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功率集成电路中一种抗闩锁方法研究 被引量:3
1
作者 宋慧滨 唐晨 +1 位作者 易扬波 孙伟锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期429-431,440,共4页
在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上,采取一种抗闩锁方法,即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究,利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟比较,并应用于实际版图中进行流片。这种保护结构可以将闩... 在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上,采取一种抗闩锁方法,即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究,利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟比较,并应用于实际版图中进行流片。这种保护结构可以将闩锁的触发电压提高一个数量级,在实际的闩锁静态测试中得到验证。 展开更多
关键词 功率集成电路 寄生双极型晶体管 少子保护环 闩锁
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基于Verilog HDL的数字集成电路高层设计环境 被引量:1
2
作者 时龙兴 陆生礼 +1 位作者 桑爱兵 孙大有 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1996年第3期29-34,共6页
基于VerilogHDL硬件描述语言以及VerilogXL模拟器,建立了从行为描述到寄存器传输级设计生成的数字集成电路高层设计环境,重点介绍了功能单元库的建立、目标硬件结构构成、排序与硬件配置.最后给出了一个设计实例.
关键词 硬件 数字集成电路 高层设计环境 VERILOGHDL
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模拟集成电路宏模型计算机辅助自动建立
3
作者 时龙兴 陈立 葛军 《电子科学学刊》 CSCD 1998年第5期669-675,共7页
本文提出一种新的模拟集成电路宏模型计算机辅助自动建立方法,通用性强、宏模型精度高。文中详细描述了建立过程,给出相应的软件流程,并对建立过程中的一些关键算法进行了探讨和创新。最后给出利用新方法建立二级运放宏模型的实例。
关键词 宏模型 符号分析 统计分析 模拟集成电路
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功率集成电路中的高压电源和地之间的ESD保护 被引量:1
4
作者 文毅 孙伟锋 《现代电子技术》 2006年第4期141-144,共4页
重点讨论了应用于功率集成电路的高压电源和地之间的一种采用动态检测电路的ESD保护电路,介绍了他的电路结构和工作原理,利用HSpice软件对其在ESD脉冲和正常工作2种情况下的功能进行了仿真,并模拟了保护电路中各器件的尺寸对电路性能的... 重点讨论了应用于功率集成电路的高压电源和地之间的一种采用动态检测电路的ESD保护电路,介绍了他的电路结构和工作原理,利用HSpice软件对其在ESD脉冲和正常工作2种情况下的功能进行了仿真,并模拟了保护电路中各器件的尺寸对电路性能的影响。仿真结果证明这种保护电路能满足ESD保护的要求,实际流水结果通过了4 kV HBM测试。 展开更多
关键词 功率集成电路 静电放电保护 电源和地 动态检测电路
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CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计 被引量:2
5
作者 姚维连 孙伟锋 吴建辉 《电子产品可靠性与环境试验》 2004年第5期12-15,共4页
讨论了3种常用的CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路,分别介绍了它们的电路结构以及设计考虑,并用Hspice对其中利用晶体管延时的电源和地的保护电路在ESD脉冲和正常工作两种情况下的工作进行了模拟验证。结论证明:在ESD脉冲下,该保... 讨论了3种常用的CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路,分别介绍了它们的电路结构以及设计考虑,并用Hspice对其中利用晶体管延时的电源和地的保护电路在ESD脉冲和正常工作两种情况下的工作进行了模拟验证。结论证明:在ESD脉冲下,该保护电路的导通时间为380ns;在正常工作时,该保护电路不会导通,因此这种利用晶体管延时的保护电路完全可以作为CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路。 展开更多
关键词 互补型金属氧化物集成电路 静电放电 保护电路 电源和地
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DVB-C系统中射频宽带低噪声放大器电路的设计研究
6
作者 魏明 黄成 吴建辉 《电子器件》 CAS 2007年第3期894-896,共3页
