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CMOS低中频有源复数带通滤波器设计 被引量：1
1
作者 魏巍 李智群 《电子器件》 CAS 2009年第3期562-565,共4页
设计并实现了基于0.18μm CMOS工艺的2.4GHz无线传感网(Wireless Sensor Network)射频接收机低中频有源复数带通滤波器。该滤波器采用基于积分器单元的复数带通滤波器结构,同时实现镜像抑制和信号滤波的功能。仿真结果表明,复数带通滤... 设计并实现了基于0.18μm CMOS工艺的2.4GHz无线传感网(Wireless Sensor Network)射频接收机低中频有源复数带通滤波器。该滤波器采用基于积分器单元的复数带通滤波器结构,同时实现镜像抑制和信号滤波的功能。仿真结果表明,复数带通滤波器的中心频率为2MHz,通带带宽为2.4MHz,通带电压增益约为12.5dB,镜像抑制大于30dB,相邻信道阻带衰减大于40dB,噪声系数小于15dB,消耗电流为5mA。通过系统验证,本设计各项性能均满足无线传感网射频接收机的设计要求。 展开更多
关键词 射频集成电路 复数滤波器 跳耦滤波器 积分器 镜像抑制
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全集成低相位噪声LC压控振荡器设计 被引量：2
2
作者 刘颖异 王志功 钱照华 《中国集成电路》 2008年第3期45-48,52,共5页
提出了一种应用于ISM频段的低相位噪声LC VCO。电路采用TSMC 0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺进行设计,芯片版图面积740μm×700μm。在电源电压为1.8V时,后仿真结果表明,电路工作频率为2.4GHz时,调谐范围为23%。在偏离中心频率1MHz处... 提出了一种应用于ISM频段的低相位噪声LC VCO。电路采用TSMC 0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺进行设计,芯片版图面积740μm×700μm。在电源电压为1.8V时,后仿真结果表明,电路工作频率为2.4GHz时,调谐范围为23%。在偏离中心频率1MHz处,相位噪声为-124.2dBc/Hz。核心部分功耗约为7.56mW。 展开更多
关键词 压控振荡器 片上电感 Q值 相位噪声 CMOS工艺
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应用于DVB-T／H调谐器的0．13μm CMOS混频器设计
3
作者 吴晨健 李智群 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期91-96,共6页
采用0．13μmR CMOS工艺设计并实现了一种应用于DVB—T／H数字电视广播系统调谐器的宽带下变频混频器，其工作频率为170MHz-1．675GHz。混频器使用吉尔伯特双平衡结构作为电路的核心单元，采用RC并联谐振电路作为负载以滤除输出高阶谐... 采用0．13μmR CMOS工艺设计并实现了一种应用于DVB—T／H数字电视广播系统调谐器的宽带下变频混频器，其工作频率为170MHz-1．675GHz。混频器使用吉尔伯特双平衡结构作为电路的核心单元，采用RC并联谐振电路作为负载以滤除输出高阶谐波，使用正交混频技术以有效抑制镜像干扰；通过采用电流注入技术，以减小流经开关管的电流，改善噪声系数，减小了负载上的直流压降，改善1．2V下混频器的直流工作状态；通过去除尾电流源以提高混频器的线性度。芯片测试结果表明，在1．2V的电源电压下，混频器转换增益为14．4dB，输入三阶截点为-3．05dBm，噪声系数为14．2dB，功耗为6mW. 展开更多
关键词 数字电视广播(DVB) CMOS 调谐器 混频器 优良指数(FOM)
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无线传感网SoC芯片中4.8GHz压控振荡器设计
4
作者 樊祥宁 郑浩 陈晓光 《电子器件》 CAS 2009年第4期733-736,741,共5页
