协批准成立的太赫兹领域的全国性学会,挂靠中国工程物理研究院。专委会于2012年9月14~17日在北京举办了"第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会",7位... 中国兵工学会太赫兹应用技术专业委员会是2011年经国家民政部和中国科协批准成立的太赫兹领域的全国性学会,挂靠中国工程物理研究院。专委会于2012年9月14~17日在北京举办了"第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会",7位院士、23名特邀报告专家。 展开更多

关键词 太赫兹 学术交流 中国兵工学会 性学会 特邀报告 应用技术 中国科协 国家民政部 投稿论文 论文格式要求

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第二届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会征文通知(第一轮)

4

《太赫兹科学与电子信息学报》 2014年第2期321-321,共1页

中国兵工学会太赫兹应用技术专业委员会是2011年经国家民政部和中国科协批准成立的太赫兹领域的全国性学会,挂靠中国工程物理研究院。专委会于2012年9月14~17日在北京举办了"第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会",7位... 中国兵工学会太赫兹应用技术专业委员会是2011年经国家民政部和中国科协批准成立的太赫兹领域的全国性学会,挂靠中国工程物理研究院。专委会于2012年9月14~17日在北京举办了"第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会",7位院士、23名特邀报告专家。 展开更多

关键词 学术交流 太赫兹 中国兵工学会 国家民政部 应用技术 性学会 特邀报告 中国科协 应用研究

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羰基铁材料太赫兹光谱研究

5

作者 周逊 邓琥 +1 位作者 罗振飞 王度 《红外》 CAS 2013年第8期35-39,共5页

为了评估羰基铁材料在太赫兹波段的屏蔽性能,采用太赫兹时域光谱技术分别对参考样品、0.5 mm羰基铁样品和1mm羰基铁样品进行了透射光谱测量。分析表明,随着羰基铁样品厚度的增加,太赫兹时域光谱脉宽增加、峰值减小,频域光谱范围减小。... 为了评估羰基铁材料在太赫兹波段的屏蔽性能,采用太赫兹时域光谱技术分别对参考样品、0.5 mm羰基铁样品和1mm羰基铁样品进行了透射光谱测量。分析表明,随着羰基铁样品厚度的增加,太赫兹时域光谱脉宽增加、峰值减小,频域光谱范围减小。羰基铁样品的最大屏蔽效能为66 dB左右。0.5 mm和1 mm羰基铁样品的屏蔽效能大于60dB的区间分别是0.76 THz～1.46THz和0.49THz～1.48THz。 展开更多

关键词 太赫兹 羰基铁 屏蔽效能

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基于硅基石墨烯的全光控太赫兹波强度调制系统研究 被引量：1

6

作者 彭龙瑶 钟森城 +6 位作者 朱礼国 孟坤 刘乔 彭其先 赵剑衡 张蓉竹 李泽仁 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第3期974-978,共5页

在太赫兹通信等系统中需要利用太赫兹波调制器对信号进行调制。基于Ga As等传统半导体材料设计和制作的调制器在太赫兹波段的响应过低,因而很难应用于太赫兹系统。为了弥补传统调制技术在带宽和调制深度不够的缺点,设计了一种全新的基... 在太赫兹通信等系统中需要利用太赫兹波调制器对信号进行调制。基于Ga As等传统半导体材料设计和制作的调制器在太赫兹波段的响应过低,因而很难应用于太赫兹系统。为了弥补传统调制技术在带宽和调制深度不够的缺点,设计了一种全新的基于硅基石墨烯的全光控太赫兹强度调制系统。该调制系统利用材料中光生载流子对太赫兹波的吸收特性,通过调节照射到材料上的可见光光强来改变光生载流子浓度,从而实现对太赫兹波强度调制。从理论和实验两方面对这种新型太赫兹强度调制系统的调制深度和调制带宽进行了研究。研究结果表明,在泵浦光功率密度为18 m W/mm2时,该调制系统能在实验使用的THz-TDS测试系统（0.1~2.5 THz）的整个频谱范围内进行有效的调制,调制深度可达到12%。且随着泵浦光能量的增大,调制深度增大。 展开更多

