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应用于DVB-T／H调谐器的0．13μm CMOS混频器设计
1
作者
吴晨健
李智群
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期91-96,共6页
采用0．13μmR CMOS工艺设计并实现了一种应用于DVB—T／H数字电视广播系统调谐器的宽带下变频混频器，其工作频率为170MHz-1．675GHz。混频器使用吉尔伯特双平衡结构作为电路的核心单元，采用RC并联谐振电路作为负载以滤除输出高阶谐...
采用0．13μmR CMOS工艺设计并实现了一种应用于DVB—T／H数字电视广播系统调谐器的宽带下变频混频器，其工作频率为170MHz-1．675GHz。混频器使用吉尔伯特双平衡结构作为电路的核心单元，采用RC并联谐振电路作为负载以滤除输出高阶谐波，使用正交混频技术以有效抑制镜像干扰；通过采用电流注入技术，以减小流经开关管的电流，改善噪声系数，减小了负载上的直流压降，改善1．2V下混频器的直流工作状态；通过去除尾电流源以提高混频器的线性度。芯片测试结果表明，在1．2V的电源电压下，混频器转换增益为14．4dB，输入三阶截点为-3．05dBm，噪声系数为14．2dB，功耗为6mW.
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关键词
数字电视广播(DVB)
CMOS
调谐器
混频器
优良指数(FOM)
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职称材料
应用于无线传感网的接收信号强度指示器的设计
被引量：
1
2
作者
刘继华
李智群
+2 位作者
王利丹
李伟
章丽
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期744-749,共6页
采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了应用于无线传感网(WSN)的接收信号强度指示器(RSSI),其核心电路是采用跨导放大器构成的限幅器、半波整流器和相应的偏置电路。其工作在电流模形式下,对工艺角和温度具有良好的补偿特性。芯片测试结果表...
采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了应用于无线传感网(WSN)的接收信号强度指示器(RSSI),其核心电路是采用跨导放大器构成的限幅器、半波整流器和相应的偏置电路。其工作在电流模形式下,对工艺角和温度具有良好的补偿特性。芯片测试结果表明:在电源电压为1.8V时,RSSI的直流功耗为4.14mW,2MHz输入信号频率下的检测范围为-58～-7dBm(以50Ω阻抗作参考),对应的输出指示直流电压为0.48～1.45V,检测斜率约为18.2mV/dB,非线性误差小于±0.7dB。芯片面积为0.654mm×0.430mm。
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关键词
无线传感网(WSN)
CMOS
接收信号强度指示器(RSSI)
限幅放大器
半波整流器
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职称材料
题名
应用于DVB-T／H调谐器的0．13μm CMOS混频器设计
1
作者
吴晨健
李智群
机构
东南大学
射
频
与光电
集成电路
研究
所
东南大学射频集成电路与系统教育部工程研究中心
江苏省传感网技术重点实验室
出处
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期91-96,共6页
基金
863计划（2007AA0122A7）和2010年度江苏省科技成果转化专项资金（BA2010073）资助项目.
文摘
采用0．13μmR CMOS工艺设计并实现了一种应用于DVB—T／H数字电视广播系统调谐器的宽带下变频混频器，其工作频率为170MHz-1．675GHz。混频器使用吉尔伯特双平衡结构作为电路的核心单元，采用RC并联谐振电路作为负载以滤除输出高阶谐波，使用正交混频技术以有效抑制镜像干扰；通过采用电流注入技术，以减小流经开关管的电流，改善噪声系数，减小了负载上的直流压降，改善1．2V下混频器的直流工作状态；通过去除尾电流源以提高混频器的线性度。芯片测试结果表明，在1．2V的电源电压下，混频器转换增益为14．4dB，输入三阶截点为-3．05dBm，噪声系数为14．2dB，功耗为6mW.
关键词
数字电视广播(DVB)
CMOS
调谐器
混频器
优良指数(FOM)
Keywords
digital video broadcastng （DVB）, CMOS, tuner, mixer, figure of merit （FOM）
分类号
TN773 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
应用于无线传感网的接收信号强度指示器的设计
被引量：
1
2
作者
刘继华
李智群
王利丹
李伟
章丽
机构
东南大学
射
频
与光电
集成电路
研究
所
东南大学射频集成电路与系统教育部工程研究中心
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期744-749,共6页
基金
863计划(2007AA01Z2A7)
江苏省'六大人才高峰'资助项目
文摘
采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了应用于无线传感网(WSN)的接收信号强度指示器(RSSI),其核心电路是采用跨导放大器构成的限幅器、半波整流器和相应的偏置电路。其工作在电流模形式下,对工艺角和温度具有良好的补偿特性。芯片测试结果表明:在电源电压为1.8V时,RSSI的直流功耗为4.14mW,2MHz输入信号频率下的检测范围为-58～-7dBm(以50Ω阻抗作参考),对应的输出指示直流电压为0.48～1.45V,检测斜率约为18.2mV/dB,非线性误差小于±0.7dB。芯片面积为0.654mm×0.430mm。
关键词
无线传感网(WSN)
CMOS
接收信号强度指示器(RSSI)
限幅放大器
半波整流器
Keywords
wireless sensor network （WSN）, CMOS process, received signal strength indicator （RSSI）, limiting amplifier, half-wave rectifier
分类号
TN851 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
应用于DVB-T／H调谐器的0．13μm CMOS混频器设计
吴晨健
李智群
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
在线阅读
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职称材料
2
应用于无线传感网的接收信号强度指示器的设计
刘继华
李智群
王利丹
李伟
章丽
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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职称材料
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参考文献
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