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再生处理抑制单晶硅太阳电池光致衰减效应的研究 被引量:2
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作者 张三洋 沈鸿烈 +3 位作者 魏青竹 倪志春 李金泽 杨家乐 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1625-1629,共5页
掺硼晶硅电池经过长时间光照后电池效率会出现明显的衰减。针对此问题,研究再生处理对晶硅电池光致衰减效应的影响。将SiNx/Al2O3寿命片和单晶钝化发射极和背局域接触(PERC)电池片在400 W/m^2光照下200℃保温10 min进行再生处理,结果... 掺硼晶硅电池经过长时间光照后电池效率会出现明显的衰减。针对此问题,研究再生处理对晶硅电池光致衰减效应的影响。将SiNx/Al2O3寿命片和单晶钝化发射极和背局域接触(PERC)电池片在400 W/m^2光照下200℃保温10 min进行再生处理,结果发现未经再生处理的寿命片光照1710 min后少子寿命衰减率为63.33%,电池效率衰减率为4.32%,再生处理后样品的衰减率分别降低至5%和0.48%,表明再生处理能有效抑制晶硅电池的光致衰减效应。未经再生处理的寿命片光照前后硼氧(B-O)复合体浓度分别为1.38×10^11和7.01×10^11cm^-3,再生处理后的B-O复合体浓度分别为2.90×10^10和4.44×10^10cm^-3,再生处理后的寿命片光照后B-O复合体的浓度较处理前低一个数量级,且处于稳定的不会造成少子复合的再生状态。 展开更多
关键词 晶硅太阳电池 光致衰减效应 再生处理 少子寿命
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单晶硅太阳电池发射区结构设计与工艺优化 被引量:1
2
作者 周涛 刘聪 +2 位作者 陆晓东 吴元庆 夏婷婷 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期28-32,共5页
首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对P型单晶硅太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响。然后以获得最优的发射区结构参数为目标,对热扩散工艺和离子注入工艺进行了仿真研究。... 首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对P型单晶硅太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响。然后以获得最优的发射区结构参数为目标,对热扩散工艺和离子注入工艺进行了仿真研究。仿真结果表明,发射区表面浓度和结深的变化对单晶硅太阳电池输出特性产生显著影响。当发射区表面浓度为5×10^20cm^-3,结深为0.1μm时,太阳电池转换效率最高,可达20.39%。若采用热扩散工艺制备发射区,扩散温度范围为825~850℃,扩散时间范围为10~20min;若采用离子注入工艺制备发射区,当注入剂量为1×10^17cm^-2,注入能量为5keV时,退火温度范围为850~875℃,退火时间范围为5~15min。 展开更多
关键词 单晶硅 太阳电池 发射区 表面浓度 结深 扩散 离子注入 转换效率
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PCT加速老化对背板相对漏电起痕的影响研究 被引量:2
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作者 陈国清 倪志春 +3 位作者 黄伟 赵若斐 李淳慧 黄永杰 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期3120-3123,共4页
考察高温高压(PCT)加速老化对不同太阳能背板相对漏电起痕指数(CTI)的影响。研究表明,以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)为中间层的背板在材料老化后,CTI值会显著降低,背板的绝缘等级随背板的老化而降低;而非PET中间层的APE型背板老化后CTI... 考察高温高压(PCT)加速老化对不同太阳能背板相对漏电起痕指数(CTI)的影响。研究表明,以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)为中间层的背板在材料老化后,CTI值会显著降低,背板的绝缘等级随背板的老化而降低;而非PET中间层的APE型背板老化后CTI值仍能够达到I类绝缘材料的水平。 展开更多
关键词 背板 材料老化 相对漏电起痕指数 CTI 爬电距离
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