关键词 太赫兹波 石墨烯 太赫兹强度调制器 光生载流子 调制深度 透射率谱

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基于二氧化钒薄膜的太赫兹开关器件 被引量：4

7

作者 郭超 罗振飞 +4 位作者 王度 孔维鹏 孙年春 杨存榜 周逊 《太赫兹科学与电子信息学报》 2014年第5期644-646,652,共4页

二氧化钒(VO2)作为一种优质的光电功能材料一直备受人们的关注,在信息存储、光调制器、太阳能电池、光电探测器等方面有着重要应用。采用磁控溅射及原位退火氧化的"两步法"制备了VO2薄膜,并对其进行晶态、形貌表征。设计并搭... 二氧化钒(VO2)作为一种优质的光电功能材料一直备受人们的关注,在信息存储、光调制器、太阳能电池、光电探测器等方面有着重要应用。采用磁控溅射及原位退火氧化的"两步法"制备了VO2薄膜,并对其进行晶态、形貌表征。设计并搭建VO2薄膜热致相变实验系统,研究了VO2薄膜在变温条件下对2.52 THz辐射的开关特性。结果表明,VO2薄膜样品为多晶态,具有明显的太赫兹调制效果,可以实现对2.52 THz波的调制,并可作为太赫兹开关/调制器件的功能材料。 展开更多

关键词 太赫兹 VO2薄膜 开关器件 热致相变

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FOX-7太赫兹波吸收特性及理论计算 被引量：2

8

作者 孟增睿 尚丽平 +1 位作者 杜宇 邓琥 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第4期1121-1125,共5页

为了研究新型高能钝感材料1,1-二氨基-2,2-二硝基乙烯（FOX-7）的分子结构特性,采用太赫兹时域光谱技术对FOX-7在0.2-2.3 THz波谱范围内的吸收光谱进行了探测,得到了待测样品的太赫兹吸收谱线,确定了其特征吸收峰的位置。基于密度泛函... 为了研究新型高能钝感材料1,1-二氨基-2,2-二硝基乙烯（FOX-7）的分子结构特性,采用太赫兹时域光谱技术对FOX-7在0.2-2.3 THz波谱范围内的吸收光谱进行了探测,得到了待测样品的太赫兹吸收谱线,确定了其特征吸收峰的位置。基于密度泛函理论（DFT）对FOX-7单分子和晶体结构在小于2.4 THz范围内的吸收光谱进行了模拟计算,结果表明分子间相互作用对FOX-7吸收峰的形成起到很大的作用。完成了对实验光谱中特征吸收峰振动模式的分析和指认：1.59 THz处吸收峰的光谱特征主要由―NO2和―NH2的摆动造成,2.12 THz处吸收峰光谱特征的产生包含―NO2和―NH2的摆动以及各自的扭动。 展开更多

关键词 FOX-7 太赫兹时域光谱 特征吸收峰 DFT 晶体结构

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体声波滤波器的片上测试与性能表征 被引量：4

9

作者 高杨 蔡洵 +1 位作者 贺学锋 刘海涛 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2015年第5期729-733,共5页

为了表征制备的L波段体声波(BAW)滤波器的性能,采用射频探针台和矢量网络分析仪片上测试获得了BAW滤波器的S参数;在ADS软件环境下计算了BAW滤波器的各项性能参数。比较实测与仿真得到的S参数曲线,发现:低阻硅衬底会使BAW滤波器的带内插... 为了表征制备的L波段体声波(BAW)滤波器的性能,采用射频探针台和矢量网络分析仪片上测试获得了BAW滤波器的S参数;在ADS软件环境下计算了BAW滤波器的各项性能参数。比较实测与仿真得到的S参数曲线,发现:低阻硅衬底会使BAW滤波器的带内插损显著增加;BAW滤波器中各薄膜体声波谐振器(FBAR)单元的薄膜沉积厚度误差会使BAW滤波器的带内波动偏大,且FBAR薄膜厚度较设计值增大时BAW滤波器的中心频率会向下偏移。以制备的一只BAW滤波器为例,测得其中心频率为1 495MHz,带宽为17MHz,带内插损为-46.413dB,带内波动为2.816dB,带外抑制为-72.525dB/-79.356dB,电压驻波比为1.940。该文给出的BAW滤波器片上测试与性能表征方法具有通用性。 展开更多

