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基于频谱监测技术的“低慢小”无人机探测定位系统设计
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作者 王奕天 李建华 万政祺 《现代电子技术》 北大核心 2025年第15期11-17,共7页
文中聚焦于城市环境中针对低空非法飞行“低慢小”无人机信号的探测与定位技术,旨在解决当前无人机反制体系中的“预警范围有限”和“定位不精准”等关键问题。主要研究内容包括:基于协同频谱感知的高灵敏度信号检测方法和基于信号重构... 文中聚焦于城市环境中针对低空非法飞行“低慢小”无人机信号的探测与定位技术,旨在解决当前无人机反制体系中的“预警范围有限”和“定位不精准”等关键问题。主要研究内容包括:基于协同频谱感知的高灵敏度信号检测方法和基于信号重构的高精度时差估计算法。在此基础上,开发出适用于复杂城市环境的样机实物系统,实现了全天候、全自动对低空黑飞无人机的探测、识别及轨迹跟踪功能。经测试,该系统能够精确定位无人机,最大定位距离为5 km,具备识别市面常用机型的能力,为反制与打击行动提供了有力支持。研究成果为提升城市低空空域安全提供了重要的技术支撑和实际价值。 展开更多
关键词 无人机反制 频谱监测 TDOA 无人机信号 定位 协同频谱感知
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无人机在森林防火中的应用研究 被引量:6
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作者 徐凯男 朱红伟 《林业机械与木工设备》 2024年第8期57-60,63,共5页
近年来,无人机遥感技术因其机动灵活、时效性强、成本低等优势,成为了卫星遥感及有人机遥感的有益补充,并逐渐成为了森林防火的新技术手段。为了理清无人机在整个森林防火中的功能和使用方法,首先对森林防火中无人机搭载传感器的应用进... 近年来,无人机遥感技术因其机动灵活、时效性强、成本低等优势,成为了卫星遥感及有人机遥感的有益补充,并逐渐成为了森林防火的新技术手段。为了理清无人机在整个森林防火中的功能和使用方法,首先对森林防火中无人机搭载传感器的应用进行系统阐述;然后对无人机在森林火灾灾前预测、火灾实时监测及灾后调查评估三个阶段的相关研究进行分析;最后对无人机在未来森林防火方面的应用进行展望,以推动无人机在森林防火领域的发展。 展开更多
关键词 无人机 传感器 灾前预测 实时监测 灾后评估
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基于AlGaN/GaN HEMT结构的ZnO纳米线感光栅极光电探测器
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作者 朱彦旭 李建伟 +4 位作者 李锜轩 宋潇萌 谭张杨 李晋恒 王晓冬 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期188-196,共9页
在传统的采用ZnO薄膜的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)光电探测器件中,存在光吸收、光电转换效率低,光电流小等诸多局限.为改善上述问题,基于AlGaN/GaN HEMT结构,提出并成功制备了一种ZnO纳米线... 在传统的采用ZnO薄膜的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)光电探测器件中,存在光吸收、光电转换效率低,光电流小等诸多局限.为改善上述问题,基于AlGaN/GaN HEMT结构,提出并成功制备了一种ZnO纳米线感光栅极光电探测器.实验中首先通过水热法将ZnO纳米线成功制备到Si衬底材料及AlGaN/GaN HEMT衬底材料上,并利用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)仪、扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)、光致发光(photo luminescence,PL)光谱仪等仪器进行了一系列测试.结果表明,生长在AlGaN/GaN HEMT衬底材料上的ZnO纳米线具有更低的缺陷密度、更好的结晶度和更优异的光电特性.然后,将ZnO纳米线成功集成到AlGaN/GaN HEMT器件的栅极上,制备出具有ZnO纳米线感光栅极的AlGaN/GaN HEMT紫外光电探测器.将实验中制备出的具有ZnO纳米线感光栅极的AlGaN/GaN HEMT器件与常规的AlGaN/GaN HEMT器件进行对比,发现具有ZnO纳米线的器件在紫外波段能达到1.15×104A/W的峰值响应度,相比常规结构的AlGaN/GaN HEMT,峰值响应度提升约2.85倍,并且制备的ZnO纳米线器件的响应时间和恢复时间缩短为τr=10 ms和τf=250 ms,提高了探测器的性能. 展开更多
关键词 水热法 紫外 ZNO纳米线 高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor HEMT) 探测器 响应度
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ZnO NW栅极GaN HEMT紫外光探测性能
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作者 朱彦旭 谭张杨 王晓冬 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期2510-2516,共7页
