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题名PLD法制备ITO导电薄膜及其性能
被引量：2
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作者
姚雪
谭秋林
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机构
中北大学省部共建动态测试技术国家重点实验室
中北大学山西省微米纳米工程技术研究中心
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2022年第2期180-186,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(U1837209,51875534)
国家重点研发计划资助项目(2018YFB2003103)。
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文摘
为了研制可用于高温环境下进行应变测量的应变层,采用脉冲激光沉积(PLD)法在陶瓷基底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。研究了PLD法中不同基底温度对ITO薄膜显微结构、电学性能以及阻温特性的影响。采用X射线衍射仪(XRD)测试了薄膜的晶体结构,通过四点探针测量法测得薄膜的薄层电阻,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)对薄膜进行表面形貌分析。结果发现制备的ITO薄膜呈现出体心立方(BCC)结构,且沿(222)晶面优先生长,薄膜的晶粒尺寸随着基底温度的升高而增加,ITO薄膜的电学性能受基底温度的影响显著,电阻率随着衬底温度的升高而降低。最后,搭建测试平台在25~1050℃内测试了不同基底温度下制备的ITO薄膜的电阻温度系数(TCR)。结果表明,ITO薄膜的电阻温度系数随基底温度的升高而降低,在基底温度为600℃下制备的ITO薄膜具有最小的TCR值,为-259.575×10^(-6)℃^(-1)。
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关键词
脉冲激光沉积(PLD)
基底温度
氧化铟锡(ITO)薄膜
应变测量
电阻温度系数(TCR)
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Keywords
pulsed laser deposition(PLD)
substrate temperature
indium tin oxide(ITO)film
strain measurement
temperature coefficient of resistance(TCR)
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分类号
TB34
[一般工业技术—材料科学与工程]
TN304.21
[电子电信—物理电子学]
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