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功率集成电路中一种抗闩锁方法研究 被引量:3
1
作者 宋慧滨 唐晨 +1 位作者 易扬波 孙伟锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期429-431,440,共4页
在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上,采取一种抗闩锁方法,即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究,利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟比较,并应用于实际版图中进行流片。这种保护结构可以将闩... 在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上,采取一种抗闩锁方法,即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究,利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟比较,并应用于实际版图中进行流片。这种保护结构可以将闩锁的触发电压提高一个数量级,在实际的闩锁静态测试中得到验证。 展开更多
关键词 功率集成电路 寄生双极型晶体管 少子保护环 闩锁
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CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究 被引量:7
2
作者 唐晨 孙伟锋 陆生礼 《现代电子技术》 2006年第4期109-111,共3页
闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(... 闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性。 展开更多
关键词 寄生双极型晶体管 保护环 闩锁 CMOS集成电路
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新型PB-PSOI器件表面电场和温度分布模型研究
3
作者 孙伟锋 高珊 +1 位作者 陆生礼 陈军宁 《中国工程科学》 2009年第11期82-87,共6页
根据泊松方程和热扩散方程提出了新型PB-PSOI器件漂移区的二维表面电场分布模型和温度分布模型,模型计算结果与Medici模拟结果相一致。根据所提出的模型,重点研究了埋氧化层厚度及长度对漂移区表面电场分布和温度分布的影响,最后给出了P... 根据泊松方程和热扩散方程提出了新型PB-PSOI器件漂移区的二维表面电场分布模型和温度分布模型,模型计算结果与Medici模拟结果相一致。根据所提出的模型,重点研究了埋氧化层厚度及长度对漂移区表面电场分布和温度分布的影响,最后给出了PB-PSOI器件的埋氧化层厚度和长度的优化设计方法。 展开更多
关键词 PB—PSOI 表面电场 温度分布 埋氧化层
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体硅高压LDMOS器件电学特性温度效应的研究
4
作者 刘侠 王钦 《现代电子技术》 2006年第23期124-126,共3页
从等温和非等温两个角度,在250 K^573 K(-23℃~300℃)范围内,对体硅高压LDMOS的主要电学参数随温度的变化进行了研究。系统地研究了体硅高压LDMOS阈值电压、导通电阻和饱和电流等主要电学参数的温度效应及其机理。
关键词 体硅LDMOS 等温 非等温 负阻效应
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50 V LDMOS漏电容非线性研究
5
作者 朱少博 孙伟锋 +1 位作者 李海松 陆生礼 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1032-1036,共5页
借助软件模拟从器件结构和工艺参数角度研究了LDMOS漏电容Cd的非线性和源漏电压Vds的关系,研究了漂移区注入剂量、高压场板长度、场氧化层厚度、栅氧化层厚度、沟道区注入剂量等五个结构工艺参数对漏电容非线性的影响。主要分析了漂移... 借助软件模拟从器件结构和工艺参数角度研究了LDMOS漏电容Cd的非线性和源漏电压Vds的关系,研究了漂移区注入剂量、高压场板长度、场氧化层厚度、栅氧化层厚度、沟道区注入剂量等五个结构工艺参数对漏电容非线性的影响。主要分析了漂移区耗尽层对漏电容非线性的影响机理以及不同结构工艺参数如何通过改变漂移区耗尽层电容,进而影响漏电容非线性。提出了改善LDMOS的漏电容线性度的各参数调节方法。 展开更多
关键词 非线性 漏电容 漂移区 场板
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一种直流无刷电机驱动电路的设计与优化 被引量:15
6
作者 宋慧滨 徐申 段德山 《现代电子技术》 2008年第3期122-124,130,共4页
设计了一种用于直流无刷电机的控制驱动电路,该电路完全采用分立元件构成,具有成本低、易实现、可靠性高等特点。在简单阐述直流无刷电机工作原理的基础上,分析了其驱动电路的设计要点。结合设计的控制驱动电路,讨论了功率MOS管栅极浮... 设计了一种用于直流无刷电机的控制驱动电路,该电路完全采用分立元件构成,具有成本低、易实现、可靠性高等特点。在简单阐述直流无刷电机工作原理的基础上,分析了其驱动电路的设计要点。结合设计的控制驱动电路,讨论了功率MOS管栅极浮置驱动、互补脉宽调制死区时间设置的问题,分析了驱动电路中振荡产生的原因,并给出优化方法。在最后的实际测试中,验证了该电机驱动电路的各种功能及优化改进后的效果。 展开更多
