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单粒子效应辐照实验50~500 MeV准单能中子源模拟研究被引量：2: 1; 作者陈启明郭刚 +4 位作者韩金华赵树勇马旭张峥刘建成《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期1633-1639,共7页; 中子引发单粒子效应会影响航空飞行器和地面核设施用电子器件的可靠性。准单能中子是研究中子单粒子效应规律和机理的重要中子源,通过开展辐照实验获取中子单粒子效应截面的能量依赖曲线,能预估器件在不同中子辐射环境中的单粒子错误率... 展开更多; 关键词单粒子效应准单能中子中子能谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于单粒子效应辐照实验的CYCIAE-100白光中子源研究被引量：1: 2; 作者陈启明鲍杰 +6 位作者马旭郭刚赵树勇张峥韩金华张付强李汪田《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期2281-2287,共7页; 中子诱发单粒子效应会影响航空飞行器和地面核设施用电子器件的可靠性。基于质子加速器打靶产生的白光中子束是研究电子器件中子单粒子效应的重要中子源。通过开展辐照实验获取器件中子单粒子效应截面或阈值等信息,能够预测器件在中子... 展开更多; 关键词单粒子效应白光中子源中子能谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

多变量Si杂质诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂研究被引量：2: 3; 作者刘翠翠林楠 +2 位作者马骁宇张月明刘素平《中国光学（中英文）》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1512-1523,共12页; 腔面光学灾变损伤是导致高功率量子阱半导体激光器阈值输出功率受限制的关键因素。通过量子阱混杂技术调整半导体激光器腔面局部区域处有源区材料的带隙宽度,形成对输出光透明的非吸收窗口,可提高激光器输出功率。本文基于InGaAs/AlGaA... 展开更多; 关键词半导体激光器量子阱混杂快速热退火波长蓝移光致发光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

由质子单粒子效应截面预测重离子单粒子效应截面方法研究: 4; 作者马旭韩金华 +4 位作者郭刚陈启明刘建成赵树勇张峥《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期1640-1649,共10页; 基于重离子和质子单粒子效应(SEE)物理机理上的内在关联,得到了重离子SEE截面和质子SEE截面之间的理论联系,建立了由质子SEE截面的实验数据预测重离子的SEE截面的计算方法。该计算方法的关键为质子入射器件沉积能量的等效线性能量转移(L... 展开更多; 关键词单粒子效应重离子质子线性能量转移粒子群优化算法; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC MOSFET的质子单粒子效应: 5; 作者史慧琳郭刚 +4 位作者张峥李府唐刘翠翠张艳文殷倩《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期654-659,共6页; SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在深空探测领域具有广阔的应用前景,但空间质子引发的单粒子效应(SEE)对航天器稳定运行造成了严重威胁。对平面栅结构与非对称沟槽栅结构的SiC MOSFET进行了能量为70、100与200 MeV的质子辐照... 展开更多; 关键词碳化硅(SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 单粒子效应(SEE) 单粒子烧毁(SEB) 电离效应辐射损伤; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名单粒子效应辐照实验50~500 MeV准单能中子源模拟研究被引量：2: 1; 作者陈启明郭刚韩金华赵树勇马旭张峥刘建成; 机构中国原子能科学研究院; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期1633-1639,共7页; 文摘中子引发单粒子效应会影响航空飞行器和地面核设施用电子器件的可靠性。准单能中子是研究中子单粒子效应规律和机理的重要中子源,通过开展辐照实验获取中子单粒子效应截面的能量依赖曲线,能预估器件在不同中子辐射环境中的单粒子错误率。基于核反应理论,研究了50~500 MeV质子与锂相互作用的中子产额及中子单能峰产额,并基于SRIM程序计算了质子在1~3 MeV能损时Li靶厚度随质子能量的变化趋势。选取质子能损为2 MeV时的Li靶厚度,采用蒙特卡罗方法,模拟计算了50~500 MeV质子与Li靶核反应的次级中子产额和不同出射方向的中子能谱。研究结果表明,0°出射方向中子具有最好的单色性,且质子流强为1μA,靶厚在质子能损为2 MeV时,准单能中子注量率可达104~105 cm^(-2)·s^(-1)(距靶5 m),单能峰占比约为50%,可满足中子单粒子效应研究需求。; 关键词单粒子效应准单能中子中子能谱; Keywords single event effect quasi-monoenergetic neutron neutron energy spectrum; 分类号 O571.1 [理学—粒子物理与原子核物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于单粒子效应辐照实验的CYCIAE-100白光中子源研究被引量：1: 2; 作者陈启明鲍杰马旭郭刚赵树勇张峥韩金华张付强李汪田; 机构中国原子能科学研究院; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期2281-2287,共7页; 文摘中子诱发单粒子效应会影响航空飞行器和地面核设施用电子器件的可靠性。基于质子加速器打靶产生的白光中子束是研究电子器件中子单粒子效应的重要中子源。通过开展辐照实验获取器件中子单粒子效应截面或阈值等信息,能够预测器件在中子辐射环境中的失效率,并为有针对性抗辐射加固提供数据支撑。中国原子能科学研究院100 MeV质子回旋加速器(CYCIAE-100)通过质子轰击W靶发生散裂反应可以产生具有连续能量的白光中子。本文基于核反应理论,采用蒙特卡罗方法模拟了100 MeV质子与W靶相互作用产生的中子的产额、能谱和角分布,模拟结果表明,平均1个100 MeV质子可以产生0.33个中子;中子能量范围为0~100 MeV,且随着能量的增加中子注量先增加后减小,峰值在1 MeV附近;沿质子束方向中子角分布具有轴对称性,且随着出射角的增加,中子注量先减小后增加,在90°时,中子注量最小。选取0°出射方向的中子束开展单粒子效应实验,采用基于双液闪探测器的中子飞行时间法测量白光中子能谱,获得了能量范围为3~100 MeV的中子能谱,且当质子束为100 MeV/1μA时,在距离W靶15 m处的中子注量率为3.3×10^(4)cm^(-2)·s^(-1),满足中子单粒子效应实验要求。