采用SMIC0.18μm1P6M RF CMOS工艺设计了一个4.8GHzLC压控振荡器,该压控振荡器应用于无线传感SoC芯片射频前端频率综合器中。电路核心采用带电阻反馈的差分负阻结构,因此具有良好的相位噪声性能;2bit的开关电容阵列进一步提高了电路的... 采用SMIC0.18μm1P6M RF CMOS工艺设计了一个4.8GHzLC压控振荡器,该压控振荡器应用于无线传感SoC芯片射频前端频率综合器中。电路核心采用带电阻反馈的差分负阻结构,因此具有良好的相位噪声性能;2bit的开关电容阵列进一步提高了电路的调谐范围;共源级输出缓冲提供了较好的反向隔离度。所设计的芯片版图面积为600μm×475μm。在电源电压为1.8V时,后仿真结果表明,电路调谐范围最高可达40%,有效地补偿了工艺角偏差;在4.95GHz处,后仿真测得的相位噪声为-125.3dBc/Hz@3MHz,优于系统要求5.3dB;核心电路工作电流约5.2mA。 展开更多
关键词 无线传感网 RFCMOS工艺 LC压控振荡器 相位噪声 宽调谐范围
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基于互感开关变压器的毫米波宽带数控振荡器 被引量：1
5
作者 李幸和 唐路 白雪婧 《电子与封装》 2023年第5期77-84,共8页
为满足宽频带、高性能的要求,设计了一款V波段毫米波宽带数控振荡器(DCO)。采用基于互感开关变压器的电感调谐技术,通过互感开关控制一组耦合变压器实现双模切换,输出低频子带或高频子带,从而实现宽带设计。采用离散电压控制可变电容器... 为满足宽频带、高性能的要求,设计了一款V波段毫米波宽带数控振荡器(DCO)。采用基于互感开关变压器的电感调谐技术,通过互感开关控制一组耦合变压器实现双模切换,输出低频子带或高频子带,从而实现宽带设计。采用离散电压控制可变电容器实现离散电容器调谐,与开关电容相比降低了寄生电容和损耗,能够实现更大的带宽和良好的相位噪声。电路基于40 nm CMOS工艺设计,核心芯片面积仅为0.053 mm^(2)。频率调谐范围为57.85~72.30 GHz,1 MHz频偏处相位噪声范围为-95.32~-91.07 dBc/Hz。 展开更多
关键词 毫米波 数控振荡器 宽带 互感开关变压器
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基于40 nm CMOS工艺的全数字锁相环的I^(2)C接口设计
6
作者 李幸和 唐路 万世松 《电子与封装》 2023年第6期54-60,共7页
基于40 nm CMOS工艺设计了一款I2C接口模块,该模块用于全数字锁相环(ADPLL)的测试与应用场景,能够输出锁相环控制字或将控制字写入锁相环内部。按照ADPLL的功能需求将接口划分为系统模块,根据ADPLL的系统特点设计了对应的时序控制模块,... 基于40 nm CMOS工艺设计了一款I2C接口模块,该模块用于全数字锁相环(ADPLL)的测试与应用场景,能够输出锁相环控制字或将控制字写入锁相环内部。按照ADPLL的功能需求将接口划分为系统模块,根据ADPLL的系统特点设计了对应的时序控制模块,实现了控制字数据的读写功能。通过Verilog HDL对系统完成行为级描述,利用脚本自动化设计,能够大幅节省设计时间,易于集成到系统中。实际测试结果表明,该I^(2)C接口模块能够对ADPLL相应控制端写入控制字,依照I2C串行总线协议与外部微控制器通信,可同时实现对ADPLL控制和监测的功能,满足测试与应用需求。 展开更多
关键词 全数字锁相环 I^(2)C接口 Verilog HDL
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应用于无线传感网的接收信号强度指示器的设计 被引量：1
7
作者 刘继华 李智群 +2 位作者 王利丹 李伟 章丽 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期744-749,共6页
采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了应用于无线传感网(WSN)的接收信号强度指示器(RSSI),其核心电路是采用跨导放大器构成的限幅器、半波整流器和相应的偏置电路。其工作在电流模形式下,对工艺角和温度具有良好的补偿特性。芯片测试结果表... 采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了应用于无线传感网(WSN)的接收信号强度指示器(RSSI),其核心电路是采用跨导放大器构成的限幅器、半波整流器和相应的偏置电路。其工作在电流模形式下,对工艺角和温度具有良好的补偿特性。芯片测试结果表明:在电源电压为1.8V时,RSSI的直流功耗为4.14mW,2MHz输入信号频率下的检测范围为-58～-7dBm(以50Ω阻抗作参考),对应的输出指示直流电压为0.48～1.45V,检测斜率约为18.2mV/dB,非线性误差小于±0.7dB。芯片面积为0.654mm×0.430mm。 展开更多