关键词 直流无刷电机 驱动电路 功率MOS管 脉宽调制
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一种具有零稳态电流的新型上电复位电路 被引量:3
7
作者 单伟伟 周垚 吴建辉 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期213-218,共6页
为实现具有超低功耗且稳定可靠的上电复位电压输出,提出了基于电平检测的具有零稳态电流的新型上电复位电路,该电路由电平检测电路、状态锁存电路和欠压检测电路组成,通过在上电复位之后切断电平检测电路的电源实现复位稳定后的零稳态电... 为实现具有超低功耗且稳定可靠的上电复位电压输出,提出了基于电平检测的具有零稳态电流的新型上电复位电路,该电路由电平检测电路、状态锁存电路和欠压检测电路组成,通过在上电复位之后切断电平检测电路的电源实现复位稳定后的零稳态电流,其输出复位电压的状态由状态锁存电路锁存.该电路采用0.18μm Bi-CMOS工艺设计,电源电压为1.8 V.Cadence Spectre的仿真结果表明,该电路在上电复位结束后的稳态仅有数纳安的漏电流,起拉电压和欠压检测电压受温度影响很小,因而适用于集成到超大规模片上系统(SoC)芯片中. 展开更多
关键词 上电复位电路 零稳态电流 电平检测 起拉电压
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802.11n高线性功率放大器的设计与实现 被引量:5
8
作者 庄建东 陶煜 +1 位作者 武文娟 高怀 《电讯技术》 北大核心 2012年第2期198-202,共5页
为了扩大802.11n无线产品的覆盖范围,设计了一款符合802.11n标准的2.4GHz高线性功率放大器。在该功率放大器的设计中采用了双路均衡功率合成技术和差异化加速开关技术,在提供高功率输出的同时满足了802.11n的误差向量幅度(EVM)的要求,... 为了扩大802.11n无线产品的覆盖范围,设计了一款符合802.11n标准的2.4GHz高线性功率放大器。在该功率放大器的设计中采用了双路均衡功率合成技术和差异化加速开关技术,在提供高功率输出的同时满足了802.11n的误差向量幅度(EVM)的要求,尤其是实际应用中的动态EVM。测试结果表明,该功率放大器回退7dB后的线性输出功率为27dBm,此时的EVM为-30dB,合成功率输出为29.5 dBm。该功率放大器可广泛用于无线局域网中,与各种类型的无线AP直接匹配使用,提高其覆盖范围。 展开更多
关键词 高线性功率放大器 802.11n 双路均衡功率合成 差异化加速开关
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一种基于接收节点控制的无线传感器网络媒体访问控制协议 被引量:5
9
作者 钱丽丽 刘昊 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期241-246,共6页
为了提高无线传感器网络数据包传输效率,提出一种基于时间同步、接收节点控制的无线传感器网络媒体访问控制协议。该协议在保持节点低功耗工作的前提下,使父节点在一个操作周期内,通过多次邀请机制和迸发传输机制,能够与多子节点进行数... 为了提高无线传感器网络数据包传输效率,提出一种基于时间同步、接收节点控制的无线传感器网络媒体访问控制协议。该协议在保持节点低功耗工作的前提下,使父节点在一个操作周期内,通过多次邀请机制和迸发传输机制,能够与多子节点进行数据包的多次传输。该多次邀请机制,使父节点具备了在单个操作周期内,从多个子节点接收数据包的能力,本质上减少了子节点之间的竞争、提高了信道利用率,增强了父节点对数据包传输的控制力。迸发传输机制,使得父节点可以在一次通讯中连续接收多个数据包,进一步提高了信道的利用率。仿真结果表明:当网络载荷强度增大时,该协议使网络中的节点能够充分利用信道,显著提高了网络中数据包的传输效率,随着网络载荷增加,使网络吞吐量增大近50%。 展开更多
关键词 无线传感器网络 多次邀请 迸发传输 信道利用率
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基于Verilog HDL的数字集成电路高层设计环境 被引量:1
10
作者 时龙兴 陆生礼 +1 位作者 桑爱兵 孙大有 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1996年第3期29-34,共6页
基于VerilogHDL硬件描述语言以及VerilogXL模拟器,建立了从行为描述到寄存器传输级设计生成的数字集成电路高层设计环境,重点介绍了功能单元库的建立、目标硬件结构构成、排序与硬件配置.最后给出了一个设计实例.
关键词 硬件 数字集成电路 高层设计环境 VERILOGHDL
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行为驱动的VLSI设计方法 被引量:1
11
作者 时龙兴 孙大有 陆生礼 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 1996年第1期58-63,共6页
本文提出在VerilogHDL硬件描述语言和Verilog-XL模拟器环境下,实现行为驱动的VLSI硬件结构设计方法,从而生成寄存器传输级的数据通道和控制通道.给出了智能机械手实时控制专用处理器结构设计实例.
