功率集成电路中一种抗闩锁方法研究 被引量：3

1

作者 宋慧滨 唐晨 +1 位作者 易扬波 孙伟锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期429-431,440,共4页

在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上,采取一种抗闩锁方法,即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究,利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟比较,并应用于实际版图中进行流片。这种保护结构可以将闩... 在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上,采取一种抗闩锁方法,即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究,利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟比较,并应用于实际版图中进行流片。这种保护结构可以将闩锁的触发电压提高一个数量级,在实际的闩锁静态测试中得到验证。 展开更多

关键词 功率集成电路 寄生双极型晶体管 少子保护环 闩锁

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嵌入式操作系统内核的实现 被引量：4

2

作者 凌明 郑凯东 +1 位作者 胡晨 时龙兴 《电子器件》 CAS 1999年第4期262-269,共8页

本文讨论了嵌入式多任务操作系统内核的实现方法。提出了嵌入式网络操作系统内核的实现方案，详细地阐述了系统进程的创建，删除和调度的算法及实现。在Ｍｏｔｏｒｏｌａ Ｄｒａｇｏｎ Ｂａｌｌ６８ＥＺ３２８ 微处理器上实现了该内核... 本文讨论了嵌入式多任务操作系统内核的实现方法。提出了嵌入式网络操作系统内核的实现方案，详细地阐述了系统进程的创建，删除和调度的算法及实现。在Ｍｏｔｏｒｏｌａ Ｄｒａｇｏｎ Ｂａｌｌ６８ＥＺ３２８ 微处理器上实现了该内核并已运行于国家ＡＳＩＣ系统工程技术研究中心的ＰＤＡ 产品中。 展开更多

关键词 嵌入式 操作系统 系统内核

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CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究 被引量：7

3

作者 唐晨 孙伟锋 陆生礼 《现代电子技术》 2006年第4期109-111,共3页

闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(... 闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性。 展开更多

关键词 寄生双极型晶体管 保护环 闩锁 CMOS集成电路

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500V体硅N-LDMOS器件研究 被引量：2

4

作者 陆生礼 孙伟锋 +1 位作者 易扬波 伍玉萍 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期521-525,539,共6页

借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设计,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的500V体硅N-LDMOS的最佳结构、工艺参数,... 借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设计,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的500V体硅N-LDMOS的最佳结构、工艺参数,通过I-V特性曲线可知该高压N-LDMOS器件的关态和开态击穿电压都达到500V以上,开启电压为1.5V,而且制备工艺简单,可以很好地应用于各种高压功率集成芯片。 展开更多

关键词 漂移区 金属场极板 击穿电压 体硅

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一种带有IrDA功能的UART芯片的设计研究 被引量：1

5

作者 王学香 陆生礼 时龙兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第11期26-28,共3页

本文介绍了一种通用异步收发器（ＵＡＲＴ）芯片的总体设计方案，重点讨论了其中的主要模块：波特率发生器、发送器、接收器及红外通信（ＩｒＤＡ）接口的设计，并用ｖｅｒｉｌｏｇ硬件描述语六对所设计的芯片的功能进行了仿真验证。仿... 本文介绍了一种通用异步收发器（ＵＡＲＴ）芯片的总体设计方案，重点讨论了其中的主要模块：波特率发生器、发送器、接收器及红外通信（ＩｒＤＡ）接口的设计，并用ｖｅｒｉｌｏｇ硬件描述语六对所设计的芯片的功能进行了仿真验证。仿真结果表明我们设计的ＵＡＲＴ芯片达到了预定的设计要求。 展开更多

