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利用Rugate膜系理论实现宽角度入射1500-1600nm波段减反射薄膜的研究 被引量:2
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作者 徐晓峰 张凤山 +1 位作者 范滨 张浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期185-188,共4页
阐述了利用Rugate膜系理论设计宽角度减反射薄膜的方法 ,从理论上分析了在宽角度的情况下 ,偏振产生透过率不同的原因 ,模拟设计了光谱区在 15 0 0— 16 0 0nm波段 ,入射角从 0度到 80度宽角度减反射薄膜 ,探索出了一条新型膜系设计的途... 阐述了利用Rugate膜系理论设计宽角度减反射薄膜的方法 ,从理论上分析了在宽角度的情况下 ,偏振产生透过率不同的原因 ,模拟设计了光谱区在 15 0 0— 16 0 0nm波段 ,入射角从 0度到 80度宽角度减反射薄膜 ,探索出了一条新型膜系设计的途径 ,其优化结果是较为理想的 .这一研究方法如能在太阳能、光纤通信、航天、激光等领域应用 ,将大大地提高光能的利用率 。 展开更多
关键词 薄膜光学 Rugate膜系 减反射膜系 偏振光
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纺织结构碳纤维增强尼龙基复合材料的成型加工及力学性能 被引量:3
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作者 吴玉霞 朱姝 +4 位作者 徐英凯 景鹏展 余木火 詹亚歌 杨洋 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期92-98,共7页
纺织结构碳纤维增强尼龙6(CFF/PA6)复合材料的力学性能优于短、长纤增强材料,但成型加工较困难。文中提出一种基于碳纤维(CF)表面改性的CFF/PA6成型方法,研究了多种CF表面改性处理法及模压成型压力对材料力学性能的影响。发现在氮... 纺织结构碳纤维增强尼龙6(CFF/PA6)复合材料的力学性能优于短、长纤增强材料,但成型加工较困难。文中提出一种基于碳纤维(CF)表面改性的CFF/PA6成型方法,研究了多种CF表面改性处理法及模压成型压力对材料力学性能的影响。发现在氮气氛围中400℃高温处理4h可有效去除CFF表面浆料,通过饱和的尼龙/甲酸溶液处理24h可使CF表面活化、与PA6形成氢键,并使PA6以黏度较低的溶液状态渗透CFF丝束内部,孔隙率从8.05%降至0.81%。进而采用薄膜叠层模压法制备CFF/PA6,在250℃,2.5~3.0 MPa下加载10min,所得材料的拉伸强度、弯曲强度和冲击强度分别达到464.48 MPa,698.47 MPa和95.3kJ/m2,较未经表面处理的材料提高40%~50%。利用扫描电子显微镜可以看到,所制备的复合材料具有良好的基体-增强体浸润性和较强界面。 展开更多
关键词 纺织结构碳纤维 尼龙6 复合材料 力学性能
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一种基于PSD红外线位置传感器的设计 被引量:10
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作者 钟平 续志军 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2005年第5期52-54,共3页
在介绍位置敏感器件(PSD)基本原理的基础上,提出一种以PSD为核心器件,应用于纠偏系统的红外线位置传感器的设计方法。介绍了该传感器的结构和测位原理,给出了硬件和软件的相关设计,分析了影响该传感器检测位置精度的因素,并提出了相应... 在介绍位置敏感器件(PSD)基本原理的基础上,提出一种以PSD为核心器件,应用于纠偏系统的红外线位置传感器的设计方法。介绍了该传感器的结构和测位原理,给出了硬件和软件的相关设计,分析了影响该传感器检测位置精度的因素,并提出了相应的解决办法。该位移传感器可检测的物体的最大运动位移为±18.5mm,检测精度优于0.1mm,采样频率可达1.5kHz。 展开更多
关键词 位置敏感器件 位置检测 红外传感器 背景光
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基于石墨纳米材料的电磁诱导势阱效应的室温太赫兹探测研究 被引量:1
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作者 阎蒋伟 张晓东 +5 位作者 周炜 马万里 胡涛 姚娘娟 江林 黄志明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期551-556,共6页