关键词 VLSI 设计 行为驱动 硬件描述语言
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模拟电路自顶向下设计环境
12
作者 时龙兴 陆生礼 陈立 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 1997年第S1期222-226,共5页
基于行为模型描述的模拟电路自顶向下设计方法适应了当今电子系统的设计要求.文中介绍的设计环境采用分层次、参数化、开放式的模型库描述,实现了模拟电路的自顶向下设计.分析验证在频域内进行,并考虑了与数字系统信号描述、验证环... 基于行为模型描述的模拟电路自顶向下设计方法适应了当今电子系统的设计要求.文中介绍的设计环境采用分层次、参数化、开放式的模型库描述,实现了模拟电路的自顶向下设计.分析验证在频域内进行,并考虑了与数字系统信号描述、验证环境及数据交换之间的兼容.设计实例说明了设计环境的有效性. 展开更多
关键词 模拟电路 自顶向下 行为描述 时域 频域
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基于符号分析和统计分析的宏模型自动建立方法
13
作者 时龙兴 陈立 葛军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期132-134,142,共4页
符号分析和统计分析是自动建立宏模型的常用方法.本文综合了这两种方法,提出一种新的宏模型自动建立方法,克服了分别利用以上两种方法建立宏模型的缺陷,使建立的宏模型具有更高的精度本文结出了应用新方法建立宏模型的实例,并与SP... 符号分析和统计分析是自动建立宏模型的常用方法.本文综合了这两种方法,提出一种新的宏模型自动建立方法,克服了分别利用以上两种方法建立宏模型的缺陷,使建立的宏模型具有更高的精度本文结出了应用新方法建立宏模型的实例,并与SPICE模拟结果进行了比较,以说明新方法的有效性. 展开更多
关键词 符号分析 统计分析 宏模型 模拟集成电路
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MP3定点解码算法的设计与实现 被引量:4
14
作者 江巍 杨军 +1 位作者 罗岚 胡晨 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第15期83-85,共3页
提出了一种用于嵌入式系统的MP3定点解码算法。该算法的核心是用定点数和定点计算代替浮点算法,并对MP3解码的各个过程进行优化设计。该算法在以ARM处理器为核心的嵌入式系统上完成了代码实现,经过FPGA验证和性能分析表明,其解码速度和... 提出了一种用于嵌入式系统的MP3定点解码算法。该算法的核心是用定点数和定点计算代替浮点算法,并对MP3解码的各个过程进行优化设计。该算法在以ARM处理器为核心的嵌入式系统上完成了代码实现,经过FPGA验证和性能分析表明,其解码速度和音质完全可以达到设计要求。 展开更多
关键词 定点算法 MPEG 音频解码
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0.1~4GHz达林顿-共射共基结构的增益模块 被引量:4
15
作者 丁华锋 严维敏 +2 位作者 王钟 胡善文 高怀 《电讯技术》 北大核心 2010年第11期80-84,共5页
提出了一种新型电路拓扑结构的增益模块,该增益模块为达林顿-共射共基结构,对其工作原理进行了分析。基于AWR Microwave Office软件的仿真结果表明:达林顿晶体管共射放大电路具有较强的电流放大能力,能有效提高增益;共基放大电路能抑... 提出了一种新型电路拓扑结构的增益模块,该增益模块为达林顿-共射共基结构,对其工作原理进行了分析。基于AWR Microwave Office软件的仿真结果表明:达林顿晶体管共射放大电路具有较强的电流放大能力,能有效提高增益;共基放大电路能抑制电路密勒效应,改善电路高频响应。设计了增益模块的版图,用2μm InGaP/GaAs HBT工艺成功流片,测试结果表明:在0.14 GHz频率范围内,该增益模块最大增益为25 dB,最小增益大于13.5 dB,在900 MHz工作频率时,该增益模块的P1dB为20 dBm。 展开更多
关键词 发射机 达林顿结构 共射共基 负反馈 放大器 增益模块
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pLEDMOS导通电阻及阈值电压的热载流子退化 被引量:2
16
作者 郑维山 孙虎 +1 位作者 刘斯扬 孙伟锋 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期522-525,共4页
研究了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的厚栅氧化层pLEDMOS器件由热载流子效应导致的导通电阻及阈值电压的退化现象及机理.实验结果表明,增加漂移区长度能改善器件的导通电阻的退化,但加速了阈值电压的退化;增加栅场极板长度可以同... 研究了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的厚栅氧化层pLEDMOS器件由热载流子效应导致的导通电阻及阈值电压的退化现象及机理.实验结果表明,增加漂移区长度能改善器件的导通电阻的退化,但加速了阈值电压的退化;增加栅场极板长度可以同时改善导通电阻和阈值电压的退化.借助TCAD仿真软件,模拟分析了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的pLEDMOS器件的离子产生率和纵向电场,模拟结果解释了各种退化现象的机理,同时表明碰撞电离率和纵向电场的优化是改善器件参数退化的有效手段. 展开更多
