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WSix沉积前清洗中一种失效现象及改进方法
被引量：
2
1
作者
孙震海
郭国超
韩瑞津
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期245-247,256,共4页
研究并讨论了在WSix制备的前清洗中,用气态氟化氢(HF)清洗时,多晶硅表面有从其体内析出的含磷物,这种析出物很容易跟气态HF中的微量水汽结合,形成HPO3晶体。这样的晶体在Si片表面不容易被检测到,却可以很大程度地影响芯片的良率。本系...
研究并讨论了在WSix制备的前清洗中,用气态氟化氢(HF)清洗时,多晶硅表面有从其体内析出的含磷物,这种析出物很容易跟气态HF中的微量水汽结合,形成HPO3晶体。这样的晶体在Si片表面不容易被检测到,却可以很大程度地影响芯片的良率。本系统观测了这一现象,解释了这种失效的机制,并且给出这种失效模式的解决方案。
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关键词
硅化钨沉积
磷析出
沉积前清洗
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职称材料
题名
WSix沉积前清洗中一种失效现象及改进方法
被引量：
2
1
作者
孙震海
郭国超
韩瑞津
机构
中国
科学院
上海
微系统与信息技术研究所
中国上海宏力半导体制造有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期245-247,256,共4页
文摘
研究并讨论了在WSix制备的前清洗中,用气态氟化氢(HF)清洗时,多晶硅表面有从其体内析出的含磷物,这种析出物很容易跟气态HF中的微量水汽结合,形成HPO3晶体。这样的晶体在Si片表面不容易被检测到,却可以很大程度地影响芯片的良率。本系统观测了这一现象,解释了这种失效的机制,并且给出这种失效模式的解决方案。
关键词
硅化钨沉积
磷析出
沉积前清洗
Keywords
WSix deposition
P out diffuse
pre clean for deposition
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
WSix沉积前清洗中一种失效现象及改进方法
孙震海
郭国超
韩瑞津
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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