题名 高k栅介质材料制备技术研究进展
被引量：2
1
作者
刘冰 穆继亮 陈东红 丑修建 郭涛 熊继军
机构
中北大学 电子 与计算机 科学技术 学院 仪器 科学与 动态 测试 教育部 重点 实验室
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2013年第12期6-9,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(51075374)
文摘
随着半导体器件特征尺寸的不断减小,传统SiO2栅介质减薄到1 nm以下时会导致栅极漏电流增大、器件可靠性下降等诸多问题,已无法满足CMOS技术长远发展要求。因此,寻求替代SiO2的新型栅介质材料,减少器件的隧穿电流,提升可靠性成为CMOS技术的发展方向。如何制备化学性质稳定、性能优异的栅介质薄膜成为高k栅介质材料亟待解决的问题。论述了理想高k栅介质材料的基本要求,重点介绍了高k栅介质材料制备技术的研究进展,并分析指出了高k栅介质材料制备技术的未来发展趋势。
关键词
高介电常数 栅介质 掺杂 制备技术
Keywords
high dielectric constant gate dielectric doping preparation techniques
分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
题名 高深宽比硅基微纳结构制造方法及其应用
被引量：7
2
作者
穆继亮 郭茂香 刘冰 陈东红 丑修建 熊继军
机构
中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期321-327,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(51075374)
文摘
三维高深宽比硅基结构是基于微纳制造技术的功能载体或执行机构。其由于小尺寸特征而获得特殊的微纳效应,具有灵敏度高、分辨率高、噪声低、位移量小等特点,在光电、生物、微能源和集成互连等技术领域具有广泛应用前景。主要分析了高深宽比硅基微纳结构的种类及特点;系统综述了该结构的制造方法及国内外研究现状;详细描述了不同外形特征结构的应用领域;从工艺标准、建模仿真、批量生产等方面讨论了高深宽比硅基微纳结构制造存在的技术瓶颈问题,并对高深宽比硅基微纳结构的可靠制造与发展趋势进行了展望。
关键词
微 纳机电系统 高深宽比 硅微结构 刻蚀技术 应用
Keywords
MEMS/NEMS high aspect ratio silicon microstructure etching technology applications
分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
题名 温度场和电场调控硅基反铁电厚膜相变电流特性研究
被引量：2
3
作者
杨玉华 杜妙璇 关新锋 丑修建 张文栋
机构
中北大学 电子 与计算机 科学技术 学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第9期1212-1216,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(51175483) 山西省高等学校优秀青年学术带头人-人才支持计划资助项目(晋教科[2010]4号) 山西省基础研究计划资助项目(20100210023-6)
文摘
采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上制备了高(100)取向生长、表面平整且结构致密的(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜,研究了温度场和电场对(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜电学性能的影响。实验结果表明反铁电厚膜在温度场和电场作用下发生反铁电相、铁电相和顺电相的相互转变,随外加电场增加,反铁电-铁电相变温度逐渐减小,介电常数峰值由2410减小到662,相变电流密度值由2.21×10-7A/cm2增大到8.52×10-7 A/cm2;随外加温度场增加,反铁电-铁电相变电场强度逐渐减小,饱和极化强度由39μC/cm2减小到31μC/cm2,相变电流密度值由2.89×10-5 A/cm2减小到8.8×10-6 A/cm2,温度场和电场可实现对反铁电厚膜相变电流效应的有效调控。
关键词
PLZT反铁电厚膜 相变 电流密度 温度 电场
Keywords
PLZT antiferroelectric thick film phase transition current density temperature electric field
分类号
TB34
[一般工业技术—材料科学与工程]
题名 遥测PCM码流解码系统的设计
被引量：6
4
作者
闫晓燕 武锦辉
机构
中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室
出处
《现代电子技术》
2008年第15期135-136,139,共3页
文摘
介绍了一种遥测PCM码流解码系统的设计,系统能把接收到的±2.5 V PCM码流和422PCM码流还原出原始数据信息,按照帧结构分路存储。422码流解码的关键是串并的转换,±2.5 VPCM码流解码的关键是码同步和帧同步的实现。给出了PCM解码系统硬件电路的设计,并分别介绍了422方式和±2.5 V方式的PCM码流的解调办法。该电路设计已用于某遥测系统的地面测试台,具有工作稳定,抗干扰能力强的特点。
关键词
PCM解码 帧同步 码同步 串并转换
Keywords
PCM decoding frame - synchronization code - synchronization serial - parallel conversion
分类号
TN707
[电子电信—电路与系统]
题名 基于DSP的高速外扩存储器的设计
被引量：3
5
作者
闫晓燕 张洪亮
机构
中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室
出处
《现代电子技术》
2008年第24期4-6,共3页
文摘
介绍一种能与DSP速度相匹配的外扩高速存储器的设计,外扩存储器按地址分为2个模块:一个是SRAM模块,另外一个是FLASH模块,一个作为数据存储器,另一个作为地址存储器。采用IS61LV25616作为SRAM,这种存储芯片的存取时间快且功耗低,非常适合与高速的DSP配合使用;FLASH采用的是三星公司生产的存储器K9F1G08。各个模块从元器件的选择、硬件实现方面介绍了存储器的实现过程。在FLASH模块中还介绍了K9F1G08写操作流程,并简单描述了DSP的在线编程方法。该系统在现场实时采集系统中发挥了重要的作用,给后续数据的分析提供了宝贵的数据材料。
关键词
SRAM 外扩存储器 FLASH高速 DSP
Keywords
SRAM ex - patulous memory FLASH DSP
分类号
TN707
[电子电信—电路与系统]
