等离子体表面技术和在有机材料改性应用中的新进展 被引量：39

1

作者 杨超 邱高 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期30-34,共5页

综述了 2 0世纪 90年代以来低温等离子体表面技术及其在有机材料改性应用中的新进展。介质阻挡放电和远等离子体处理是实现工业化和获得更好的等离子体表面改性的新方法。目前的研究更多地关注于等离子体接枝表面改性 ,即将不同性能的... 综述了 2 0世纪 90年代以来低温等离子体表面技术及其在有机材料改性应用中的新进展。介质阻挡放电和远等离子体处理是实现工业化和获得更好的等离子体表面改性的新方法。目前的研究更多地关注于等离子体接枝表面改性 ,即将不同性能的单体接枝于用等离子体处理过的材料表面获得永久性表面改性 ,以提高材料的粘附性、吸湿性、吸附性、导电性和生物相容性等。 展开更多

关键词 低温等离子体 有机材料 表面改性 进展

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利用非规整膜系实现宽角度入射减偏振、减反射薄膜的研究 被引量：4

2

作者 徐晓峰 邢怀中 +1 位作者 杜西亮 范滨 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1691-1693,共3页

利用非均匀膜系理论对宽角度入射减偏振、减反射薄膜进行优化设计,分析了在宽角度入射的情况下,偏振光产生透过率不同的原因,选取了Na3AlF6、Ta2O5和Al2O3三种不同折射率材料,采用BK7作为基底,模拟设计了光谱区在500 ～560 nm波段、入... 利用非均匀膜系理论对宽角度入射减偏振、减反射薄膜进行优化设计,分析了在宽角度入射的情况下,偏振光产生透过率不同的原因,选取了Na3AlF6、Ta2O5和Al2O3三种不同折射率材料,采用BK7作为基底,模拟设计了光谱区在500 ～560 nm波段、入射角为0 ～70°之间的多层减偏振、减反射薄膜,设计结果表明,薄膜的透过率得到大幅度提高. 展开更多

关键词 光学薄膜 非均匀膜系理论 减反射薄膜 减偏振 透过率

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双光栅匹配解调系统线性解调模型的研究 被引量：2

3

作者 詹亚歌 裴金成 +1 位作者 杨熙春 向世清 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2611-2616,共6页

对双光栅匹配波长解调法进行深入研究,得到一种线性解调的理论模型并进行了实验验证。理论和实验研究表明,若两个解调光栅的带宽相等,则两个探测器输出电压之比的对数与被测传感光栅的中心波长成严格的线性关系;测试过程中的附加偏置电... 对双光栅匹配波长解调法进行深入研究,得到一种线性解调的理论模型并进行了实验验证。理论和实验研究表明,若两个解调光栅的带宽相等,则两个探测器输出电压之比的对数与被测传感光栅的中心波长成严格的线性关系;测试过程中的附加偏置电压对解调系统的性能有严重影响,系统的解调精度、灵敏度和线性范围均随偏置电压的增大而逐渐减小。另外,在此线性解调理论的基础上,提出了可调谐双光栅解调法,该方法不仅可以扩大原有系统的解调范围,而且能够用于多个光纤光栅中心波长的解调。 展开更多

关键词 光纤光栅传感器 解调技术 线性范围 灵敏度

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负热膨胀材料研究进展 被引量：13

4

作者 梁源 周鸿颖 +2 位作者 梁二军 袁斌 晁明举 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1551-1557,共7页

本文介绍了负热膨胀材料的制备技术、结构、性能、应用及热缩机理研究的主要进展。分析了负热膨胀材料合成及其应用中存在的主要问题,讨论了刚性单元模模型及其局限性,给出了热缩机理理论和实验特别是第一性原理声子谱计算和拉曼光谱研... 本文介绍了负热膨胀材料的制备技术、结构、性能、应用及热缩机理研究的主要进展。分析了负热膨胀材料合成及其应用中存在的主要问题,讨论了刚性单元模模型及其局限性,给出了热缩机理理论和实验特别是第一性原理声子谱计算和拉曼光谱研究的最新进展、存在问题及发展趋势。指出了负热膨胀材料研究中应重点解决的一些重要问题。 展开更多