关键词 体声波 滤波器 射频探针台 矢量网络分析仪 低阻硅

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一种基于共面波导的0.14THz低噪声放大器设计 被引量：1

10

作者 康小克 邓贤进 陈樟 《太赫兹科学与电子信息学报》 2013年第3期332-335,共4页

为解决低噪声放大器设计中过渡电路的实现问题,对基于共面波导的波导-平面电路过渡形式进行改进和优化,设计了一种工作频率为0.14 THz,带宽10 GHz的低噪声放大器。通过仿真,得到了输入输出回波损耗小于-27 dB,插入损耗小于0.1 dB的结果... 为解决低噪声放大器设计中过渡电路的实现问题,对基于共面波导的波导-平面电路过渡形式进行改进和优化,设计了一种工作频率为0.14 THz,带宽10 GHz的低噪声放大器。通过仿真,得到了输入输出回波损耗小于-27 dB,插入损耗小于0.1 dB的结果。此种方法能够很好地实现信号在不同传输线形式间的转换,并得到了无源测试验证。 展开更多

关键词 低噪声放大器 共面波导 石英基板 0 14 THZ

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薄膜体声波谐振器的测试与表征 被引量：5

11

作者 蔡洵 高杨 +1 位作者 黄振华 刘海涛 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第10期660-665,共6页

为了表征所制备的L波段通孔型AlN薄膜体声波谐振器(FBAR)的性能,使用射频探针台和矢量网络分析仪测得FBAR的S参数,扫频步长为1 MHz;为了避免使用3 dB带宽法计算FBAR Q值产生的较大误差,采用阻抗相位微分法,在ADS软件环境下计算出FBAR的... 为了表征所制备的L波段通孔型AlN薄膜体声波谐振器(FBAR)的性能,使用射频探针台和矢量网络分析仪测得FBAR的S参数,扫频步长为1 MHz;为了避免使用3 dB带宽法计算FBAR Q值产生的较大误差,采用阻抗相位微分法,在ADS软件环境下计算出FBAR的Q值。比较实测的S参数及Mason模型仿真得到的S参数发现:采用低阻硅衬底会使FBAR的Q值降低;制备的FBAR中膜层的偏厚会使其谐振频率向低处漂移。制备的性能较好的FBAR,其串联谐振频率为1.509 GHz,Q值为60.4,并联谐振频率为1.523 GHz,Q值为523.4,有效机电耦合系数为2.25%。给出的FBAR片上测试与性能表征方法具有通用性。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(FBAR) 品质因数 有效机电耦合系数 射频探针台 矢量网络分析仪 低阻硅

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43GHz低功耗和低相噪VCO设计

12

作者 罗将 何进 +4 位作者 吴欢成 王豪 常胜 黄启俊 熊永忠 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第7期161-164,共4页

基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个43GHz低功耗和低相噪压控振荡器（VCO）.通过去除尾电流管及改进偏置电路降低了VCO核的功耗和相噪,改进LC谐振回路设计抑制二次谐波噪声进一步改善了整个VCO的相噪.通过后仿真验证,在0～1.2V调谐电压作... 基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个43GHz低功耗和低相噪压控振荡器（VCO）.通过去除尾电流管及改进偏置电路降低了VCO核的功耗和相噪,改进LC谐振回路设计抑制二次谐波噪声进一步改善了整个VCO的相噪.通过后仿真验证,在0～1.2V调谐电压作用下,所设计VCO的调谐范围为41.36～44.56GHz;在1.2V电源电压下整个VCO核的功耗仅为4.8 mW;在中心频率43GHz频偏1 MHz和10 MHz处的相位噪声分别为-97.5dBc/Hz和-119.5dBc/Hz;在外接50Ω负载的情况下,中心频率43GHz处输出功率为-5dBm. 展开更多

关键词 CMOS 毫米波 VCO 低功耗 低相噪

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