本文根据DVB系统对LNA的特殊要求,阐述了负反馈展宽放大器频带的原理,讨论了通过设计并联负反馈的手段来实现LNA宽频带稳定性,并在此基础上,设计出一种宽带LNA的拓补结构,并采用将负反馈解析计算与仿真优化相结合的LNA设计方法,给出了LN... 本文根据DVB系统对LNA的特殊要求,阐述了负反馈展宽放大器频带的原理,讨论了通过设计并联负反馈的手段来实现LNA宽频带稳定性,并在此基础上,设计出一种宽带LNA的拓补结构,并采用将负反馈解析计算与仿真优化相结合的LNA设计方法,给出了LNA最终设计的仿真及实测结果.实验结果和设计结果吻合较好.该LNA带宽为50MHz~900MHz,功率增益10.4dB,带内增益波动0.6dB,带内噪声系数2.7dB~3.5dB. 展开更多
关键词 LNA 负反馈 噪声系数 VSWR
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GaN HEMT器件动态导通电阻的测试电路
7
作者 刘梦丽 李胜 +2 位作者 马岩锋 刘斯扬 孙伟锋 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第4期317-321,339,共6页
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)的异质外延工艺导致GaN HEMT器件存在陷阱效应,造成器件在连续瞬态工作条件下的导通电阻产生动态变化(简称动态导通电阻),并高于静态条件下的理论值,对功率系统稳定性造成危害,因此需对GaN HEMT器... 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)的异质外延工艺导致GaN HEMT器件存在陷阱效应,造成器件在连续瞬态工作条件下的导通电阻产生动态变化(简称动态导通电阻),并高于静态条件下的理论值,对功率系统稳定性造成危害,因此需对GaN HEMT器件动态导通电阻高效、精确的测试方法进行研究。本文介绍了GaN HEMT器件动态导通电阻的产生机理,结合实际测试需求,设计了一种基于超高速电压反馈型运算放大器的新型钳位电路。采用Pspice仿真工具对该新型钳位电路进行仿真,并与其他现有常用钳位电路进行对比。结果表明该电路可以更快速准确地读取器件由关态转为开态后的漏压值,实现对不同偏置电压和频率下器件导通电阻的表征。 展开更多
关键词 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs) 陷阱效应 动态导通电阻 钳位电路
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CTIA型读出电路非线性的研究 被引量:10
8
作者 文勇 刘思超 +1 位作者 金友山 夏晓娟 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期978-981,共4页
在红外焦平面阵列读出电路中,其非线性的问题越来越受到重视。读出电路的非线性是产生非均匀性的重要因素,它影响着探测器的灵敏度,限制了探测器的使用范围。文中对电容跨阻抗放大器结构(CTIA)读出电路的非线性进行了理论研究,分析了放... 在红外焦平面阵列读出电路中,其非线性的问题越来越受到重视。读出电路的非线性是产生非均匀性的重要因素,它影响着探测器的灵敏度,限制了探测器的使用范围。文中对电容跨阻抗放大器结构(CTIA)读出电路的非线性进行了理论研究,分析了放大器增益和积分电容对单元电路非线性的影响。同时通过分析源随器结构行选电路,提出采用单位增益负反馈的差分放大器来做行选电路,以提高电路的线性度。 展开更多
关键词 CTIA 非线性 放大器增益 积分电容
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射频电路的单片集成 被引量:4
9
作者 彭艺频 时龙兴 +1 位作者 陆生礼 刘昊 《电子器件》 CAS 2002年第2期178-182,共5页
射频电路是无线通讯中的一个关键部分 ,其性能的好坏将直接影响到整个系统的性能。本文介绍了用CMOS工艺实现射频电路单片集成的可能性、难点、目前的情况和前景以及最终实现射频IP(IntellectualProperty)的意义 ,并提出了一条适合国内... 射频电路是无线通讯中的一个关键部分 ,其性能的好坏将直接影响到整个系统的性能。本文介绍了用CMOS工艺实现射频电路单片集成的可能性、难点、目前的情况和前景以及最终实现射频IP(IntellectualProperty)的意义 ,并提出了一条适合国内发展射频电路集成的途径。 展开更多
关键词 CMOS 射频电路 单片集成 IP核
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基于电荷泵法的N-LDMOS界面态测试技术研究 被引量:2
10
作者 刘斯扬 钱钦松 +2 位作者 孙伟锋 李海松 时龙兴 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期597-601,605,共6页
详细研究了高压N-LDMOS器件的电荷泵(CP)测试技术,指出了高压N-LDMOS器件的特殊结构对其CP测试结果的影响,并解释了高压N-LDMOS器件的CP曲线不饱和的原因,同时对由于不同的源漏偏压造成的高压N-LDMOS器件CP曲线的变化进行了深入的理论... 详细研究了高压N-LDMOS器件的电荷泵(CP)测试技术,指出了高压N-LDMOS器件的特殊结构对其CP测试结果的影响,并解释了高压N-LDMOS器件的CP曲线不饱和的原因,同时对由于不同的源漏偏压造成的高压N-LDMOS器件CP曲线的变化进行了深入的理论分析。这些结论可以为CP法测量界面态密度提供实验指导,同时为更加准确地分析高压LDMOS器件的CP测试曲线提供理论指导。 展开更多
