期刊文献+
共找到8篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
SiO2纳米球的粒径均一性研究及其在硅光学共振纳米柱阵列中的应用 被引量:2
1
作者 彭新村 王智栋 +4 位作者 曾梦丝 刘云 邹继军 朱志甫 邓文娟 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期734-740,共7页
近年来,半导体纳米结构材料的光学共振效应作为一种重要的光调控手段被广泛应用于各类光电子器件。本文用改进的两步Stober法制备了粒径在270~330 nm之间的单分散二氧化硅纳米球,通过优化工艺参数有效改善了纳米球的粒径均一性。采用恒... 近年来,半导体纳米结构材料的光学共振效应作为一种重要的光调控手段被广泛应用于各类光电子器件。本文用改进的两步Stober法制备了粒径在270~330 nm之间的单分散二氧化硅纳米球,通过优化工艺参数有效改善了纳米球的粒径均一性。采用恒温加热蒸发引诱自组装方法将纳米球在硅半导体上自组装成单层膜作为掩膜,采用感应耦合等离子体技术刻蚀制备了硅纳米柱阵列并测试了其光反射谱。光谱结果表明直径在300~325 nm之间的硅纳米柱阵列可以激发四极子Mie光学共振,其在可见光波段的最低反射率低于5%,具有良好的光调控性能。 展开更多
关键词 自组装纳米球 纳米阵列 光学共振
在线阅读 下载PDF
湖北地区地表水中总α、总β放射性分布特征研究 被引量:8
2
作者 罗宇 董冲 +1 位作者 杨亚新 张叶 《东华理工大学学报(自然科学版)》 CAS 2016年第1期48-52,共5页
采集湖北地区的22个地表水水样,采用蒸发法,测量水样中总α、总β放射性水平,并依据相关标准,对测量数据进行了分析研究。研究结果表明,枯水期水样,总α、总β放射性水平分别为(0.008±0.007)^(0.058±0.009)Bq/L、(0.017±... 采集湖北地区的22个地表水水样,采用蒸发法,测量水样中总α、总β放射性水平,并依据相关标准,对测量数据进行了分析研究。研究结果表明,枯水期水样,总α、总β放射性水平分别为(0.008±0.007)^(0.058±0.009)Bq/L、(0.017±0.003)^(0.312±0.024)Bq/L;丰水期水样,总α、总β放射性水平分别为(0.011±0.006)^(0.037±0.016)Bq/L、(0.103±0.027)^(0.389±0.082)Bq/L。成人饮用监测水样所致年有效剂量在0.006~0.022 m Sv/a,远低于世界卫生组织推荐值0.1 m Sv/a;工作区地区地表水在枯水期和丰水期的放射性水平均未超过国家生活饮用水卫生标准限值。所测地表水不用采取任何降低其中放射性污染物的措施就可作为饮用水水源。 展开更多
关键词 地表水 总α 总β 丰水期 枯水期
在线阅读 下载PDF
氧等离子体处理对GaAs表面单层自组装SiO2纳米球薄膜的影响
3
作者 王智栋 刘云 +3 位作者 彭新村 邹继军 朱志甫 邓文娟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期253-258,共6页
二维纳米阵列结构因其重要的光学性能被广泛应用于各类光电子器件。本文对自组装单层SiO2纳米球掩模刻蚀法制备GaAs纳米柱二维阵列结构的关键工艺技术进行了研究。采用旋涂法在GaAs表面制备自组装单层SiO2纳米球,重点研究了GaAs表面氧... 二维纳米阵列结构因其重要的光学性能被广泛应用于各类光电子器件。本文对自组装单层SiO2纳米球掩模刻蚀法制备GaAs纳米柱二维阵列结构的关键工艺技术进行了研究。采用旋涂法在GaAs表面制备自组装单层SiO2纳米球,重点研究了GaAs表面氧等离子体亲水处理工艺对纳米球排列特性的影响,获得最佳工艺条件为功率配比100 W+80 W、腔室压力4 Pa、氧气流量20 mL/min、处理时间1200 s,并最终得到排列紧密的大面积单层纳米球薄膜。以单层纳米球为掩模,采用感应耦合等离子体刻蚀技术在GaAs表面制备了纳米柱阵列并测试了其表面光反射谱。测试结果表明,GaAs纳米柱阵列在特定波段的反射率降低至5%,远低于表面无纳米结构的薄膜材料表面高达40%的光反射。分析表明纳米柱可以激发米氏散射共振效应,从而有效降低反射率并提升光吸收。 展开更多
关键词 SiO2纳米球 氧等离子体 ICP刻蚀
在线阅读 下载PDF
铀矿测井中驱动中子管离子源高压脉冲电源设计 被引量:2
4
作者 王海涛 汤彬 +5 位作者 王仁波 周书民 张雄杰 刘志锋 陈锐 瞿金辉 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2018年第5期730-734,共5页