关键词 负热膨胀材料 制备技术 结构 热缩机理

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托卡马克等离子体电流爬升阶段逃逸电子行为 被引量：1

5

作者 卢洪伟 胡立群 +3 位作者 林士耀 周瑞杰 罗家融 钟方川 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期2116-2120,共5页

分析了电流爬升阶段等离子体密度和电流爬升率对逃逸电子行为的影响,研究了低杂波辅助电流驱动条件下的逃逸电子辐射行为。结果发现:电流爬升阶段等离子体密度的大小严重影响了电流爬升阶段甚至电流平顶阶段逃逸电子的行为,较低的等离... 分析了电流爬升阶段等离子体密度和电流爬升率对逃逸电子行为的影响,研究了低杂波辅助电流驱动条件下的逃逸电子辐射行为。结果发现:电流爬升阶段等离子体密度的大小严重影响了电流爬升阶段甚至电流平顶阶段逃逸电子的行为,较低的等离子体密度将会导致放电过程中比较强的逃逸电子辐射;低能逃逸电子辐射随着电流爬升率的增大而增强;低杂波辅助电流爬升可以有效地节约装置的伏秒数;降低放电过程中的环电压,可有效抑制逃逸电子的产生。 展开更多

关键词 托卡马克 电流爬升 逃逸电子 阈值速度 密度

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磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究（英文） 被引量：2

6

作者 何波 徐静 +5 位作者 宁欢颇 邢怀中 王春瑞 张晓东 莫观孔 沈晓明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期44-49,共6页

采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO)/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性,通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/CdS/p-Si异质结J-V... 采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO)/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性,通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/CdS/p-Si异质结J-V曲线显示良好的整流特性。在±3 V时,整流比IF/IR(IF和IR分别表示正向和反向电流)已达到21。结果表明纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结具有好的二极管特性,在反向偏压下获得高光电流密度。纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结显示明显的光伏特性。由于CdS晶格常数在GZO和晶Si之间,它能作为一个介于GZO和晶Si之间的缓冲层,能有效地减少GZO和p-Si之间的界面态。因此,我们获得了GZO/CdS/p-Si异质结明显光伏特性。 展开更多

关键词 纳米晶GZO/CdS双层膜 磁控溅射 异质结 电流-电压(I-V)特性

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HT-7托卡马克等离子体逃逸电子螺旋角散射研究 被引量：1

7

作者 卢洪伟 查学军 +2 位作者 钟方川 周瑞杰 胡立群 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期711-716,共6页

在托卡马克等离子体中,相同的等离子体电流条件下,若在较低的等离子体密度条件下发生反常多普勒共振,将会导致逃逸电子快螺旋角散射(FPAS)的发生;若在较高的等离子体密度条件下发生反常多普勒共振,则会导致逃逸电子正常螺旋角散射(NPAS... 在托卡马克等离子体中,相同的等离子体电流条件下,若在较低的等离子体密度条件下发生反常多普勒共振,将会导致逃逸电子快螺旋角散射(FPAS)的发生;若在较高的等离子体密度条件下发生反常多普勒共振,则会导致逃逸电子正常螺旋角散射(NPAS)的发生。通过研究FPAS和NPAS条件下的逃逸电子行为,发现FPAS和NPAS均可一定程度增加逃逸电子的螺旋角,增加逃逸电子的同步辐射损失,减小逃逸电子的能量;且NPAS和FPAS对逃逸电子的影响主要集中在高能部分,对低能逃逸电子的影响较小。 展开更多

关键词 托卡马克 反常多普勒共振 逃逸电子 螺旋角

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简易化学水浴法制备SnO_2/p-Si异质结光电性能（英文） 被引量：1

8

作者 何波 徐静 +5 位作者 宁欢颇 赵磊 邢怀中 张建成 秦玉明 张磊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期139-143,共5页

