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10Gb/s SiGe光接收机限幅放大器
被引量：
1
1
作者
黄海云
徐跃
+2 位作者
刘华珠
刘军
孙玲玲
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期60-62,共3页
给出了一个利用IBM 0.5μm SiGe BiCMOS工艺实现的10Gb/s限幅放大器。在标准的3.3V 电源电压,功耗为133.77mW。在31dB的输入动态范围内,可以保持980mVpp恒定输出摆幅。
关键词
光接收机
主放大器
限幅放大器
SIGE
BICMOS
工艺
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职称材料
题名
10Gb/s SiGe光接收机限幅放大器
被引量：
1
1
作者
黄海云
徐跃
刘华珠
刘军
孙玲玲
机构
杭州电子科技大学微电子CAD
研究所
南京邮电大学信息
学院
东莞理工学院集成电路设计研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期60-62,共3页
基金
浙江省自然科学基金资助项目(ZD0015)
文摘
给出了一个利用IBM 0.5μm SiGe BiCMOS工艺实现的10Gb/s限幅放大器。在标准的3.3V 电源电压,功耗为133.77mW。在31dB的输入动态范围内,可以保持980mVpp恒定输出摆幅。
关键词
光接收机
主放大器
限幅放大器
SIGE
BICMOS
工艺
Keywords
optical receiver
main amplifier
limiting amplifier
SiGe BiCMOS technology
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
10Gb/s SiGe光接收机限幅放大器
黄海云
徐跃
刘华珠
刘军
孙玲玲
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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