检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

利用键合线提高ESD保护电路射频性能的研究被引量：1: 1; 作者杨涛李昕 +2 位作者陶煜陈良月高怀《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期804-808,共5页; 提出了一种利用键合线提高ESD保护电路射频性能的新型片外ESD保护电路结构。该新型结构在不降低ESD保护电路抗静电能力前提下,提高了ESD保护电路射频性能。针对一款达林顿结构ESD保护电路,制作了现有ESD保护电路结构和新型ESD保护电路... 展开更多; 关键词 ESD保护电路键合线新型结构抗静电能力射频性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于RF-LDMOS的分布式电热耦合模型: 2; 作者孙晓红张晓东 +2 位作者胡善文戴文华高怀《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期831-834,共4页; 为建立精确的RF-LDMOS大信号模型,提出分布式电热耦合模型.通过采用三维镜像法简单计算单指条的温度分布,进一步使用叠加原理计算得到多指条温度的横向分布,此模型的解析式使用热矩阵方程来表示,通过对计算结果的拟合提取热模型参数.与... 展开更多; 关键词 RF-LDMOS 热模型镜像法热电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

0.1～4GHz达林顿-共射共基结构的增益模块被引量：4: 3; 作者丁华锋严维敏 +2 位作者王钟胡善文高怀《电讯技术》北大核心 2010年第11期80-84,共5页; 提出了一种新型电路拓扑结构的增益模块,该增益模块为达林顿-共射共基结构,对其工作原理进行了分析。基于AWR Microwave Office软件的仿真结果表明：达林顿晶体管共射放大电路具有较强的电流放大能力,能有效提高增益;共基放大电路能抑... 展开更多; 关键词发射机达林顿结构共射共基负反馈放大器增益模块; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种能改善GaAsHBT自热效应的复合管: 4; 作者朱向伟胡善文 +2 位作者梁聪张晓东高怀《现代电子技术》 2011年第2期145-147,150,共4页; 根据负反馈原理,提出一种复合管结构来补偿异质结双极型晶体管(HBT)的自热效应。仿真和测试曲线结果表明,在较宽环境温度和较大输出电流密度范围内,复合管的自热效应得到了有效抑制,静态工作点稳定,采用此复合管设计的功率放大器的1 dB... 展开更多; 关键词 HBT 直流偏置自热效应线性度; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名利用键合线提高ESD保护电路射频性能的研究被引量：1: 1; 作者杨涛李昕陶煜陈良月高怀; 机构东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心东南大学国家ASIC系统工程中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期804-808,共5页; 基金江苏省科技支撑计划工业部分重点项目(BE2010129); 文摘提出了一种利用键合线提高ESD保护电路射频性能的新型片外ESD保护电路结构。该新型结构在不降低ESD保护电路抗静电能力前提下,提高了ESD保护电路射频性能。针对一款达林顿结构ESD保护电路,制作了现有ESD保护电路结构和新型ESD保护电路结构的测试板级电路,测试结果表明:两种ESD保护电路结构的抗静电能力均达到20 kV,现有ESD保护电路结构在0～4.3 GHz频段内衰减系数均小于1 dB,反射损耗系数均小于-10 dB,最高工作频率为4.3 GHz;新型ESD保护电路结构在0～5.6 GHz频段内衰减系数均小于1 dB,反射损耗系数均小于-10 dB,最高工作频率为5.6 GHz。; 关键词 ESD保护电路键合线新型结构抗静电能力射频性能; Keywords ESD protection circuit bonding wire novel struct ure electrostatic prevention ability radio-frequency performance; 分类号 TN305.96 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于RF-LDMOS的分布式电热耦合模型: 2; 作者孙晓红张晓东胡善文戴文华高怀; 机构东南大学国家ASIC系统工程中心苏州英诺迅科技有限公司东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心 Infineon Technologies North America Corp; 出处《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期831-834,共4页; 文摘为建立精确的RF-LDMOS大信号模型,提出分布式电热耦合模型.通过采用三维镜像法简单计算单指条的温度分布,进一步使用叠加原理计算得到多指条温度的横向分布,此模型的解析式使用热矩阵方程来表示,通过对计算结果的拟合提取热模型参数.与传统热模型相比,此热模型通过使用指条之间的互热阻表征横向热流的相互作用,同时以分布的热RC网络为多指条建模,代替平均热电阻网络模型.计算结果表明,使用分布式电热耦合模型不仅能更精确反映温度的分布效应,而且可用于等比例缩放时更准确的预测平均热电阻.; 关键词 RF-LDMOS 热模型镜像法热电阻; Keywords RF-LDMOS thermal model image method thermal resistance; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名0.1～4GHz达林顿-共射共基结构的增益模块被引量：4: 3; 作者丁华锋严维敏王钟胡善文高怀; 机构东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心苏州大学应用技术学院机电工程系南京大学电子科学与工程系声学研究所东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心; 出处《电讯技术》北大核心 2010年第11期80-84,共5页; 文摘提出了一种新型电路拓扑结构的增益模块,该增益模块为达林顿-共射共基结构,对其工作原理进行了分析。基于AWR Microwave Office软件的仿真结果表明：达林顿晶体管共射放大电路具有较强的电流放大能力,能有效提高增益;共基放大电路能抑制电路密勒效应,改善电路高频响应。设计了增益模块的版图,用2μm InGaP/GaAs HBT工艺成功流片,测试结果表明：在0.14 GHz频率范围内,该增益模块最大增益为25 dB,最小增益大于13.5 dB,在900 MHz工作频率时,该增益模块的P1dB为20 dBm。; 关键词发射机达林顿结构共射共基负反馈放大器增益模块; Keywords transmitter Darlington structure cascode negative feedback amplifier gain block; 分类号 TN721.1 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种能改善GaAsHBT自热效应的复合管: 4; 作者朱向伟胡善文梁聪张晓东高怀; 机构东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心苏州工业园区教育投资发展有限公司苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心; 出处《现代电子技术》 2011年第2期145-147,150,共4页; 文摘根据负反馈原理,提出一种复合管结构来补偿异质结双极型晶体管(HBT)的自热效应。仿真和测试曲线结果表明,在较宽环境温度和较大输出电流密度范围内,复合管的自热效应得到了有效抑制,静态工作点稳定,采用此复合管设计的功率放大器的1 dB提高了2 dB,线性得到了改善。; 关键词 HBT 直流偏置自热效应线性度; Keywords HBT DC bias self-heating effect linearization; 分类号 TN722.75 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	利用键合线提高ESD保护电路射频性能的研究	杨涛李昕陶煜陈良月高怀	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2011	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	用于RF-LDMOS的分布式电热耦合模型	孙晓红张晓东胡善文戴文华高怀	《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	0.1～4GHz达林顿-共射共基结构的增益模块	丁华锋严维敏王钟胡善文高怀	《电讯技术》北大核心	2010	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种能改善GaAsHBT自热效应的复合管	朱向伟胡善文梁聪张晓东高怀	《现代电子技术》	2011	0	在线阅读下载PDF 职称材料