关键词 异步收发器 红外通信 IrDA功能 专用集成电路

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多场极板LEDMOS表面电场和导通电阻研究 被引量：1

6

作者 孙伟锋 易扬波 陆生礼 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期157-161,共5页

研究了常规LEDM O S,带有两块多晶硅场极板LEDM O S以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDM O S表面电场分布情况,重点研究了多块场极板在不同的外加电压下,三种LEDM O S的表面峰值电场和导通电阻的变化情况。模拟结果和流水实... 研究了常规LEDM O S,带有两块多晶硅场极板LEDM O S以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDM O S表面电场分布情况,重点研究了多块场极板在不同的外加电压下,三种LEDM O S的表面峰值电场和导通电阻的变化情况。模拟结果和流水实验结果都表明:多块场极板是提高LEDM O S击穿电压的一种有效方法,而且场极板对导通电阻的影响很小。研究结果还表明:由于金属铝引线下面的氧化层很厚,所以铝引线几乎不会影响到LEDM O S的击穿特性。 展开更多

关键词 表面电场 导通电阻 击穿电压 场极板

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200V高压SOI PLDMOS研究 被引量：1

7

作者 宋慧滨 李维聪 钱钦松 《电子器件》 CAS 2009年第5期880-883,共4页

提出了一种200V高压SOI PLDMOS器件结构,重点研究了SOI LDMOS的击穿电压、导通电阻等电参数与漂移区注入剂量、漏端缓冲层、Nbody注入剂量及场极板长度等之间的关系。经过专业半导体仿真软件TSUPREM-4和MEDICI模拟仿真,在0.8μm埋氧层... 提出了一种200V高压SOI PLDMOS器件结构,重点研究了SOI LDMOS的击穿电压、导通电阻等电参数与漂移区注入剂量、漏端缓冲层、Nbody注入剂量及场极板长度等之间的关系。经过专业半导体仿真软件TSUPREM-4和MEDICI模拟仿真,在0.8μm埋氧层、10μmSOI层材料上设计得到了关态耐压248V、开态饱和电流2.5×10-4A/μm、导通电阻2.1(105Ω*μm的SOI PLDMOS,该器件可以满足PDP扫描驱动芯片等的应用需求。 展开更多

关键词 击穿电压 导通电阻 SOI PLDMOS

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一种新型凹源HV-NMOS器件研究

8

作者 孙伟锋 易扬波 +2 位作者 吴烜 王平 吴建辉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期286-290,共5页

设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出了该结构具体的工艺流程及最佳的工艺参数 ,通过 MEDICI进行特性模拟得到了该结构的电流 -电压和击穿等特... 设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出了该结构具体的工艺流程及最佳的工艺参数 ,通过 MEDICI进行特性模拟得到了该结构的电流 -电压和击穿等特性曲线 ,击穿电压比传统 HV-NMOS提高了 3 7.5 %。同时分析了凹源结构、p阱、缓冲层 ( Buffer层 )及场极板对改善 HV-NMOS工作特性的有效作用 ,最后给出了该凹源 HV-NMOS的流水实验测试结果。 展开更多

关键词 高压N型金属-氧化物-半导体 凹源 缓冲区 场极板 击穿电压

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高压VDMOS器件的SP ICE模型研究

9

作者 赵野 孙伟锋 +2 位作者 易扬波 鲍嘉明 时龙兴 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期410-415,共6页

基于高压VDMOS器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDMOS器件三维物理模型,并用数值方法求解... 基于高压VDMOS器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDMOS器件三维物理模型,并用数值方法求解.基于该物理模型提出的等效电路,在SPICE中准确地模拟了高压VDMOS的特性,包括准饱和特性和瞬态特性.在全电压范围内(0～100 V),直流特性与测试结果、瞬态特性(频率≤5 MHz)与MEDICI模拟结果相差均在5%以内,能够满足HVIC CAD设计的需要. 展开更多

关键词 SPICE模型 高压集成电路 非均匀沟道 纵向双扩散金属氧化物半导体 漂移区

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体硅高压LDMOS器件电学特性温度效应的研究

10

作者 刘侠 王钦 《现代电子技术》 2006年第23期124-126,共3页

从等温和非等温两个角度,在250 K^573 K(-23℃~300℃)范围内,对体硅高压LDMOS的主要电学参数随温度的变化进行了研究。系统地研究了体硅高压LDMOS阈值电压、导通电阻和饱和电流等主要电学参数的温度效应及其机理。

