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作者 陈东(编译) 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期817-818,共2页
北京理工大学研究人员提出高分子与剪切的协同促进单晶快速生长的新机制经典结晶理论认为,剪切流容易引起二次成核,不利于大单晶生长。故而现有单晶制备技术普遍避免外界环境扰动,使得高品质的单晶生长通常需要数小时至数天。北京理工... 北京理工大学研究人员提出高分子与剪切的协同促进单晶快速生长的新机制经典结晶理论认为,剪切流容易引起二次成核,不利于大单晶生长。故而现有单晶制备技术普遍避免外界环境扰动,使得高品质的单晶生长通常需要数小时至数天。北京理工大学的研究突破了人们对传统晶体生长机理的认知,研究发现在高分子,特别是聚离子液体(Poly(ionic liquid),PIL)存在的过饱和溶液中,剪切力场会让晶体生长的更快、更大。 展开更多
关键词 单晶生长 晶体生长机理 聚离子液体 北京理工大学 剪切流 过饱和溶液 二次成核 环境扰动
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