通过一种简易化学水浴法将SnO_2薄膜沉积在晶硅衬底上以制备n-SnO_2/p-Si异质结光电器件,这种自制的化学水浴装置非常便宜和方便.采用XRD、SEM、XPS、PL、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征了SnO_2薄膜的微结构、光学和电学... 通过一种简易化学水浴法将SnO_2薄膜沉积在晶硅衬底上以制备n-SnO_2/p-Si异质结光电器件,这种自制的化学水浴装置非常便宜和方便.采用XRD、SEM、XPS、PL、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征了SnO_2薄膜的微结构、光学和电学性能,对SnO_2/p-Si异质结的I-V曲线进行测试并分析,获得明显的光电转换特性. 展开更多

关键词 SNO2薄膜 化学水浴法 异质结 I-V曲线

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交换关联势对PbS晶格常数和能带结构影响的第一性原理研究 被引量：1

9

作者 邢怀中 丁宗玲 +2 位作者 黄燕 梁二军 陈效双 《中国科学院研究生院学报》 CAS CSCD 2008年第2期167-171,共5页

基于第一性原理总能量平面波全势方法,采用广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)等不同的交换关联势,计算了体心结构PbS的总能,并给出了体系平衡时的晶格常数.讨论了不同交换关联势对能带结构、态密度、分态密度及能隙的影响.与面心结... 基于第一性原理总能量平面波全势方法,采用广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)等不同的交换关联势,计算了体心结构PbS的总能,并给出了体系平衡时的晶格常数.讨论了不同交换关联势对能带结构、态密度、分态密度及能隙的影响.与面心结构PbS结果对比,能量的计算结果表明,面心结构PbS较体心结构更稳定.另外,体心结构PbS的能带计算结果表明存在能隙,这与同族铅盐化合物中存在能隙的实验结论一致.上述PbS的计算结果有助于实验研究. 展开更多

关键词 交换关联势 态密度 能带结构 PBS

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CRT显示器色度校正的单参数模型 被引量：4

10

作者 何国兴 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期448-453,共6页

基于Gain-Offset-Gamma(GOG)模型,提出了CRT显示器色度校正的单参数(SP)模型。此模型表达简洁,计算简单,易编程实现。实验中分别采用SP模型和GOG模型测量了CRT显示器色度特性参数,并理论预测了CRT显示器屏幕色。实验结果表明,SP模型预... 基于Gain-Offset-Gamma(GOG)模型,提出了CRT显示器色度校正的单参数(SP)模型。此模型表达简洁,计算简单,易编程实现。实验中分别采用SP模型和GOG模型测量了CRT显示器色度特性参数,并理论预测了CRT显示器屏幕色。实验结果表明,SP模型预测的阶调复现曲线(TRCs)比GOG模型更符合测量值;对于选用的CRT显示器屏幕色样,GOG模型预测值与测量值的最大色差ΔECIE94为1.57,平均色差为1.11,而SP模型的预测值与测量值的最大色差ΔECIE94为1.06,平均色差为0.618,比GOG模型预测有较小的色差。因此,SP模型将成为最简单、高精度的一种计算机控制CRT显示器颜色表述方法。 展开更多

关键词 CRT显示器 色度校正 三刺激值 色差

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LCD显示器阶调复现曲线的函数表达 被引量：1

11

作者 何国兴 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期762-768,共7页

通过对S-shape和S-curve函数曲线的分析,提出了LCD显示器阶调复现曲线的S-form函数表达。实验采用X-RiteMonitor Optimizer测量了两台LCD显示器和一台CRT显示器的阶调复现曲线,并分别用S-shape,S-curve和S-form函数进行了拟合,结果表明:... 通过对S-shape和S-curve函数曲线的分析,提出了LCD显示器阶调复现曲线的S-form函数表达。实验采用X-RiteMonitor Optimizer测量了两台LCD显示器和一台CRT显示器的阶调复现曲线,并分别用S-shape,S-curve和S-form函数进行了拟合,结果表明:S-form函数拟合阶调复现测量曲线优于S-shape和S-curve函数;S-form函数不仅适用于LCD显示器,也适用于CRT显示器。 展开更多