关键词 体硅LDMOS 等温 非等温 负阻效应

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电流控制模式白光LED驱动电路的频率补偿研究 被引量：4

11

作者 陶平 易扬波 吴建辉 《现代电子技术》 2005年第18期106-108,共3页

白光LED由于其工作寿命长和能耗低的特点,为无线通讯产品的应用提供了完美的背光方案,其驱动芯片的设计大部分采用电压模式和电流模式两类控制方案。电流控制型白光LED驱动电路因为线性调整率和负载调整率非常好的优点成为目前设计的热... 白光LED由于其工作寿命长和能耗低的特点,为无线通讯产品的应用提供了完美的背光方案,其驱动芯片的设计大部分采用电压模式和电流模式两类控制方案。电流控制型白光LED驱动电路因为线性调整率和负载调整率非常好的优点成为目前设计的热点。基于1MHz开关频率的电流控制型白光LED驱动芯片,结合相关的研究,对电流控制型白光LED驱动芯片进行了小信号分析,根据得出的回路增益提出了具体的频率补偿方案,并给出了实现频率补偿的方案必须满足的参数设计方法。补偿方案能有效提高白光LED驱动芯片的小信号稳定性。 展开更多

关键词 频率补偿 白光LED驱动电路 右零点

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阶梯浅沟槽隔离结构LDMOS耐压机理的研究 被引量：1

12

作者 陈文兰 孙晓红 +2 位作者 胡善文 陈强 高怀 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第2期56-60,共5页

提出了一种具有阶梯浅沟槽隔离结构的LDMOS.阶梯浅沟槽结构增加了漂移区的有效长度,改善了表面电场及电流的分布,从而提高了器件的击穿电压.借助器件模拟软件Silvaco对沟槽深度、栅长及掺杂浓度等工艺参数进行了优化设计.结果表明,在保... 提出了一种具有阶梯浅沟槽隔离结构的LDMOS.阶梯浅沟槽结构增加了漂移区的有效长度,改善了表面电场及电流的分布,从而提高了器件的击穿电压.借助器件模拟软件Silvaco对沟槽深度、栅长及掺杂浓度等工艺参数进行了优化设计.结果表明,在保证器件面积不变的条件下,新结构较单层浅沟槽隔离结构LDMOS击穿电压提升36%以上,而导通电阻降低14%. 展开更多

关键词 LDMOS 漂移区 浅沟槽隔离 击穿电压

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50 V LDMOS漏电容非线性研究

13

作者 朱少博 孙伟锋 +1 位作者 李海松 陆生礼 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1032-1036,共5页

借助软件模拟从器件结构和工艺参数角度研究了LDMOS漏电容Cd的非线性和源漏电压Vds的关系,研究了漂移区注入剂量、高压场板长度、场氧化层厚度、栅氧化层厚度、沟道区注入剂量等五个结构工艺参数对漏电容非线性的影响。主要分析了漂移... 借助软件模拟从器件结构和工艺参数角度研究了LDMOS漏电容Cd的非线性和源漏电压Vds的关系,研究了漂移区注入剂量、高压场板长度、场氧化层厚度、栅氧化层厚度、沟道区注入剂量等五个结构工艺参数对漏电容非线性的影响。主要分析了漂移区耗尽层对漏电容非线性的影响机理以及不同结构工艺参数如何通过改变漂移区耗尽层电容,进而影响漏电容非线性。提出了改善LDMOS的漏电容线性度的各参数调节方法。 展开更多

关键词 非线性 漏电容 漂移区 场板

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基于红外焦平面读出电路应用的多层stack电容设计及SPICE模型研究

