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题名低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟
被引量：1
- 1
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作者
黄流兴
魏同立
郑茳
曹俊诚
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机构
东南大学微电子中心低温器件实验室
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出处
《电子科学学刊》
CSCD
1994年第2期207-211,共5页
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基金
国家自然科学基金
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文摘
本文考虑禁带变窄效应、载流子冻析效应和多晶硅/单晶硅界面复合与氧化层隧穿效应,采用有效复合速度方法,建立了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度关系模型。模拟计算结果与实验符合较好。
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关键词
双极晶体管
发射极
电流增益
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Keywords
Bipolar transistor, Polysilicon emitter, Current gain, Low temperature
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
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题名多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究
被引量：1
- 2
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作者
黄流兴
魏同立
郑茳
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机构
东南大学微电子中心低温器件实验室
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出处
《电子科学学刊》
CSCD
1994年第5期545-549,共5页
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基金
国家自然科学基金
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文摘
本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性。研究表明,受载流子冻析效应的影响,基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升,使晶体管的频率性能变环;而由于浅能级杂质的陷阱效应,低温下基区和发射区渡越时间变长,截止频率下降。这些因素在低温器件设计中应予重视。
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关键词
双极晶体管
多晶硅发射极
低温频率
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Keywords
Bipolar transistor, Polysilicon emitter, Cutoff frequency, Low tem- peature characteristics
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
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