关键词 N型横向双扩散金属氧化物晶体管 电荷泵测试 热载流子
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CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究 被引量:7
11
作者 唐晨 孙伟锋 陆生礼 《现代电子技术》 2006年第4期109-111,共3页
闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(... 闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性。 展开更多
关键词 寄生双极型晶体管 保护环 闩锁 CMOS集成电路
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基于边界扫描技术的Flash测试技术研究 被引量:3
12
作者 韩可 邓中亮 闫华 《电子器件》 CAS 2008年第2期568-571,共4页
提出了一种片内存储器的可测性设计方法。在详细分析了边界扫描技术的结构,功能与控制原理的基础上,设计了一种存储器测试接口。该接口符合JTAG标准(IEEE1149.1标准),其中包含了标准的指令寄存器设计,用来控制访问不同的扫描链。在权衡... 提出了一种片内存储器的可测性设计方法。在详细分析了边界扫描技术的结构,功能与控制原理的基础上,设计了一种存储器测试接口。该接口符合JTAG标准(IEEE1149.1标准),其中包含了标准的指令寄存器设计,用来控制访问不同的扫描链。在权衡了测试效率和芯片面积的基础上,提出了一种在线测试器电路的设计方法。实验表明,该测试电路可以以小的面积开销而节省大量测试时间。 展开更多
关键词 可测性设计 边界扫描 系统芯片 在线测试器
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基于数字电路设计直接比较型准四位ADC的仿真研究 被引量:1
13
作者 李文石 唐晨 《中国集成电路》 2006年第7期34-37,56,共5页
为入门探索实现全数字化A/D转换器的集成设计方案,逐步改造4位简易ADC电路,使之成为基于门电路和触发器的设计范例。技术要点包括(1)量化编码基于CMOS非门阈值及其移动,(2)阈值移动基于非门组合传输门(替代电阻),(3)取样保持基于边沿D... 为入门探索实现全数字化A/D转换器的集成设计方案,逐步改造4位简易ADC电路,使之成为基于门电路和触发器的设计范例。技术要点包括(1)量化编码基于CMOS非门阈值及其移动,(2)阈值移动基于非门组合传输门(替代电阻),(3)取样保持基于边沿D触发器,(4)ADC元架构业经搭建LSI电路验证成功。研究结论是Hspice仿真成功的该Flash型准4位ADC适用于低频段生物医学信号处理SoC的研制。 展开更多
关键词 ADC 数字集成 仿真
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射频阻抗测量夹具建模技术的研究及应用 被引量:7
14
作者 陶峰 黄成 吴建辉 《电子器件》 CAS 2007年第3期1075-1078,1083,共5页
分析了阻抗测量夹具中由于阻抗不连续以及信号传输结构变换引起信号的反射,建立PCB板微带传输线、同轴传输线至微带线的转接的模型,最后介绍从测量结果中消除夹具影响的方法.使用自制夹具测量0603封装的贴片器件,并利用文中介绍的方法... 分析了阻抗测量夹具中由于阻抗不连续以及信号传输结构变换引起信号的反射,建立PCB板微带传输线、同轴传输线至微带线的转接的模型,最后介绍从测量结果中消除夹具影响的方法.使用自制夹具测量0603封装的贴片器件,并利用文中介绍的方法进行建模和去嵌入处理,最终获得贴片器件的射频特性;同时可以得到微带线的特性,实际验证了该方法的正确性. 展开更多
关键词 阻抗测量夹具 反射系数 特性阻抗
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一种新型提高射频功率放大器PAE的电路技术 被引量:2
15
作者 郭瑜 胡善文 +1 位作者 张晓东 高怀 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期257-262,共6页
提出了一种新型提高射频功率放大器功率附加效率(PAE)的电路技术,该方法通过滤除二次谐波分量、反射叠加三次谐波分量以提高电路PAE,分析了相位匹配的机制及其影响因素。基于该技术设计了一款功率放大器,仿真结果表明:工作频率为918 MHz... 提出了一种新型提高射频功率放大器功率附加效率(PAE)的电路技术,该方法通过滤除二次谐波分量、反射叠加三次谐波分量以提高电路PAE,分析了相位匹配的机制及其影响因素。基于该技术设计了一款功率放大器,仿真结果表明:工作频率为918 MHz时,该功放的P_(1db)达到了30.05 dBm,功率附加效率达到了58.75%,较普通功放提高了12%,功率增益在20 dB左右。 展开更多
关键词 相位匹配 谐波控制 功率附加效率 功翠放大詈苷
