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背栅单层石墨烯场效应晶体管的构建及可靠性研究
1
作者
郝威
郭新立
+5 位作者
张艳娟
王蔚妮
张灵敏
王增梅
陈坚
于金
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期1022-1026,共5页
采用低压化学气相沉积法(LPCVD)制备了高质量的单层石墨烯薄膜,通过湿法转移将所制备的单层石墨烯无损覆盖到两条平行粘贴在SiO2/Si衬底上的热释放胶带表面,胶带间距约500μm,进而对试样进行加热和切割,获得与SiO2/Si衬底紧密结合的石...
采用低压化学气相沉积法(LPCVD)制备了高质量的单层石墨烯薄膜,通过湿法转移将所制备的单层石墨烯无损覆盖到两条平行粘贴在SiO2/Si衬底上的热释放胶带表面,胶带间距约500μm,进而对试样进行加热和切割,获得与SiO2/Si衬底紧密结合的石墨烯条带(约10 000μm×500μm),最后采用掩膜法在石墨烯条带上蒸镀金电极,构建成背栅石墨烯场效应晶体管。该方法简单易行,电学性能测试结果表明,石墨烯与金电极具有良好的欧姆接触,室温下,石墨烯的空穴迁移率约为735cm2/(V·s),且表现出了石墨烯所特有的双极性特征。背栅石墨烯场效应晶体管转移特性曲线表现出了滞回行为,且随着施加栅压的增大,滞回行为越来越显著,展示出高的性能可靠性。
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关键词
石墨烯
场效应晶体管
滞回行为
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职称材料
题名
背栅单层石墨烯场效应晶体管的构建及可靠性研究
1
作者
郝威
郭新立
张艳娟
王蔚妮
张灵敏
王增梅
陈坚
于金
机构
东南大学材料科学与工程学院&江苏省金属高技术重点实验室
东南大学
一张家港工业
技术
研究院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期1022-1026,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(21173041)
苏州市纳米技术专项资助项目(ZXG2012029)
文摘
采用低压化学气相沉积法(LPCVD)制备了高质量的单层石墨烯薄膜,通过湿法转移将所制备的单层石墨烯无损覆盖到两条平行粘贴在SiO2/Si衬底上的热释放胶带表面,胶带间距约500μm,进而对试样进行加热和切割,获得与SiO2/Si衬底紧密结合的石墨烯条带(约10 000μm×500μm),最后采用掩膜法在石墨烯条带上蒸镀金电极,构建成背栅石墨烯场效应晶体管。该方法简单易行,电学性能测试结果表明,石墨烯与金电极具有良好的欧姆接触,室温下,石墨烯的空穴迁移率约为735cm2/(V·s),且表现出了石墨烯所特有的双极性特征。背栅石墨烯场效应晶体管转移特性曲线表现出了滞回行为,且随着施加栅压的增大,滞回行为越来越显著,展示出高的性能可靠性。
关键词
石墨烯
场效应晶体管
滞回行为
Keywords
graphene
field effect transistors
hysteresis
分类号
TN305.99 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
背栅单层石墨烯场效应晶体管的构建及可靠性研究
郝威
郭新立
张艳娟
王蔚妮
张灵敏
王增梅
陈坚
于金
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
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职称材料
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