14

作者 叶伟 戴佼容 +1 位作者 刘斯扬 孙伟锋 《航空兵器》 2014年第4期49-53,共5页

基于0.5μm CMOS工艺设计并制备了一种应用于红外焦平面读出电路的多层堆叠(stack)电容结构,测试结果表明,相比单一形式电容,stack电容的单位面积值增大两倍以上,因而能够有效地提升红外焦平面读出电路的电荷存储能力。此外,本文还为设... 基于0.5μm CMOS工艺设计并制备了一种应用于红外焦平面读出电路的多层堆叠(stack)电容结构,测试结果表明,相比单一形式电容,stack电容的单位面积值增大两倍以上,因而能够有效地提升红外焦平面读出电路的电荷存储能力。此外,本文还为设计的多层stack电容建立了一套描述其电学特性的SPICE模型,模型均方根误差在2%以内,因此可以准确描述stack电容的电学特性,满足了红外焦平面读出电路的仿真设计要求。 展开更多

关键词 红外焦平面读出电路 stack电容 SPICE模型 BSIM3 V3模型 边缘效应

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三级Colpitts微波混沌振荡器的仿真研究

15

作者 王寅生 王京 +2 位作者 卞新海 武文娟 高怀 《电视技术》 北大核心 2012年第3期32-35,共4页

提出一种具有3级结构的微波Colpitts混沌振荡器,这种新的结构通过增加共基极组态的三极管抑制了电路中三极管寄生电容的负面影响,以提高微波Colpitts混沌振荡器的基本振荡频率和频带宽度。借助Matlab和HSPICE软件对新结构的理想非线性... 提出一种具有3级结构的微波Colpitts混沌振荡器,这种新的结构通过增加共基极组态的三极管抑制了电路中三极管寄生电容的负面影响,以提高微波Colpitts混沌振荡器的基本振荡频率和频带宽度。借助Matlab和HSPICE软件对新结构的理想非线性动力学模型和电路进行了时域和频域分析。选用截止频率为9 GHz的三极管时,模型的电路仿真结果表明,新结构的基本振荡频率可达到4.9 GHz;信号的频谱分布更为均匀平坦,10 dB带宽可以达到4.9 GHz。 展开更多

关键词 混沌振荡器 考毕兹振荡器 电路仿真 非线性

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门控时钟的低功耗设计技术 被引量：21

16

作者 张永新 陆生礼 茆邦琴 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2004年第1期23-26,共4页

门控时钟是一种有效的低功耗设计技术,文章介绍了该技术的一种EDA实现方法。介绍了其设计思想和实现细节,重点对设计过程中存在可测性设计穴DFT雪以及时序分析、优化和验证等问题分别进行了详细分析,并给出了相应的解决方法,以使该技术... 门控时钟是一种有效的低功耗设计技术,文章介绍了该技术的一种EDA实现方法。介绍了其设计思想和实现细节,重点对设计过程中存在可测性设计穴DFT雪以及时序分析、优化和验证等问题分别进行了详细分析,并给出了相应的解决方法,以使该技术更好地融入到常用的SoC设计流程当中,发挥更高的效率。 展开更多

关键词 门控时钟 可测性设计 DFT 系统芯片 低功耗设计技术 寄存器 电路设计 集成电路

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一种直流无刷电机驱动电路的设计与优化 被引量：15

17

作者 宋慧滨 徐申 段德山 《现代电子技术》 2008年第3期122-124,130,共4页

设计了一种用于直流无刷电机的控制驱动电路,该电路完全采用分立元件构成,具有成本低、易实现、可靠性高等特点。在简单阐述直流无刷电机工作原理的基础上,分析了其驱动电路的设计要点。结合设计的控制驱动电路,讨论了功率MOS管栅极浮... 设计了一种用于直流无刷电机的控制驱动电路,该电路完全采用分立元件构成,具有成本低、易实现、可靠性高等特点。在简单阐述直流无刷电机工作原理的基础上,分析了其驱动电路的设计要点。结合设计的控制驱动电路,讨论了功率MOS管栅极浮置驱动、互补脉宽调制死区时间设置的问题,分析了驱动电路中振荡产生的原因,并给出优化方法。在最后的实际测试中,验证了该电机驱动电路的各种功能及优化改进后的效果。 展开更多