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多层AHB系统中基于时分复用的高速从设备互连电路(英文) 被引量:2
16
作者 温小静 刘新宁 陆生礼 《电子器件》 CAS 2008年第2期607-611,共5页
片上系统在性能和功能上的突破性进展带来了新的挑战,包括大量IP模块之间的有效互连。虽然前人已经研究并实现了多种基于共享总线的多通道平行访问方案,但是当同一个IP块被多个通道同时访问时仍然存在数据传输的瓶颈。针对经常引起资源... 片上系统在性能和功能上的突破性进展带来了新的挑战,包括大量IP模块之间的有效互连。虽然前人已经研究并实现了多种基于共享总线的多通道平行访问方案,但是当同一个IP块被多个通道同时访问时仍然存在数据传输的瓶颈。针对经常引起资源冲突的IP块,提出了一个基于时分复用的互连电路。该电路在同一个IP块被同时访问时重新安排传输信息,以时分复用的方式分配有限的资源。它将实现多个传输通道并行访问同一个IP核时不引入额外的延时,且对IP核是透明的。最后,在双层AHB总线系统的基础上实现了该电路。 展开更多
关键词 集成电路设计 片上互连 时分复用 多层AHB总线
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电流控制模式白光LED驱动电路的频率补偿研究 被引量:4
17
作者 陶平 易扬波 吴建辉 《现代电子技术》 2005年第18期106-108,共3页
白光LED由于其工作寿命长和能耗低的特点,为无线通讯产品的应用提供了完美的背光方案,其驱动芯片的设计大部分采用电压模式和电流模式两类控制方案。电流控制型白光LED驱动电路因为线性调整率和负载调整率非常好的优点成为目前设计的热... 白光LED由于其工作寿命长和能耗低的特点,为无线通讯产品的应用提供了完美的背光方案,其驱动芯片的设计大部分采用电压模式和电流模式两类控制方案。电流控制型白光LED驱动电路因为线性调整率和负载调整率非常好的优点成为目前设计的热点。基于1MHz开关频率的电流控制型白光LED驱动芯片,结合相关的研究,对电流控制型白光LED驱动芯片进行了小信号分析,根据得出的回路增益提出了具体的频率补偿方案,并给出了实现频率补偿的方案必须满足的参数设计方法。补偿方案能有效提高白光LED驱动芯片的小信号稳定性。 展开更多
关键词 频率补偿 白光LED驱动电路 右零点
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嵌入式系统中数据同步协议SyncML的研究和实现 被引量:2
18
作者 尤国芳 王学香 刘昊 《电子器件》 CAS 2004年第1期134-138,共5页
概述了目前嵌入式设备上几种常用的同步协议,并简单比较它们的性能和适用范围,然后重点介绍其中一种协议——SyncML,以及它在嵌入式系统中的实现。详细描述了该实现的框架结构、各模块功能和具体实现。
关键词 嵌入式 数据同步 SYNCML
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PDP能量恢复电路硬开关问题的研究 被引量:1
19
作者 周吉鹏 曹允 +1 位作者 孙伟峰 吴建辉 《电子器件》 CAS 2007年第2期518-522,525,共6页
等离子显示器在没有能量恢复电路的情况下,功耗很大,不能广泛实用,因此能量恢复电路是驱动电路中至关重要的部分.能量恢复电路中的高压开关MOSFET的硬开关问题,会导致PDP电路中的较大的放电电流,增大电磁干扰(EMI),影响整机性能.硬开关... 等离子显示器在没有能量恢复电路的情况下,功耗很大,不能广泛实用,因此能量恢复电路是驱动电路中至关重要的部分.能量恢复电路中的高压开关MOSFET的硬开关问题,会导致PDP电路中的较大的放电电流,增大电磁干扰(EMI),影响整机性能.硬开关问题是近年来PDP电路研究的重点之一.本文通过对经典能量恢复电路及其寄生效应进行理论分析,指出电路及其元件中的寄生效应是电路中主要MOSFET产生硬开关问题的主要原因,由此分析了研究了改进这一问题的几种方法. 展开更多
关键词 等离子显示器 能量恢复 硬开关 零电压开关
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无线传感网OFDM系统中信道均衡器的电路实现 被引量:1
20
作者 瞿晓 奚锦程 刘新宁 《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第5期1052-1057,共6页
信道均衡器是无线传感网OFDM系统的关键部分,传统均衡器设计在信道估计精度或电路复杂度上效果不佳。为使均衡器更精确、复杂度更低,采用快速LMMSE算法进行信道估计与均衡,定制了精简的20位浮点数进行均衡器电路设计。电路经过综合、仿... 信道均衡器是无线传感网OFDM系统的关键部分,传统均衡器设计在信道估计精度或电路复杂度上效果不佳。为使均衡器更精确、复杂度更低,采用快速LMMSE算法进行信道估计与均衡,定制了精简的20位浮点数进行均衡器电路设计。电路经过综合、仿真与FPGA验证,结果表明,均衡器电路复杂度低,性能显著提高。相比于传统LS算法均衡器,在资源消耗仅增加27.27%的情况下,16 d B载噪比下误码率降低了89.8%,实现了低复杂度高性能的均衡器电路。 展开更多
关键词 无线传感网 正交频分复用 信道均衡器 快速LMMSE算法 电路实现
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