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L波段350 W AlGaN/GaN HEMT器件研制
被引量：
4
1
作者
张力江
默江辉
+3 位作者
崔玉兴
付兴昌
李献杰
张彤
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第6期437-442,共6页
基于高纯半绝缘碳化硅衬底,采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）外延材料。室温下霍尔测试结果表明,外延层二维电子气迁移率为1 950 cm^2/（V·s）,方块电阻为350Ω,电阻均匀性为3%。...
基于高纯半绝缘碳化硅衬底,采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）外延材料。室温下霍尔测试结果表明,外延层二维电子气迁移率为1 950 cm^2/（V·s）,方块电阻为350Ω,电阻均匀性为3%。通过优化工艺降低了欧姆接触电阻,提高了器件工作效率。采用源场板结合栅场板的双场板技术和增大源漏间距,提高了器件击穿电压。优化了背面减薄和背面通孔技术,提高了器件散热能力。采用阻抗匹配技术提升了芯片阻抗。最终采用预匹配技术和金属陶瓷封装技术成功制作50 mm栅宽的AlGaN/GaN HEMT器件。直流测试结果表明,器件击穿电压高达175 V。微波测试结果表明,在50 V工作电压、1.3 GHz下,器件输出功率达350 W,功率附加效率达81%,功率增益大于13 d B。
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关键词
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
L波段
大功率
高效率
场板
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职称材料
一维光子晶体的温控特性研究
被引量：
2
2
作者
王琼
闫长春
崔一平
《光通信技术》
CSCD
北大核心
2008年第2期17-19,共3页
通过探究温度对一维光子晶体反射带隙影响,发现在无缺陷光子晶体结构中,温度上升使反射带隙的右截止带红移速度大于左截止带,带隙明显增宽。在进一步分析温控光子晶体的基本原理及特性基础上,设计了双局域态的对称结构,发现温度独立可调...
通过探究温度对一维光子晶体反射带隙影响,发现在无缺陷光子晶体结构中,温度上升使反射带隙的右截止带红移速度大于左截止带,带隙明显增宽。在进一步分析温控光子晶体的基本原理及特性基础上,设计了双局域态的对称结构,发现温度独立可调,局域态对应波长与温度具有线性关系。相比光子晶体的结构调控,温度调控简单易行,且调节幅度可小于纳米量级,在温度传感器、超窄带滤波及其他精巧精密仪器等方面具有潜在应用价值。
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关键词
光子晶体
温度
滤波器
传感器
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职称材料
多孔石墨烯海绵边缘场发射特性研究
被引量：
1
3
作者
郭亚杰
狄云松
+3 位作者
计吉焘
张晓兵
雷威
郭新立
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第7期604-608,共5页
石墨烯由于具有良好的电子输运和发射特性,使得近年来在石墨烯及其衍生物的场发射特性方面取得了许多研究成果。然而,石墨烯通常在平面基底上制备,这在很大程度上影响了石墨烯的开启场和场增强因子,从而抑制了它的场发射。在此基础上,...
