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浅沟槽隔离填充的工艺优化分析
1
作者
郭国超
田守卫
《集成电路应用》
2024年第4期50-51,共2页
阐述浅沟槽结构中SiN厚度对填充效果的影响,发现SiN厚度对浅沟槽填充效果存在拐点,并从机理上解释出现拐点的原因,提出有效深宽比的概念,为优化HDP CVD的沉积工艺提供理论依据。
关键词
集成电路应用
浅沟槽隔离
填充
HDP
CVD
深宽比
在线阅读
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职称材料
硅片预清洗处理对LPCVD多晶硅薄膜生长的影响分析
2
作者
郭国超
姜波
《集成电路应用》
2024年第4期48-49,共2页
阐述不同预清洗条件下,晶片表面化学键状态的变化对LPCVD多晶硅沉积速率和晶粒大小的影响,通过实验优化预清洗条件,实现颗粒数降低,同时保持多晶硅薄膜的晶粒大小和沉积速率的稳定。
关键词
集成电路制造
LPCVD
多晶硅薄膜
预清洗
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职称材料
题名
浅沟槽隔离填充的工艺优化分析
1
作者
郭国超
田守卫
机构
中国上海华虹宏力半导体制造有限公司
出处
《集成电路应用》
2024年第4期50-51,共2页
文摘
阐述浅沟槽结构中SiN厚度对填充效果的影响,发现SiN厚度对浅沟槽填充效果存在拐点,并从机理上解释出现拐点的原因,提出有效深宽比的概念,为优化HDP CVD的沉积工艺提供理论依据。
关键词
集成电路应用
浅沟槽隔离
填充
HDP
CVD
深宽比
Keywords
integrated circuit manufacturing
STI
gap fill
HDP CVD
aspect ratio
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
硅片预清洗处理对LPCVD多晶硅薄膜生长的影响分析
2
作者
郭国超
姜波
机构
中国上海华虹宏力半导体制造有限公司
出处
《集成电路应用》
2024年第4期48-49,共2页
文摘
阐述不同预清洗条件下,晶片表面化学键状态的变化对LPCVD多晶硅沉积速率和晶粒大小的影响,通过实验优化预清洗条件,实现颗粒数降低,同时保持多晶硅薄膜的晶粒大小和沉积速率的稳定。
关键词
集成电路制造
LPCVD
多晶硅薄膜
预清洗
Keywords
integrated circuit manufacturing
LPCVD
polysilicon silicon films
pre-cleaning
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
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作者
出处
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1
浅沟槽隔离填充的工艺优化分析
郭国超
田守卫
《集成电路应用》
2024
0
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职称材料
2
硅片预清洗处理对LPCVD多晶硅薄膜生长的影响分析
郭国超
姜波
《集成电路应用》
2024
0
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职称材料
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