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压力测试中引压管的动态特性研究 被引量:12
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作者 叶挺 梁庭 张文栋 《中北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2011年第2期222-226,共5页
采用激波管实验装置对不同长度、不同直径的引压管进行了实验.利用MATLAB编写了快速傅里叶变换(Fast Fourier Transform,FFT)算法,通过FFT算法计算了实验结果的频率特性,分析了长度、直径对引压管动态特性的影响.结果表明:随着直径的增... 采用激波管实验装置对不同长度、不同直径的引压管进行了实验.利用MATLAB编写了快速傅里叶变换(Fast Fourier Transform,FFT)算法,通过FFT算法计算了实验结果的频率特性,分析了长度、直径对引压管动态特性的影响.结果表明:随着直径的增加,引压管的工作频带变宽;长度是最主要的影响因素,直接决定引压管的工作频带,长度越短其工作频带越宽. 展开更多
关键词 压力测试 引压管 动态特性 激波管
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高深宽比硅基微纳结构制造方法及其应用 被引量:6
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作者 穆继亮 郭茂香 +3 位作者 刘冰 陈东红 丑修建 熊继军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期321-327,共7页
三维高深宽比硅基结构是基于微纳制造技术的功能载体或执行机构。其由于小尺寸特征而获得特殊的微纳效应,具有灵敏度高、分辨率高、噪声低、位移量小等特点,在光电、生物、微能源和集成互连等技术领域具有广泛应用前景。主要分析了高深... 三维高深宽比硅基结构是基于微纳制造技术的功能载体或执行机构。其由于小尺寸特征而获得特殊的微纳效应,具有灵敏度高、分辨率高、噪声低、位移量小等特点,在光电、生物、微能源和集成互连等技术领域具有广泛应用前景。主要分析了高深宽比硅基微纳结构的种类及特点;系统综述了该结构的制造方法及国内外研究现状;详细描述了不同外形特征结构的应用领域;从工艺标准、建模仿真、批量生产等方面讨论了高深宽比硅基微纳结构制造存在的技术瓶颈问题,并对高深宽比硅基微纳结构的可靠制造与发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 纳机电系统 高深宽比 硅微结构 刻蚀技术 应用
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遥测PCM码流解码系统的设计 被引量:6
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作者 闫晓燕 武锦辉 《现代电子技术》 2008年第15期135-136,139,共3页
介绍了一种遥测PCM码流解码系统的设计,系统能把接收到的±2.5 V PCM码流和422PCM码流还原出原始数据信息,按照帧结构分路存储。422码流解码的关键是串并的转换,±2.5 VPCM码流解码的关键是码同步和帧同步的实现。给出了PCM解... 介绍了一种遥测PCM码流解码系统的设计,系统能把接收到的±2.5 V PCM码流和422PCM码流还原出原始数据信息,按照帧结构分路存储。422码流解码的关键是串并的转换,±2.5 VPCM码流解码的关键是码同步和帧同步的实现。给出了PCM解码系统硬件电路的设计,并分别介绍了422方式和±2.5 V方式的PCM码流的解调办法。该电路设计已用于某遥测系统的地面测试台,具有工作稳定,抗干扰能力强的特点。 展开更多
关键词 PCM解码 帧同步 码同步 串并转换
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基于DSP的高速外扩存储器的设计 被引量:3
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作者 闫晓燕 张洪亮 《现代电子技术》 2008年第24期4-6,共3页
介绍一种能与DSP速度相匹配的外扩高速存储器的设计,外扩存储器按地址分为2个模块:一个是SRAM模块,另外一个是FLASH模块,一个作为数据存储器,另一个作为地址存储器。采用IS61LV25616作为SRAM,这种存储芯片的存取时间快且功耗低,非常适... 介绍一种能与DSP速度相匹配的外扩高速存储器的设计,外扩存储器按地址分为2个模块:一个是SRAM模块,另外一个是FLASH模块,一个作为数据存储器,另一个作为地址存储器。采用IS61LV25616作为SRAM,这种存储芯片的存取时间快且功耗低,非常适合与高速的DSP配合使用;FLASH采用的是三星公司生产的存储器K9F1G08。各个模块从元器件的选择、硬件实现方面介绍了存储器的实现过程。在FLASH模块中还介绍了K9F1G08写操作流程,并简单描述了DSP的在线编程方法。该系统在现场实时采集系统中发挥了重要的作用,给后续数据的分析提供了宝贵的数据材料。 展开更多
关键词 SRAM 外扩存储器 FLASH高速 DSP
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多步退火对(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜的影响
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作者 杜妙璇 耿文平 +1 位作者 丑修建 张文栋 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第4期263-267,279,共6页
采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb0.97La0.02(Zr0.95Ti0.05)O3反铁电厚膜材料,研究了单步和多步退火工艺对反铁电厚膜结构及电学性能的影响。结果表明:与传统的单步退火方式相比,多步退火工艺制备的反铁电厚膜... 采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb0.97La0.02(Zr0.95Ti0.05)O3反铁电厚膜材料,研究了单步和多步退火工艺对反铁电厚膜结构及电学性能的影响。结果表明:与传统的单步退火方式相比,多步退火工艺制备的反铁电厚膜材料晶粒尺寸较大,结构致密性好,室温下反铁电态更稳定,具有良好的择优取向度(100)、较高的介电常数(达529)和饱和极化强度(达42μC/cm2)。其反铁电-铁电和铁电-反铁电的相变电场强度分别为198和89 kV/cm,反铁电-铁电相变电流密度达2×10-5 A/cm2,多次退火工艺可提高反铁电厚膜的成膜质量。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 反铁电厚膜 退火工艺 微观结构 电学特性
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