石墨烯由于具有良好的电子输运和发射特性,使得近年来在石墨烯及其衍生物的场发射特性方面取得了许多研究成果。然而,石墨烯通常在平面基底上制备,这在很大程度上影响了石墨烯的开启场和场增强因子,从而抑制了它的场发射。在此基础上,提出了一种独特的三维多孔海绵状结构石墨烯。本文采用化学气相沉积法制备了石墨烯发射体的多孔结构,介绍了多孔海绵状石墨烯的制备工艺、后处理及表征,并对其场发射特性进行了测试。实验结果表明,在发射电流密度为10μA/cm^2的情况下,可以获得1.8V/μm的开启场,同时根据场发射实验结果可以计算出超过50000的超高场增强因子。
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关键词
场发射
石墨烯海绵
镍海绵
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职称材料
题名
L波段350 W AlGaN/GaN HEMT器件研制
被引量：
4
1
作者
张力江
默江辉
崔玉兴
付兴昌
李献杰
张彤
机构
东南大学电子科学与技术学院
中国
电子
科技集团公司第十三研究所
专用集成电路重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第6期437-442,共6页
基金
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400303)
文摘
基于高纯半绝缘碳化硅衬底,采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）外延材料。室温下霍尔测试结果表明,外延层二维电子气迁移率为1 950 cm^2/（V·s）,方块电阻为350Ω,电阻均匀性为3%。通过优化工艺降低了欧姆接触电阻,提高了器件工作效率。采用源场板结合栅场板的双场板技术和增大源漏间距,提高了器件击穿电压。优化了背面减薄和背面通孔技术,提高了器件散热能力。采用阻抗匹配技术提升了芯片阻抗。最终采用预匹配技术和金属陶瓷封装技术成功制作50 mm栅宽的AlGaN/GaN HEMT器件。直流测试结果表明,器件击穿电压高达175 V。微波测试结果表明,在50 V工作电压、1.3 GHz下,器件输出功率达350 W,功率附加效率达81%,功率增益大于13 d B。
关键词
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
L波段
大功率
高效率
场板
Keywords
AlGaN/GaN high electron mobility transistor （HEMT）
L-band
high power
high efficiency
field plate
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一维光子晶体的温控特性研究
被引量：
2
2
作者
王琼
闫长春
崔一平
机构
东南大学电子科学与技术学院
先进光子学中心
出处
《光通信技术》
CSCD
北大核心
2008年第2期17-19,共3页
文摘
通过探究温度对一维光子晶体反射带隙影响,发现在无缺陷光子晶体结构中,温度上升使反射带隙的右截止带红移速度大于左截止带,带隙明显增宽。在进一步分析温控光子晶体的基本原理及特性基础上,设计了双局域态的对称结构,发现温度独立可调,局域态对应波长与温度具有线性关系。相比光子晶体的结构调控,温度调控简单易行,且调节幅度可小于纳米量级,在温度传感器、超窄带滤波及其他精巧精密仪器等方面具有潜在应用价值。
关键词
光子晶体
温度
滤波器
传感器
Keywords
photonic crystal
temperature
filter
sensor
分类号
O431 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
多孔石墨烯海绵边缘场发射特性研究
被引量：
1
3
作者
郭亚杰
狄云松
计吉焘
张晓兵
雷威
郭新立
机构
南京师范
大学
物理
科学与
技术
学院
东南大学电子科学与技术学院
东南大学
材料
科学与
技术
学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第7期604-608,共5页
文摘
石墨烯由于具有良好的电子输运和发射特性,使得近年来在石墨烯及其衍生物的场发射特性方面取得了许多研究成果。然而,石墨烯通常在平面基底上制备,这在很大程度上影响了石墨烯的开启场和场增强因子,从而抑制了它的场发射。在此基础上,提出了一种独特的三维多孔海绵状结构石墨烯。本文采用化学气相沉积法制备了石墨烯发射体的多孔结构,介绍了多孔海绵状石墨烯的制备工艺、后处理及表征,并对其场发射特性进行了测试。实验结果表明,在发射电流密度为10μA/cm^2的情况下,可以获得1.8V/μm的开启场,同时根据场发射实验结果可以计算出超过50000的超高场增强因子。
关键词
场发射
石墨烯海绵
镍海绵
Keywords
Field emission
Sponge-like graphene
Nickel foam
分类号
TN16 [电子电信—物理电子学]
O613.71 [理学—无机化学]
TB383.4 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
L波段350 W AlGaN/GaN HEMT器件研制
张力江
默江辉
崔玉兴
付兴昌
李献杰
张彤
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
一维光子晶体的温控特性研究
王琼
闫长春
崔一平
《光通信技术》
CSCD
北大核心
2008
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
多孔石墨烯海绵边缘场发射特性研究
郭亚杰
狄云松
计吉焘
张晓兵
雷威
郭新立
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
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职称材料
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