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硅基底和金刚石基底上沉积ZnO薄膜工艺研究
被引量：
7
1
作者
陈颖慧
高杨
+1 位作者
席仕伟
赵兴海
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期25-28,共4页
采用射频磁控溅射方法分别在硅基底和金刚石基底上制备ZnO薄膜,研究了硅和金刚石衬底的不同对ZnO薄膜生长机理的影响,同时分析了氩氧比和退火温度这两个工艺参数对薄膜的晶格取向和表面形貌的影响。利用XRD和AFM对ZnO压电薄膜的性能进...
采用射频磁控溅射方法分别在硅基底和金刚石基底上制备ZnO薄膜,研究了硅和金刚石衬底的不同对ZnO薄膜生长机理的影响,同时分析了氩氧比和退火温度这两个工艺参数对薄膜的晶格取向和表面形貌的影响。利用XRD和AFM对ZnO压电薄膜的性能进行了测试。结果显示,金刚石基片上制备的薄膜表面状态远优于硅基片上的薄膜表面状态;在同类型基底上生长的ZnO薄膜,薄膜的晶格取向随着氩氧比的升高而增强;对于硅基底上生长的ZnO薄膜,适当的退火能够成倍地提高薄膜的c轴取向性。
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关键词
声表面波滤波器
ZNO薄膜
金刚石
射频磁控溅射
氩氧比
退火温度
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职称材料
题名
硅基底和金刚石基底上沉积ZnO薄膜工艺研究
被引量：
7
1
作者
陈颖慧
高杨
席仕伟
赵兴海
机构
中国工程物理研究院
电子
工程
研究
所
中国工程物理研究院北京研究生部．北京
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期25-28,共4页
基金
中国工程物理研究院科技发展基金重点课题(2008A0403016,2010A0302013)
文摘
采用射频磁控溅射方法分别在硅基底和金刚石基底上制备ZnO薄膜,研究了硅和金刚石衬底的不同对ZnO薄膜生长机理的影响,同时分析了氩氧比和退火温度这两个工艺参数对薄膜的晶格取向和表面形貌的影响。利用XRD和AFM对ZnO压电薄膜的性能进行了测试。结果显示,金刚石基片上制备的薄膜表面状态远优于硅基片上的薄膜表面状态;在同类型基底上生长的ZnO薄膜,薄膜的晶格取向随着氩氧比的升高而增强;对于硅基底上生长的ZnO薄膜,适当的退火能够成倍地提高薄膜的c轴取向性。
关键词
声表面波滤波器
ZNO薄膜
金刚石
射频磁控溅射
氩氧比
退火温度
Keywords
SAW filter
ZnO film
diamond
RF reactive magnetron sputtering
the ratio of Ar/02
annealing temperature
分类号
TP212.2 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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作者
出处
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被引量
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1
硅基底和金刚石基底上沉积ZnO薄膜工艺研究
陈颖慧
高杨
席仕伟
赵兴海
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012
7
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