关键词 无线传感网(WSN) CMOS 接收信号强度指示器(RSSI) 限幅放大器 半波整流器
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应用于无线传感网的低功耗PGA设计 被引量：1
8
作者 曹堃 李智群 《电子器件》 CAS 2009年第3期634-637,共4页
可编程增益放大器(PGA)主要应用于无线传感网络射频前端接收机芯片。PGA的设计采用0.18μm RF CMOS工艺,以负载可编程为基础实现增益可变。PGA电压增益范围1～60dB,增益步长1dB,增益误差小于0.5dB,中心频率为2MHz,3dB带宽大于3.2MHz。... 可编程增益放大器(PGA)主要应用于无线传感网络射频前端接收机芯片。PGA的设计采用0.18μm RF CMOS工艺,以负载可编程为基础实现增益可变。PGA电压增益范围1～60dB,增益步长1dB,增益误差小于0.5dB,中心频率为2MHz,3dB带宽大于3.2MHz。通过控制放大器尾电流源工作与否来实现功耗管理。当电源电压为1.8V时,最大功耗为4mW,最小功耗为1.3mW。通过仿真验证,PGA性能能够满足系统设计要求。 展开更多
关键词 微电子 可编程增益放大器(PGA) 负载可编程 低功耗
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0.18μm CMOS工艺10Gb/s VCSEL电压驱动器设计 被引量：1
9
作者 张玉良 王志功 +1 位作者 苗澎 田玲 《中国集成电路》 2009年第9期35-38,共4页
采用SMIC 0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb/s VCSEL电压驱动器,可以用于驱动共阴结构的VCSEL。电路采用了RC负反馈技术和C3A(电容耦合电流放大器)结构,仿真结果表明,电路在10Gb/s速率下工作性能良好,最高可工作至12.5Gb/s。电... 采用SMIC 0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb/s VCSEL电压驱动器,可以用于驱动共阴结构的VCSEL。电路采用了RC负反馈技术和C3A(电容耦合电流放大器)结构,仿真结果表明,电路在10Gb/s速率下工作性能良好,最高可工作至12.5Gb/s。电路采用1.8V和3.5V电压供电,直流总功耗为164mW。 展开更多
关键词 VCSEL 电压驱动器 RC负反馈 电容耦合电流放大器
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10Gb/s 0.18μm CMOS限幅放大器 被引量：1
10
作者 吴军 王志功 《中国集成电路》 2009年第6期23-25,共3页
采用SMIC 0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb/s限幅放大器。该放大器采用了带有级间反馈的三阶有源负反馈放大电路。在不使用无源电感的情况下,得到了足够的带宽以及频率响应平坦度。后仿真结果表明,该电路能够工作在10Gb/s速率... 采用SMIC 0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb/s限幅放大器。该放大器采用了带有级间反馈的三阶有源负反馈放大电路。在不使用无源电感的情况下,得到了足够的带宽以及频率响应平坦度。后仿真结果表明,该电路能够工作在10Gb/s速率上。小信号增益为46.25dB,-3dB带宽为9.16 GHz,最小差分输入电压摆幅为10mV。在50Ω片外负载上输出的摆幅为760mV。该电路采用1.8V电源供电,功耗为183mW。核心面积500μm×250μm。 展开更多
关键词 0.18 μm CMOS 限幅放大器 有源负反馈 级间反馈
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