关键词 LCD显示器 阶调复现曲线 拟合

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HT-7托卡马克等离子体密度调制实验中的逃逸电子行为

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作者 卢洪伟 查学军 +2 位作者 钟方川 胡立群 周瑞杰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期2655-2659,共5页

在HT-7托卡马克的等离子体密度调制实验中,通过对欧姆和低杂波电流驱动两种放电条件下等离子体逃逸电子辐射行为的研究,验证了非准稳态等离子体中逃逸电子的产生机制,研究了欧姆和低杂波电流驱动两种放电条件下的大量充气对等离子体整... 在HT-7托卡马克的等离子体密度调制实验中,通过对欧姆和低杂波电流驱动两种放电条件下等离子体逃逸电子辐射行为的研究,验证了非准稳态等离子体中逃逸电子的产生机制,研究了欧姆和低杂波电流驱动两种放电条件下的大量充气对等离子体整体约束性能的影响。研究结果发现:放电过程中额外的大量工作气体的充入使等离子体偏离了准稳态,逃逸电子初级产生机制和次级产生机制准稳态的假设条件被打破,这时候需要利用非准稳态条件下修正后的逃逸电子归一化阈值速度来解释逃逸电子的辐射行为;同时也发现放电过程中额外的大量工作气体的充入将使等离子体的整体约束性能变差。 展开更多

关键词 托卡马克 密度调制 逃逸电子 归一化阈值速度

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具有双负折射率通带的双结构单元渔网电磁超介质的数值模拟研究

13

作者 李兵 丁佩 +3 位作者 胡伟琴 蔡根旺 刘志峰 梁二军 《郑州大学学报（理学版）》 CAS 北大核心 2011年第1期103-108,共6页

基于传统的"金属-电介质-金属"渔网状电磁超介质,平行和交叉排列具有不同介电常数介质板的两种单元,利用数值方法研究了两种排列方式下渔网电磁超介质的左手行为.与采用单一介质板相比,使用两种电介质板形成的双结构单元渔网... 基于传统的"金属-电介质-金属"渔网状电磁超介质,平行和交叉排列具有不同介电常数介质板的两种单元,利用数值方法研究了两种排列方式下渔网电磁超介质的左手行为.与采用单一介质板相比,使用两种电介质板形成的双结构单元渔网结构能够使不同的单元在不同频率下谐振,表现出双负折射率通带.利用楔形结构和后向波模拟验证了两种排列方式下双结构单元渔网结构的负折射特性.利用双结构单元渔网结构,可以通过调节介质板的介电常数,同时在一个或多个频率带实现负折射,这为制作性能更为优良的多频带滤波器和变频通信微波器件等提供了一种可行方法. 展开更多

关键词 双介电常数 渔网结构 负折射

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CdSe四脚状纳米颗粒的光学性质(英文) 被引量：2

14

作者 赵莉娟 庞起 +2 位作者 杨世和 葛惟昆 王建农 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期167-171,179,共6页

主要研究了高产率CdSe四脚状纳米颗粒的时间分辨光学性质.结果表明在氯仿溶液中和均匀涂布在绝缘硅片上的CdSe四脚状纳米颗粒室温下的光致发光(PL)衰减曲线均可以用一个双e指数的衰减函数来拟合,荧光寿命短的部分对应快衰减,而寿命长的... 主要研究了高产率CdSe四脚状纳米颗粒的时间分辨光学性质.结果表明在氯仿溶液中和均匀涂布在绝缘硅片上的CdSe四脚状纳米颗粒室温下的光致发光(PL)衰减曲线均可以用一个双e指数的衰减函数来拟合,荧光寿命短的部分对应快衰减,而寿命长的部分对应慢衰减.通过分析荧光寿命与PL峰的能量的关系可知,快衰减和慢衰减分别来自于非局域态载流子和局域态载流子的贡献.通过比较溶液中和硅片上两种情况的快衰减和慢衰减系数的比值,得出结论:CdSe四脚状纳米颗粒的PL快衰减和慢衰减分别来源于纳米颗粒中非局域态和颗粒表面缺陷中局域态的贡献. 展开更多