本文实验采用水热生长法,成功制备了以ZnO纳米线为光感应栅极的高电子迁移率晶体管HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件.对HEMT进行源漏(S/D)下刻蚀,刻蚀深度为120/150 nm,探究不同S/D刻蚀深度对器件性能的影响.同时,利用磁控... 本文实验采用水热生长法,成功制备了以ZnO纳米线为光感应栅极的高电子迁移率晶体管HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件.对HEMT进行源漏(S/D)下刻蚀,刻蚀深度为120/150 nm,探究不同S/D刻蚀深度对器件性能的影响.同时,利用磁控溅射法在栅电极沉积ZnO晶籽层,在80℃温度下控制水热生长时间分别为6/8/10 h,探究不同水热生长时间对ZnO纳米线表面形貌以及HEMT紫外探测性能的影响.结果表明,相较于常规结构器件,ZnO纳米线栅极器件在350~450 nm波长范围内具有更高的光吸收率.同样的水热生长时间下,刻蚀深度为150 nm时源漏饱和电流相较于120 nm器件较小,但黑暗/紫外光照下的饱和电流差值更大,最大达到了8 mA,对紫外光表现出更高的探测效率.水热生长时间控制为6 h时纳米线生长形貌良好,且在该生长时间下刻蚀深度为150 nm时,器件光响应/恢复时间达到了最小值,分别为0.0057 s、2.128 s. 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 ZNO纳米线 紫外探测 光响应
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基片温度对脉冲激光沉积ZnS:Co薄膜微结构及光学性质的影响研究 被引量:2
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作者 李树锋 王丽 高东文 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期738-744,共7页
采用脉冲激光沉积技术在石英基片上制备了ZnS:Co薄膜,改变制备过程中石英基片的温度TS,研究了基片温度对薄膜微结构及光学特性的影响。随着基片温度的升高,薄膜的厚度减小,结晶质量得到提升,并朝着(111)方向择优生长。受量子限域效应的... 采用脉冲激光沉积技术在石英基片上制备了ZnS:Co薄膜,改变制备过程中石英基片的温度TS,研究了基片温度对薄膜微结构及光学特性的影响。随着基片温度的升高,薄膜的厚度减小,结晶质量得到提升,并朝着(111)方向择优生长。受量子限域效应的影响,薄膜的光学带隙在基片温度为TS=25℃时最大为3.83 eV,光学带隙先随基片温度增大而减小,并在基片温度为400℃时取得最小值3.5 eV,此后随基片温度增大而增大。此外,薄膜的折射率、消光系数、介电系数等光学参数随基片温度升高均有增大趋势。实验表明在基片温度达到400℃以上时,可以获得综合性能较好的微晶薄膜。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 硫化锌掺钴 薄膜 基片温度
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可膨胀石墨对改性硅橡胶膨胀及燃烧性能的影响 被引量:6
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作者 李建华 《消防科学与技术》 CAS 北大核心 2020年第11期1573-1576,共4页
硅橡胶是有机-无机材料,是一种优良的阻燃材料,在许多领域得到应用,硅橡胶膨胀化后可以扩大其在高端制造和动力电缆防护领域的应用。以可膨胀石墨为膨胀阻燃剂,添加不同含量次磷酸铝制备膨胀硅橡胶材料,研究了硅橡胶的膨胀阻燃性能。采... 硅橡胶是有机-无机材料,是一种优良的阻燃材料,在许多领域得到应用,硅橡胶膨胀化后可以扩大其在高端制造和动力电缆防护领域的应用。以可膨胀石墨为膨胀阻燃剂,添加不同含量次磷酸铝制备膨胀硅橡胶材料,研究了硅橡胶的膨胀阻燃性能。采用氧指数(LOI)、垂直燃烧测试(UL-94)、热失重分析(TGA)、膨胀测试、力学性能等手段对其进行了研究。结果表明:次磷酸铝和可膨胀石墨为1:1时,LOI达到40.8%,UL-94达到V-0等级,力学性能也达到了最佳,从锥量结果看,二者复配时pHRR从455 kW/m2降低到259 kW/m2,且膨胀效果好,炭层强度增强。 展开更多
关键词 复合材料 高温硫化硅橡胶 膨胀阻燃 可膨胀石墨 次磷酸铝
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压强对脉冲激光沉积ZnSe:Co薄膜性质的影响研究
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作者 李树锋 王丽 高东文 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第12期1041-1047,共7页
采用脉冲激光沉积技术在真空腔中制备了ZnSe:Co薄膜。研究了沉积压强对等离子体羽辉传播、薄膜表面形貌,微结构以及光学性质的影响。结果表明,随着压强的增大,等离子体羽辉在空间的传播距离减小,薄膜沉积方式由溅射式沉积转变为吸附式沉... 采用脉冲激光沉积技术在真空腔中制备了ZnSe:Co薄膜。研究了沉积压强对等离子体羽辉传播、薄膜表面形貌,微结构以及光学性质的影响。结果表明,随着压强的增大,等离子体羽辉在空间的传播距离减小,薄膜沉积方式由溅射式沉积转变为吸附式沉积,薄膜的结晶质量得到大幅提升。此外,薄膜的光学带隙随压强的增大而减小,低压条件下制备的薄膜具有较大的带隙值,这与量子限域效应有关。当压强增大到10 Pa时,得到了沿(111)方向择优生长且结晶质量优秀的微晶薄膜。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 硒化锌掺钴 薄膜 压强
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