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SrAl2O4:Eu^2+,Dy^3+时间分辨手印成像研究 被引量:3
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作者 熊晓波 袁曦明 +2 位作者 尹国祥 张剑 段冶 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第20期2843-2847,共5页
研究了以铝酸锶为基质,Eu2+和Dy3+共掺杂的长余辉粉体(SED)光学性质,将长余辉粉体与铁粉混合,用于刷显不同客体上的潜在手印,采集了手印发光图像,与普通荧光粉进行了手印显现、成像对比研究。实验结果表明,长余辉粉体适用于非渗透性和... 研究了以铝酸锶为基质,Eu2+和Dy3+共掺杂的长余辉粉体(SED)光学性质,将长余辉粉体与铁粉混合,用于刷显不同客体上的潜在手印,采集了手印发光图像,与普通荧光粉进行了手印显现、成像对比研究。实验结果表明,长余辉粉体适用于非渗透性和半渗透性客体上的手印显现,其超长余辉性质,可以消除(降低)背景干扰,有助于实现背景图案复杂客体上的手印时间分辨成像。 展开更多
关键词 长余辉粉体 掺杂 手印显现 背景干扰 时间分辨成像
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高岭土补强NR/SBR/BR的红外光谱研究 被引量:5
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作者 管俊芳 程飞飞 陈阳 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期720-723,共4页
通过FT-IR仪,对制备的高岭土/NR/SBR/BR复合材料进行了系统的分析和研究。结果表明:硅烷偶联剂与高岭石表面产生了化学键合;在复合材料的硫化过程中硫磺与橡胶大分子形成了C-Sx-C键;高岭土的加入能够影响C-Sx-C键的形成,其内羟基能与橡... 通过FT-IR仪,对制备的高岭土/NR/SBR/BR复合材料进行了系统的分析和研究。结果表明:硅烷偶联剂与高岭石表面产生了化学键合;在复合材料的硫化过程中硫磺与橡胶大分子形成了C-Sx-C键;高岭土的加入能够影响C-Sx-C键的形成,其内羟基能与橡胶大分子反应;高岭土在偶联剂的作用下融入橡胶基体中,提升了硫化胶的力学性能;FT-IR可以研究高岭土补强NR/SBR/BR复合材料的机理。 展开更多
关键词 高岭土 NR SBR BR 红外光谱
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改性条件对凹凸棒石/魔芋葡甘聚糖复合材料力学性能的影响 被引量:2
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作者 胡盛 杨眉 +3 位作者 周红艳 杨艳 田大听 张升晖 《食品科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第21期85-89,共5页
以魔芋葡甘聚糖(konjac glucomannan,KGM)为基体,用硅烷偶联剂KH-570(γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷)对凹凸棒石改性后,采用溶液共混法制备改性凹凸棒石/魔芋葡甘聚糖复合材料。探讨改性凹凸棒石用量、KH-570用量、改性时间和改性... 以魔芋葡甘聚糖(konjac glucomannan,KGM)为基体,用硅烷偶联剂KH-570(γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷)对凹凸棒石改性后,采用溶液共混法制备改性凹凸棒石/魔芋葡甘聚糖复合材料。探讨改性凹凸棒石用量、KH-570用量、改性时间和改性温度对复合材料力学性能的影响。力学性能测试结果表明:魔芋葡甘聚糖和改性凹凸棒石共混明显改善了复合材料的力学性能。当改性凹凸棒石用量为魔芋葡甘聚糖用量的6%(质量分数,下同)、KH-570用量为凹凸棒石用量的2%、改性时间为35 min、改性温度为60℃时,改性凹凸棒石/魔芋葡甘聚糖复合材料的综合力学性能最好。傅里叶变换红外光谱(Fourier transform-infrared spectra,FT-IR)和扫描电子显微镜(scanning electron microscopy,SEM)测试分析结果表明:复合材料中魔芋葡甘聚糖和改性凹凸棒石之间存在强烈的相互作用和良好的相容性。 展开更多
关键词 魔芋葡甘聚糖 凹凸棒石 改性 复合材料
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烷基咪唑离子液体插层高岭石复合物的制备与表征 被引量:3
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作者 杜小龙 严志飞 +3 位作者 侯壮豪 武树茂 王君霞 吴秀玲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期7122-7126,共5页
以 K-DMSO、K-MeOH 为前驱体成功制备了 K-[Bmim]Br 和 K-[Emim]Br 烷基咪唑离子液体插层高岭石复合物.利用 X 射线衍射(XRD)、红外光谱(FT-IR)、差热分析法(TG-DSC)及扫描电镜(SEM)等技术对产物进行表征.XRD 结果显示离子液体... 以 K-DMSO、K-MeOH 为前驱体成功制备了 K-[Bmim]Br 和 K-[Emim]Br 烷基咪唑离子液体插层高岭石复合物.利用 X 射线衍射(XRD)、红外光谱(FT-IR)、差热分析法(TG-DSC)及扫描电镜(SEM)等技术对产物进行表征.XRD 结果显示离子液体成功进入到高岭石层间,增大了层间距,并且Δd 值随着烷基链增长而增大,同时证明经甲醇插层5~6 d 后,离子液体插层达到最佳条件.FT-IR 结果表明离子液体与高岭石内表面羟基形成氢键.TG-DSC 结果显示离子液体插层后,高岭石的脱羟基温度由490.6℃分别上升到501.5和495.5℃,热稳定性能得到提升. SEM 结果表明插层复合物的形貌较原始高岭石有了明显的改变. 展开更多
关键词 高岭石 离子液体 烷基咪唑 插层复合物 性能
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铌镁酸钡缓冲层对锆钛酸铅薄膜漏电流的抑制 被引量:1
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作者 谢丹丹 周静 +1 位作者 吴智 沈杰 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2019年第11期3403-3408,共6页
将铌镁酸钡(Ba(Mg1/3Nb2/3)O3,BMN)作为缓冲层,通过溶胶-凝胶法制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PZT)铁电薄膜。探究BMN缓冲层对PZT铁电薄膜介电、铁电性能影响。研究发现:BMN缓冲层不仅可以改善PZT薄膜晶化生长,同时阻碍了PZT与Pt... 将铌镁酸钡(Ba(Mg1/3Nb2/3)O3,BMN)作为缓冲层,通过溶胶-凝胶法制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PZT)铁电薄膜。探究BMN缓冲层对PZT铁电薄膜介电、铁电性能影响。研究发现:BMN缓冲层不仅可以改善PZT薄膜晶化生长,同时阻碍了PZT与Pt的互扩散而降低了漏电流。由于对漏电流的抑制作用,适当厚度BMN缓冲层的引入可改善PZT的铁电性能,但随着缓冲层厚度的增加,由于其分压作用,复合膜铁电性减弱。当厚度为10nm时,薄膜的综合性能最好:介电常数εr=1612.03,介电损耗tanδ=0.024,剩余极化值Pr=31.65μC/cm^2,矫顽场Ec=71.5kV/cm,漏电流密度J=4.4×10^-6A/cm^2。 展开更多
关键词 铌镁酸钡缓冲层 锆钛酸铅铁电薄膜 介电损耗 铁电性能 漏电流密度
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