关键词 直流无刷电机 驱动电路 功率MOS管 脉宽调制

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一种具有零稳态电流的新型上电复位电路 被引量：3

18

作者 单伟伟 周垚 吴建辉 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期213-218,共6页

为实现具有超低功耗且稳定可靠的上电复位电压输出,提出了基于电平检测的具有零稳态电流的新型上电复位电路,该电路由电平检测电路、状态锁存电路和欠压检测电路组成,通过在上电复位之后切断电平检测电路的电源实现复位稳定后的零稳态电... 为实现具有超低功耗且稳定可靠的上电复位电压输出,提出了基于电平检测的具有零稳态电流的新型上电复位电路,该电路由电平检测电路、状态锁存电路和欠压检测电路组成,通过在上电复位之后切断电平检测电路的电源实现复位稳定后的零稳态电流,其输出复位电压的状态由状态锁存电路锁存.该电路采用0.18μm Bi-CMOS工艺设计,电源电压为1.8 V.Cadence Spectre的仿真结果表明,该电路在上电复位结束后的稳态仅有数纳安的漏电流,起拉电压和欠压检测电压受温度影响很小,因而适用于集成到超大规模片上系统(SoC)芯片中. 展开更多

关键词 上电复位电路 零稳态电流 电平检测 起拉电压

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一种带功率检测和自适应偏置的CDMA功率放大器 被引量：5

19

作者 梁聪 滑育楠 +3 位作者 胡善文 张晓东 张海涛 高怀 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期81-84,89,共5页

设计了一款包含功率检测和自适应线性化偏置电路的CDMA功率放大器,功率检测器能根据输入信号的大小来调整功率管的偏置点,大幅提升低功率输出时的效率,从而提升系统整体效率;自适应线性化偏置能有效抑制功率放大器的增益压缩和相位失真... 设计了一款包含功率检测和自适应线性化偏置电路的CDMA功率放大器,功率检测器能根据输入信号的大小来调整功率管的偏置点,大幅提升低功率输出时的效率,从而提升系统整体效率;自适应线性化偏置能有效抑制功率放大器的增益压缩和相位失真,改善其线性度。采用2μm InGaP/GaAs HBT晶体管工艺成功流片,测试结果表明,与普通功率放大器相比较,当输出功率小于10 dBm时,新型功率放大器的集电极电流大幅降低,系统整体效率提高了2.2倍;1 dB增益压缩点由30 dBm增加到32 dBm;当输出功率为28 dBm时,ACPR和ALTR分别改善了5 dB和12 dB,IM3改善了11 dB。 展开更多

关键词 功率检测 自适应偏置 效率 线性度

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802.11n高线性功率放大器的设计与实现 被引量：5

20

作者 庄建东 陶煜 +1 位作者 武文娟 高怀 《电讯技术》 北大核心 2012年第2期198-202,共5页

为了扩大802.11n无线产品的覆盖范围,设计了一款符合802.11n标准的2.4GHz高线性功率放大器。在该功率放大器的设计中采用了双路均衡功率合成技术和差异化加速开关技术,在提供高功率输出的同时满足了802.11n的误差向量幅度(EVM)的要求,... 为了扩大802.11n无线产品的覆盖范围,设计了一款符合802.11n标准的2.4GHz高线性功率放大器。在该功率放大器的设计中采用了双路均衡功率合成技术和差异化加速开关技术,在提供高功率输出的同时满足了802.11n的误差向量幅度(EVM)的要求,尤其是实际应用中的动态EVM。测试结果表明,该功率放大器回退7dB后的线性输出功率为27dBm,此时的EVM为-30dB,合成功率输出为29.5 dBm。该功率放大器可广泛用于无线局域网中,与各种类型的无线AP直接匹配使用,提高其覆盖范围。 展开更多

关键词 高线性功率放大器 802.11n 双路均衡功率合成 差异化加速开关

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