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GSM/EDGE射频芯片内数控晶体振荡器的设计
1
作者
陈勖
陈小强
+1 位作者
徐峰
王新安
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期7-11,共5页
运用等效小信号模型分析石英晶体振荡器,设计实现了一种适用于GSM/EDGE手持式射频收发芯片的数控晶体振荡器(DCXO).该振荡器采用Colpitts结构,利用自动增益负反馈控制电路幅度,并利用数控电容阵列来调整瞬态频率稳定度.电路采用TSMC0.18...
运用等效小信号模型分析石英晶体振荡器,设计实现了一种适用于GSM/EDGE手持式射频收发芯片的数控晶体振荡器(DCXO).该振荡器采用Colpitts结构,利用自动增益负反馈控制电路幅度,并利用数控电容阵列来调整瞬态频率稳定度.电路采用TSMC0.18μm CMOS工艺实现,中心频率为26 MHz.在1.8 V电源电压下的仿真结果显示:数控范围为123×10-6@26 MHz,调节精度为0.0075×10-6/步,启动时间约为1.5 ms,振荡峰峰值约为1.2 V;在偏离中心频率1 kHz和10 kHz处的相位噪声分别为-145.800和-153.032dBc/Hz;整个电路功耗仅为3mW.
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关键词
数控晶体振荡器
相位噪声
自动频率控制
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职称材料
题名
GSM/EDGE射频芯片内数控晶体振荡器的设计
1
作者
陈勖
陈小强
徐峰
王新安
机构
北京大学深圳研究生院集成微系统重点实验室
中兴通讯股份有限责任公司西安研发中心
出处
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期7-11,共5页
基金
国家"863"计划项目(2006AA04A112)
深圳市产学研资助项目(SZKJ-2008005)
文摘
运用等效小信号模型分析石英晶体振荡器,设计实现了一种适用于GSM/EDGE手持式射频收发芯片的数控晶体振荡器(DCXO).该振荡器采用Colpitts结构,利用自动增益负反馈控制电路幅度,并利用数控电容阵列来调整瞬态频率稳定度.电路采用TSMC0.18μm CMOS工艺实现,中心频率为26 MHz.在1.8 V电源电压下的仿真结果显示:数控范围为123×10-6@26 MHz,调节精度为0.0075×10-6/步,启动时间约为1.5 ms,振荡峰峰值约为1.2 V;在偏离中心频率1 kHz和10 kHz处的相位噪声分别为-145.800和-153.032dBc/Hz;整个电路功耗仅为3mW.
关键词
数控晶体振荡器
相位噪声
自动频率控制
Keywords
digitally-controlled crystal oscillator
phase noise
automatic frequency control
分类号
TN752 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GSM/EDGE射频芯片内数控晶体振荡器的设计
陈勖
陈小强
徐峰
王新安
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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