基于石墨纳米材料,成功制备金属-石墨-金属结构电磁诱导势阱效应室温太赫兹探测器,实现了高性能的室温太赫兹探测。器件在0.035 THz的响应率达到20 kV/W,在0.1673 THz的响应率达到11 kV/W,器件在0.035 THz的噪声等效功率达到1.25pW/√Hz... 基于石墨纳米材料,成功制备金属-石墨-金属结构电磁诱导势阱效应室温太赫兹探测器,实现了高性能的室温太赫兹探测。器件在0.035 THz的响应率达到20 kV/W,在0.1673 THz的响应率达到11 kV/W,器件在0.035 THz的噪声等效功率达到1.25pW/√Hz,在0.1673 THz的噪声等效功率达到2.27pW/√Hz。我们的研究结果为石墨烯太赫兹探测器提供新的思路。 展开更多
关键词 红外物理 太赫兹探测 光电导 电磁诱导势阱效应 石墨纳米片
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基于金属-半导体-金属结构的Bi2Te3室温高响应率太赫兹探测器 被引量:1
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作者 徐新月 张晓东 +7 位作者 吴敬 江林 吴彩阳 姚娘娟 曲越 周炜 尹一鸣 黄志明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期459-463,472,共6页
基于二维拓扑绝缘体Bi 2Te 3材料利用微纳工艺制备了金属-拓扑绝缘体-金属(MTM)结构的太赫兹光电探测器.器件在0.022 THz的响应率可达2×10 3 A/W,噪声等效功率(NEP)低于7.5×10 -15 W/Hz 1/2 ,探测率D*高于1.62 ×10 11 cm... 基于二维拓扑绝缘体Bi 2Te 3材料利用微纳工艺制备了金属-拓扑绝缘体-金属(MTM)结构的太赫兹光电探测器.器件在0.022 THz的响应率可达2×10 3 A/W,噪声等效功率(NEP)低于7.5×10 -15 W/Hz 1/2 ,探测率D*高于1.62 ×10 11 cm·Hz 1/2 /W;在0.166 THz的响应率可达281.6 A/W,NEP低于5.18×10 -14 W/Hz 1/2 ,D*高于2.2×10 10 cm·Hz 1/2 /W;在0.332 THz的响应率可达7.74 A/W,NEP低于1.75×10 -12 W/Hz 1/2 ,D*高于6.7 ×10 8 cm ·Hz 1/2 /W;同时器件在太赫兹波段具有小的时间常数(7~8 μs).该项工作突破了传统光子探测的带间跃迁,实现了可室温工作、高响应率、高速响应以及高灵敏度的太赫兹探测器件. 展开更多
关键词 太赫兹探测器 二维材料 BI2TE3
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Al_2O_3/GaSb p-MOSFET器件电学性质模拟(英文)
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作者 甘凯仙 王林 邢怀中 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期528-532,共5页
利用泊松方程和连续性方程对Al2O3/GaSb p-MOSFET进行二维数值分析,研究其在高场和载流子速度饱和下的电学特性以及漏极电流的开关电流比.与实验研究相对比,沟道长度为0.75μm的GaSb p-MOS器件获得漏极电流最大为61.2mA/mm.改变沟道长度... 利用泊松方程和连续性方程对Al2O3/GaSb p-MOSFET进行二维数值分析,研究其在高场和载流子速度饱和下的电学特性以及漏极电流的开关电流比.与实验研究相对比,沟道长度为0.75μm的GaSb p-MOS器件获得漏极电流最大为61.2mA/mm.改变沟道长度和GaS b衬底的掺杂浓度,由于高k介质栅电容效应和低阈值电压,漏极电流变化不大.在理想条件下,该器件获得超过三个数量级的漏极开关电流比以及较低的夹断漏电流(10-15A/μm).结果表明,基于高k介质的GaSb MOSFET是III-V族p沟道器件良好的候选材料. 展开更多
关键词 Al2O3/GaSb p型场效应晶体管 饱和电流 泊松方程与连续性方程 开关电流比
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经典漂移对EAST钨杂质产生和输运特性影响的模拟研究
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作者 刘洪涛 王福琼 钟方川 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期289-295,共7页
本文采用蒙特卡罗杂质输运程序DIVIMP,针对先进实验超导托卡马克(EAST)的上单零位形放电,模拟研究了不同漂移情况下(无漂移、离子B??B漂移向下/上)的钨杂质产生和输运特性。结果表明,经典漂移显著影响了钨杂质自偏滤器靶板的溅射通量及... 本文采用蒙特卡罗杂质输运程序DIVIMP,针对先进实验超导托卡马克(EAST)的上单零位形放电,模拟研究了不同漂移情况下(无漂移、离子B??B漂移向下/上)的钨杂质产生和输运特性。结果表明,经典漂移显著影响了钨杂质自偏滤器靶板的溅射通量及其在上游区域的含量。 展开更多
关键词 经典漂移 钨杂质 边界等离子体 杂质输运
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