; 关键词单粒子效应白光中子源中子能谱; Keywords single event effect white neutron source neutron energy spectrum; 分类号 TL11 [核科学技术—核能科学] O571.1 [理学—粒子物理与原子核物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多变量Si杂质诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂研究被引量：2: 3; 作者刘翠翠林楠马骁宇张月明刘素平; 机构中国原子能科学研究院国家原子能机构抗辐照应用技术创新中心中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心中国科学院大学材料科学与光电技术学院日立科学仪器(北京)有限公司; 出处《中国光学（中英文）》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1512-1523,共12页; 基金广东省重点领域研发计划项目(No.2020B090922003) 中核集团"青年英才"科研项目(No.11FY212306000801)。; 文摘腔面光学灾变损伤是导致高功率量子阱半导体激光器阈值输出功率受限制的关键因素。通过量子阱混杂技术调整半导体激光器腔面局部区域处有源区材料的带隙宽度,形成对输出光透明的非吸收窗口,可提高激光器输出功率。本文基于InGaAs/AlGaAs高功率量子阱半导体激光器初级外延片,以外延Si单晶层作为扩散源,结合快速热退火方法开展了杂质诱导量子阱混杂研究。探索了介质层生长温度、介质层厚度、热处理温度、热处理时间等条件对混杂效果的影响。结果表明,50 nm的650℃低温外延Si介质层并结合875℃/90 s快速热退火处理可在保证光致发光谱的同时获得约57 nm的波长蓝移量。能谱测试发现,Si杂质扩散到初级外延片上的波导层是导致量子阱混杂效果显著的关键。; 关键词半导体激光器量子阱混杂快速热退火波长蓝移光致发光谱; Keywords semiconductor lasers quantum well intermixing rapid thermal annealing blue shift photoluminescence spectra; 分类号 TN248.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名由质子单粒子效应截面预测重离子单粒子效应截面方法研究: 4; 作者马旭韩金华郭刚陈启明刘建成赵树勇张峥; 机构中国原子能科学研究院; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期1640-1649,共10页; 文摘基于重离子和质子单粒子效应(SEE)物理机理上的内在关联,得到了重离子SEE截面和质子SEE截面之间的理论联系,建立了由质子SEE截面的实验数据预测重离子的SEE截面的计算方法。该计算方法的关键为质子入射器件沉积能量的等效线性能量转移(LET)谱,将由质子SEE截面计算重离子SEE截面的问题转化为解方程的问题,方程的未知数为表征重离子SEE截面随LET变化的Weibull函数的4个参数,并利用粒子群算法对其求解。选取了3种不同特征尺寸的静态随机存储器(SRAM)对该计算方法进行了验证。结果表明,预测值与实验数据较为符合。该计算方法为获取微电子器件的重离子SEE截面提供了新途径,尤其是为获取倒装器件重离子SEE截面提供了便利。; 关键词单粒子效应重离子质子线性能量转移粒子群优化算法; Keywords single event effect heavy ion proton linear energy transfer particle swarm optimization algorithm; 分类号 O571.1 [理学—粒子物理与原子核物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC MOSFET的质子单粒子效应: 5; 作者史慧琳郭刚张峥李府唐刘翠翠张艳文殷倩; 机构中国原子能科学研究院国家原子能机构抗辐照应用技术创新中心; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期654-659,共6页; 基金国家自然科学基金(U2167208,U2267210) 中核集团青年英才基金项目(11FY212306000801)。; 文摘 SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在深空探测领域具有广阔的应用前景,但空间质子引发的单粒子效应(SEE)对航天器稳定运行造成了严重威胁。对平面栅结构与非对称沟槽栅结构的SiC MOSFET进行了能量为70、100与200 MeV的质子辐照实验。实验结果表明,两种SiC MOSFET的单粒子烧毁(SEB)阈值电压均大于额定漏源电压的75%;SEB阈值电压随质子能量升高而降低。对两种器件进行辐照后栅应力测试发现,两种结构的器件由于沟道不同而对栅应力的响应存在差异;不同的质子能量会在栅极引入不同程度的辐射损伤,低能质子更容易在栅氧化层发生碰撞而引入氧化物潜在损伤。该研究可为揭示SiC MOSFET质子SEE机理和评估抗辐射能力提供参考。; 关键词碳化硅(SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 单粒子效应(SEE) 单粒子烧毁(SEB) 电离效应辐射损伤; Keywords silicon carbide(SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET) single event effect(SEE) single event burnout(SEB) ionization effect radiation damage; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	单粒子效应辐照实验50~500 MeV准单能中子源模拟研究	陈启明郭刚韩金华赵树勇马旭张峥刘建成	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	用于单粒子效应辐照实验的CYCIAE-100白光中子源研究	陈启明鲍杰马旭郭刚赵树勇张峥韩金华张付强李汪田	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	多变量Si杂质诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂研究	刘翠翠林楠马骁宇张月明刘素平	《中国光学（中英文）》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	由质子单粒子效应截面预测重离子单粒子效应截面方法研究	马旭韩金华郭刚陈启明刘建成赵树勇张峥	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	SiC MOSFET的质子单粒子效应	史慧琳郭刚张峥李府唐刘翠翠张艳文殷倩	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料