关键词 四脚状纳米颗粒 PL衰减 局域载流子 表面缺陷

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Ga/N共掺杂对InSb电子结构的影响 被引量：3

15

作者 张会媛 邢怀中 张蕾 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期231-234,共4页

利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,研究了Ga和N共掺杂闪锌矿InSb半导体的电子结构和电子性质.研究发现单独掺杂Ga或N对InSb带隙的影响较小.在共掺杂Ga/N的情况下,当Ga/N浓度增加时对InSb的带隙影响明显.这些理论结果对半导体... 利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,研究了Ga和N共掺杂闪锌矿InSb半导体的电子结构和电子性质.研究发现单独掺杂Ga或N对InSb带隙的影响较小.在共掺杂Ga/N的情况下,当Ga/N浓度增加时对InSb的带隙影响明显.这些理论结果对半导体材料的能带工程提供了一定的参考价值. 展开更多

关键词 电子结构 Ga/N共掺杂 INSB

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线缺陷对二维四方圆柱形介质光子晶体禁带的影响 被引量：4

16

作者 孙家兆 邢怀中 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期389-391,共3页

利用平面波展开方法研究了二维四方格子圆柱形介质光子晶体中线缺陷对光子禁带的影响.结果表明光子晶体中的缺陷层圆柱半径及缺陷层厚度对光子晶体禁带有显著影响.TE波的第一禁带宽度随着缺陷层半径的增加先增加后减小,禁带的中心位置... 利用平面波展开方法研究了二维四方格子圆柱形介质光子晶体中线缺陷对光子禁带的影响.结果表明光子晶体中的缺陷层圆柱半径及缺陷层厚度对光子晶体禁带有显著影响.TE波的第一禁带宽度随着缺陷层半径的增加先增加后减小,禁带的中心位置随着缺陷层圆柱半径的增加而下降,禁带的数目也随着缺陷层圆柱半径的增加而明显变化.禁带的宽度随着缺陷层厚度与正常层厚度差别的增加而减小. 展开更多

关键词 光子晶体 光子禁带 平面波展开法 缺陷层

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不同大气窗口太赫兹偏振器的仿真设计 被引量：1

17

作者 袁玉霞 袁斌 +4 位作者 丁佩 胡伟琴 张璐 周强 梁二军 《郑州大学学报（理学版）》 CAS 北大核心 2009年第3期54-58,共5页

太赫兹偏振器是太赫兹雷达和太赫兹通信的必要器件.针对太赫兹雷达和太赫兹通信应用的0.12THz,0.225THz,0.3THz,0.35THz,0.41THz,0.67THz,0.85THz,2.5THz附近的大气窗口,设计了太赫兹波金属线栅结构偏振器,研究了不同大气窗口偏振器的... 太赫兹偏振器是太赫兹雷达和太赫兹通信的必要器件.针对太赫兹雷达和太赫兹通信应用的0.12THz,0.225THz,0.3THz,0.35THz,0.41THz,0.67THz,0.85THz,2.5THz附近的大气窗口,设计了太赫兹波金属线栅结构偏振器,研究了不同大气窗口偏振器的金属线半径和线栅周期对其偏振性能的影响.结果表明,金属线半径和线栅周期对偏振器的反射系数和透射系数有重要影响;对于太赫兹波段不同大气窗口,偏振器有不同的最佳金属线半径和线栅周期;通过对金属线栅偏振器的结构尺寸优化,得到了不同大气窗口偏振器的最佳尺寸范围.所设计的偏振器具有高隔离度、低插入损耗和低驻波比的优越性能. 展开更多

关键词 太赫兹 偏振器 金属线栅 反射系数 透射系数

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Si掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响

18

作者 张蕾 邢怀中 +2 位作者 黄燕 张会媛 王基庆 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期229-231,249,共4页

利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的内禀磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的内禀磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭为2μB.随Si含量的增加磁矩进一步减少.该理论结果对实验... 利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的内禀磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的内禀磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭为2μB.随Si含量的增加磁矩进一步减少.该理论结果对实验有指导意义. 展开更多

关键词 GaN:Si 第一性原理 磁性

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