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晶硅掺镓抑制太阳电池光致衰减效应的研究
被引量：
7
1
作者
张三洋
沈鸿烈
+4 位作者
魏青竹
倪志春
邢正伟
姚函妤
吴斯泰
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期1100-1105,1114,共7页
采用掺镓晶硅和掺硼晶硅制备的寿命片和太阳电池片分别进行光致衰减实验,用WT-2000少子寿命测试仪和Halm电池电学性能测试仪等研究了它们受光照前后少子寿命和电学性能的变化。发现掺镓单晶寿命片的少子寿命衰减率比掺硼单晶寿命片低50...
采用掺镓晶硅和掺硼晶硅制备的寿命片和太阳电池片分别进行光致衰减实验,用WT-2000少子寿命测试仪和Halm电池电学性能测试仪等研究了它们受光照前后少子寿命和电学性能的变化。发现掺镓单晶寿命片的少子寿命衰减率比掺硼单晶寿命片低50%左右,掺镓单晶PERC电池和掺镓多晶常规电池转换效率的衰减率比掺硼单晶PERC电池和掺硼多晶常规电池分别降低3.41%和0.92%。这些结果表明晶硅太阳电池的光致衰减效应主要是晶硅中少子寿命降低导致的,晶硅掺镓后能有效抑制太阳电池的光致衰减现象。
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关键词
光致衰减效应
晶硅太阳电池
掺镓晶硅
少子寿命
衰减率
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职称材料
再生处理抑制单晶硅太阳电池光致衰减效应的研究
被引量：
2
2
作者
张三洋
沈鸿烈
+3 位作者
魏青竹
倪志春
李金泽
杨家乐
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第6期1625-1629,共5页
掺硼晶硅电池经过长时间光照后电池效率会出现明显的衰减。针对此问题,研究再生处理对晶硅电池光致衰减效应的影响。将SiNx/Al2O3寿命片和单晶钝化发射极和背局域接触（PERC）电池片在400 W/m^2光照下200℃保温10 min进行再生处理,结果...
掺硼晶硅电池经过长时间光照后电池效率会出现明显的衰减。针对此问题,研究再生处理对晶硅电池光致衰减效应的影响。将SiNx/Al2O3寿命片和单晶钝化发射极和背局域接触（PERC）电池片在400 W/m^2光照下200℃保温10 min进行再生处理,结果发现未经再生处理的寿命片光照1710 min后少子寿命衰减率为63.33%,电池效率衰减率为4.32%,再生处理后样品的衰减率分别降低至5%和0.48%,表明再生处理能有效抑制晶硅电池的光致衰减效应。未经再生处理的寿命片光照前后硼氧（B-O）复合体浓度分别为1.38×10^11和7.01×10^11cm^-3,再生处理后的B-O复合体浓度分别为2.90×10^10和4.44×10^10cm^-3,再生处理后的寿命片光照后B-O复合体的浓度较处理前低一个数量级,且处于稳定的不会造成少子复合的再生状态。
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关键词
晶硅太阳电池
光致衰减效应
再生处理
少子寿命
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职称材料
题名
晶硅掺镓抑制太阳电池光致衰减效应的研究
被引量：
7
1
作者
张三洋
沈鸿烈
魏青竹
倪志春
邢正伟
姚函妤
吴斯泰
机构
南京航空航天大学材料科学与技术学院
中利腾晖光伏科技有限公司研发部
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期1100-1105,1114,共7页
基金
国家自然科学基金(61176062)
江苏省前瞻性联合创新项目(BY2013003-08)
+1 种基金
江苏高校优势学科建设工程资助项目
中央高校基本科研业务费(3082015NJ20150024)
文摘
采用掺镓晶硅和掺硼晶硅制备的寿命片和太阳电池片分别进行光致衰减实验,用WT-2000少子寿命测试仪和Halm电池电学性能测试仪等研究了它们受光照前后少子寿命和电学性能的变化。发现掺镓单晶寿命片的少子寿命衰减率比掺硼单晶寿命片低50%左右,掺镓单晶PERC电池和掺镓多晶常规电池转换效率的衰减率比掺硼单晶PERC电池和掺硼多晶常规电池分别降低3.41%和0.92%。这些结果表明晶硅太阳电池的光致衰减效应主要是晶硅中少子寿命降低导致的,晶硅掺镓后能有效抑制太阳电池的光致衰减现象。
关键词
光致衰减效应
晶硅太阳电池
掺镓晶硅
少子寿命
衰减率
Keywords
light induced degradation effect
crystalline silicon solar cell
gallium doped crystalline silicon
minority carrier lifetime
decay ratio
分类号
TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
再生处理抑制单晶硅太阳电池光致衰减效应的研究
被引量：
2
2
作者
张三洋
沈鸿烈
魏青竹
倪志春
李金泽
杨家乐
机构
南京航空航天大学材料科学与技术学院、江苏省能量转换材料与技术重点实验室
中利腾晖光伏科技有限公司研发部
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第6期1625-1629,共5页
基金
国家自然科学基金(61176062)
江苏省前瞻性联合创新项目(BY2013003-08)
+1 种基金
江苏高校优势学科建设工程
中央高校基本科研业务费(3082015NJ20150024)
文摘
掺硼晶硅电池经过长时间光照后电池效率会出现明显的衰减。针对此问题,研究再生处理对晶硅电池光致衰减效应的影响。将SiNx/Al2O3寿命片和单晶钝化发射极和背局域接触（PERC）电池片在400 W/m^2光照下200℃保温10 min进行再生处理,结果发现未经再生处理的寿命片光照1710 min后少子寿命衰减率为63.33%,电池效率衰减率为4.32%,再生处理后样品的衰减率分别降低至5%和0.48%,表明再生处理能有效抑制晶硅电池的光致衰减效应。未经再生处理的寿命片光照前后硼氧（B-O）复合体浓度分别为1.38×10^11和7.01×10^11cm^-3,再生处理后的B-O复合体浓度分别为2.90×10^10和4.44×10^10cm^-3,再生处理后的寿命片光照后B-O复合体的浓度较处理前低一个数量级,且处于稳定的不会造成少子复合的再生状态。
关键词
晶硅太阳电池
光致衰减效应
再生处理
少子寿命
Keywords
crystalline silicon solar cell
light induced decay effect
regeneration treatment
minority carrier lifetime
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
晶硅掺镓抑制太阳电池光致衰减效应的研究
张三洋
沈鸿烈
魏青竹
倪志春
邢正伟
姚函妤
吴斯泰
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
再生处理抑制单晶硅太阳电池光致衰减效应的研究
张三洋
沈鸿烈
魏青竹
倪志春
李金泽
杨家乐
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
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职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
统计分析
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