脉冲中子测井是进行铀矿勘探的重要方法,常采用控制中子管离子源启/停的方式实现脉冲中子源的输出,其边沿特性取决于离子源的高压电源性能。论文针对铀矿脉冲中子测井的特点,设计了驱动中子管离子源的专用高压脉冲电源。通过数字化芯片C... 脉冲中子测井是进行铀矿勘探的重要方法,常采用控制中子管离子源启/停的方式实现脉冲中子源的输出,其边沿特性取决于离子源的高压电源性能。论文针对铀矿脉冲中子测井的特点,设计了驱动中子管离子源的专用高压脉冲电源。通过数字化芯片CPLD控制高压MOS管,实现脉冲频率与占空比可调、特别是脉冲下降沿时间极短的高压脉冲电源(仅为0.2μs),确保中子管输出的脉冲中子源能够实现锐截止,满足铀矿脉冲中子测井行业中进行瞬发裂变中子测井时的特殊要求。 展开更多
关键词 中子管离子源 高压脉冲电源 CPLD 高压MOS管
在线阅读 下载PDF
多通道能谱仪通道切换电路设计 被引量:1
5
作者 刘琦 王仁波 +1 位作者 汤彬 王海涛 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2021年第5期737-740,共4页
多通道能谱仪是实现多点能谱分析的重要仪器,为解决通用多通道能谱仪输入通道之间不能相互切换的问题,设计了通道切换电路。通过低内阻、高带宽的开关阵列芯片控制能谱仪各输人通道和多道脉冲幅度分析仪之间的核脉冲信号传输,实现通道切... 多通道能谱仪是实现多点能谱分析的重要仪器,为解决通用多通道能谱仪输入通道之间不能相互切换的问题,设计了通道切换电路。通过低内阻、高带宽的开关阵列芯片控制能谱仪各输人通道和多道脉冲幅度分析仪之间的核脉冲信号传输,实现通道切换,确保了信号不失真,信号幅度衰减少,对能谱仪的分辨率影响小,利用485总线实现远程控制切换,电路可长时间稳定工作,满足多通道能谱仪通道切换的特殊要求。 展开更多
关键词 多通道能谱仪 通道切换 开关阵列芯片 485总线
在线阅读 下载PDF
PET核孔膜制备纳米钯及其形貌观测 被引量:3
6
作者 周敏兰 傅元勇 +4 位作者 刘义保 焦学胜 鞠薇 梁海英 吴振东 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期178-180,共3页
采用径迹蚀刻的聚酯(PET)膜制作核孔膜模板,辅助电化学沉积法制备了纳米钯。利用扫描电子显微镜(SEM)和能量色散X射线光谱仪(EDX)对纳米钯的形貌和成分进行了表征。结果显示,在沉积电位为-0.65V时,此法制备的纳米钯颗粒均匀,且呈... 采用径迹蚀刻的聚酯(PET)膜制作核孔膜模板,辅助电化学沉积法制备了纳米钯。利用扫描电子显微镜(SEM)和能量色散X射线光谱仪(EDX)对纳米钯的形貌和成分进行了表征。结果显示,在沉积电位为-0.65V时,此法制备的纳米钯颗粒均匀,且呈阵列分布,长径比分布范围为5-70。 展开更多
关键词 聚酯膜 核孔膜模板 电化学沉积 纳米钯
在线阅读 下载PDF
FPGA-ARM数字γ能谱仪设计 被引量:4
7
作者 曹杰 王仁波 +3 位作者 王海涛 林文 汤建文 刘世梁 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2022年第2期280-285,共6页
介绍了基于FPGA与ARM的数字γ能谱仪软硬件系统设计及实现.硬件设计方面采用信号调理电路、外置模数转换电路、FPGA和ARM电路,其中外置ADC芯片可实现最高达65 MHz的采样速率,软件方面在FPGA中实现核脉冲数字信号处理,ARM实现与FPGA和上... 介绍了基于FPGA与ARM的数字γ能谱仪软硬件系统设计及实现.硬件设计方面采用信号调理电路、外置模数转换电路、FPGA和ARM电路,其中外置ADC芯片可实现最高达65 MHz的采样速率,软件方面在FPGA中实现核脉冲数字信号处理,ARM实现与FPGA和上位机的数据传输及控制.实验结果表明:本方案研制的γ能谱仪,仪器性能达到要求,已应用于铀矿测井的γ能谱测量. 展开更多
关键词 FPGA ARM Γ能谱仪
在线阅读 下载PDF
长距离高速测井通信系统设计
8
作者 朱航 汤彬 +1 位作者 王海涛 唐石平 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2020年第1期44-49,共6页
为避免很多测井系统需使用多芯电缆才能实现通信的问题,设计了一套基于直流电力线载波的长距离高速测井通信系统.该系统采用DSP微处理器,用500 kHz方波作载波,以2ASK调制方式调制,电路简单,性能良好,波特率高达57600 bps,只需使用单芯... 为避免很多测井系统需使用多芯电缆才能实现通信的问题,设计了一套基于直流电力线载波的长距离高速测井通信系统.该系统采用DSP微处理器,用500 kHz方波作载波,以2ASK调制方式调制,电路简单,性能良好,波特率高达57600 bps,只需使用单芯屏蔽电缆即可完成长距离的大数据量信号通信,非常适合对测井系统体积重量有限制,需要传输大量数据的测井场合. 展开更多
关键词 载波通信 2ASK DPLC DSP
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部