关键词 pLEDMOS 热载流子注入 导通电阻 阈值电压 退化
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一种无线传感器网络多信道动态路径转发协议 被引量:2
17
作者 蒋富龙 刘昊 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期28-33,共6页
为了改善无线传感器网络在重负载情况下的性能,提出了一种多信道动态路径转发协议MDFP.该协议通过整合动态路径选择和预测唤醒调度,使得发送者在发送数据前能预测可用转发节点的唤醒时间,避免了现有动态路径转发协议依赖长前导来完成转... 为了改善无线传感器网络在重负载情况下的性能,提出了一种多信道动态路径转发协议MDFP.该协议通过整合动态路径选择和预测唤醒调度,使得发送者在发送数据前能预测可用转发节点的唤醒时间,避免了现有动态路径转发协议依赖长前导来完成转发节点选择和数据传输所带来的问题,从而实现更低的能耗并改善网络在重负载下的延时和可靠性.MDFP利用多信道通信减少节点间干扰,从而进一步提升网络在重负载情况下的可靠性.基于TelosB节点的实验结果表明,在重负载情况下,相对于现有的动态路径转发协议,MDFP在能耗、延时和可靠性方面均有较明显的性能提升. 展开更多
关键词 无线传感器网络 周期性睡眠 多信道 动态路径选择
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5.8GHz堆叠式功率放大器设计 被引量:1
18
作者 陈涛 田婷 +1 位作者 吴建辉 高怀 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第3期77-79,83,共4页
基于2μm GaAs HBT工艺,采用堆叠晶体管结构设计了一款5.8GHz功率放大器。通常堆叠式功率放大器在高频情况下,上下两层晶体管间需要电感来完成功率匹配,在芯片设计中其电感会增加版图面积和级间功耗,为此该设计则利用上层晶体管的基极... 基于2μm GaAs HBT工艺,采用堆叠晶体管结构设计了一款5.8GHz功率放大器。通常堆叠式功率放大器在高频情况下,上下两层晶体管间需要电感来完成功率匹配,在芯片设计中其电感会增加版图面积和级间功耗,为此该设计则利用上层晶体管的基极与地之间的串联电阻、电容等效成堆叠结构级间的感性负载,从而减小了级间的损耗与匹配难度。实测结果表明,该堆叠功率放大器在5.8GHz时增益为20.6dB,饱和输出功率为29dBm,饱和输出时功率附加效率达到36.4%,芯片面积仅为1×0.85mm2。 展开更多
关键词 功率放大器 堆叠晶体管结构 级间匹配
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一种能改善GaAsHBT自热效应的复合管
19
作者 朱向伟 胡善文 +2 位作者 梁聪 张晓东 高怀 《现代电子技术》 2011年第2期145-147,150,共4页
根据负反馈原理,提出一种复合管结构来补偿异质结双极型晶体管(HBT)的自热效应。仿真和测试曲线结果表明,在较宽环境温度和较大输出电流密度范围内,复合管的自热效应得到了有效抑制,静态工作点稳定,采用此复合管设计的功率放大器的1 dB... 根据负反馈原理,提出一种复合管结构来补偿异质结双极型晶体管(HBT)的自热效应。仿真和测试曲线结果表明,在较宽环境温度和较大输出电流密度范围内,复合管的自热效应得到了有效抑制,静态工作点稳定,采用此复合管设计的功率放大器的1 dB提高了2 dB,线性得到了改善。 展开更多
关键词 HBT 直流偏置 自热效应 线性度
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基于SEP3203的高精度功耗测量仪器设计
20
作者 陈昊 王学香 《现代电子技术》 2006年第23期79-81,共3页
重点阐述高精度功耗检测仪器及其软件的开发工作。本仪器以东南大学ASIC工程中心自主研发的基于ARM7TDMI的SEP3203嵌入式微处理器为核心处理器,以TI公司的高精度数模转换器ADS1210作为转换器件实现模/数转换。采集器共设16个通道,通道... 重点阐述高精度功耗检测仪器及其软件的开发工作。本仪器以东南大学ASIC工程中心自主研发的基于ARM7TDMI的SEP3203嵌入式微处理器为核心处理器,以TI公司的高精度数模转换器ADS1210作为转换器件实现模/数转换。采集器共设16个通道,通道与通道之间采用小体积固态继电器M211进行输入量隔离及通道选通,并用TI公司的程控放大器PGA204对较小信号进行放大以匹配AD转换器的输入量程,有效提高了测量精度。本仪器通过RS 485与PC机相连,电气隔离良好,具有较高的工作稳定性。 展开更多
关键词 高精度 SEP3203 数据采集 功耗测量
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