（Ge）_n／（Si）_n应变层超晶格的电子结构

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作者 张国英 刘贵立 黄和鸾 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期54-57,64,共5页

本文用ＬＣＡＯ－Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了应变层超晶格（ＳＬＳ）（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ（ｎ＝１，２）的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ｇｅ、Ｓｉ的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的ｎ对（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎＳ... 本文用ＬＣＡＯ－Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了应变层超晶格（ＳＬＳ）（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ（ｎ＝１，２）的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ｇｅ、Ｓｉ的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的ｎ对（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎＳＬＳ电子结构的影响。我们发现超晶格表面存在表面态，表面退杂化。电子在超晶格界面处发生转移，并随ｎ的不同，转移量不同。 展开更多

关键词 应变 超晶格 电子结构 态密度

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面向移动终端的三角网格逆细分压缩算法 被引量：13

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作者 马建平 罗笑南 +1 位作者 陈渤 李峥 《软件学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第9期2607-2615,共9页

针对移动用户的实时显示需求,提出一种基于逆细分的三角网格压缩算法.通过改进逆Butterfly简化算法,采用逆改版Loop模式,将细密的三角网格简化生成由稀疏的基网格和一系列偏移量组成的渐进网格;然后,通过设计偏移量小波树,将渐进网格进... 针对移动用户的实时显示需求,提出一种基于逆细分的三角网格压缩算法.通过改进逆Butterfly简化算法,采用逆改版Loop模式,将细密的三角网格简化生成由稀疏的基网格和一系列偏移量组成的渐进网格;然后,通过设计偏移量小波树,将渐进网格进行嵌入式零树编码压缩.实验结果表明:该算法与以往方法相比,在获得较高压缩比的同时,运行速度较快.适用于几何模型的网络渐进传输和在移动终端上的3D图形实时渲染. 展开更多

关键词 逆细分 移动终端 移动3D图形 渐进网格 零树编码

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一种面向移动3D图形的几何简化方法 被引量：7

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作者 马建平 罗笑南 +1 位作者 陈渤 陈华鸿 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2008年第8期1395-1401,共7页

移动3D图形计算是无线网络和图形学高速发展产生的新研究领域.由于无线网络带宽和移动终端设备显示分辨率的限制,需要将3D图形进行分解压缩,依据不同的分辨率进行内容转码.提出了一种基于改进Loop细分的几何模型简化算法.一个稠密的几... 移动3D图形计算是无线网络和图形学高速发展产生的新研究领域.由于无线网络带宽和移动终端设备显示分辨率的限制,需要将3D图形进行分解压缩,依据不同的分辨率进行内容转码.提出了一种基于改进Loop细分的几何模型简化算法.一个稠密的几何网格通过反复操作3个步骤:顶点分裂、奇点预测和重新三角化,生成由稀疏的基网格和一系列偏移量组成的渐进网格.在奇点预测过程中,将改进Loop细分模板作为预测器.由于Loop细分相关联的顶点数目少,提高了几何模型简化和重建的速度.渐进网格易于在无线网络上渐进传输,并可在移动终端上无损重建3D图形.实验表明,算法简单、效率高,适用于移动环境下3D图形的应用. 展开更多

关键词 移动3D图形 网格简化 渐进网格 多分辨率 曲面细分

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蚀坑法求算取向硅钢再结晶织构的 ODF 被引量：2

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作者 刘刚 王福 +1 位作者 苏雷 魏兴权 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期613-616,共4页

取向硅钢的再结晶织构因晶粒粗大而难以用Ｘ射线衍射测量．根据板材表面金相蚀坑的几何特征，确定了晶粒在欧拉空间的取向｛ψ，θ，φ｝，并编制出了由蚀坑测量参数直接求算ＯＤＦ的软件程序．采用该程序快捷而准确地求算了具有粗大晶... 取向硅钢的再结晶织构因晶粒粗大而难以用Ｘ射线衍射测量．根据板材表面金相蚀坑的几何特征，确定了晶粒在欧拉空间的取向｛ψ，θ，φ｝，并编制出了由蚀坑测量参数直接求算ＯＤＦ的软件程序．采用该程序快捷而准确地求算了具有粗大晶粒的取向硅钢的三次再结晶织构．实算结果表明这种方法合理、实用，弥补了Ｘ射线织构分析方法之不足． 展开更多

关键词 金相蚀坑 ODF计算 再结晶织构 蚀坑法 硅钢

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一种新型的高均匀性非制冷红外读出电路研究 被引量：2

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作者 周云 张丽 +1 位作者 吕坚 蒋亚东 《红外技术》 CSCD 北大核心 2014年第1期22-25,共4页

针对非制冷红外探测器系统,设计了一种高均匀性的读出电路(ROIC)结构。由于非制冷红外焦平面阵列中微测辐射热计的制作工艺存在偏差导致探测器输出存在非均匀性,其中列条纹尤为明显。所提出的读出电路能有效地消除列条纹、提高均匀性。... 针对非制冷红外探测器系统,设计了一种高均匀性的读出电路(ROIC)结构。由于非制冷红外焦平面阵列中微测辐射热计的制作工艺存在偏差导致探测器输出存在非均匀性,其中列条纹尤为明显。所提出的读出电路能有效地消除列条纹、提高均匀性。该ROIC已在0.5?m CMOS工艺下成功流片,并应用到阵列大小为320×240的非制冷微测辐射热计焦平面上。测试结果表明:固定图像噪声(FPN)仅为0.088V,无明显列条纹。该ROIC在高均匀性的非制冷红外探测器上有着广泛的应用。 展开更多

关键词 非制冷 微测辐射热计 非均匀性 读出电路(ROIC)

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LaFeO3纳米晶薄膜及其气敏特性的研究

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作者 赵善麒 才宏 +4 位作者 彭作岩 赵纯 徐宝琨 赵慕愚 邢建力 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1994年第4期409-412,共4页

关键词 氧化铁镧 纳米晶薄膜 气敏元件 气敏特性

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PROM器件中Ni-Cr熔丝的设计

7

作者 孙承松 张丽娟 +1 位作者 陈桂梅 袁凯 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 2006年第3期315-317,共3页

介绍了应用在PROM器件中的Ni-Cr熔丝电阻的设计.熔丝是决定PROM器件稳定性的关键元件.Ni-Cr薄膜材料有良好的半导体加工特性和温度稳定性.通过热学分析和测试实验,得到相关数据,设计出熔丝形状以及三维尺寸.再根据此集成电路器件的整体... 介绍了应用在PROM器件中的Ni-Cr熔丝电阻的设计.熔丝是决定PROM器件稳定性的关键元件.Ni-Cr薄膜材料有良好的半导体加工特性和温度稳定性.通过热学分析和测试实验,得到相关数据,设计出熔丝形状以及三维尺寸.再根据此集成电路器件的整体版图布局设计出可应用到PROM中的Ni-Cr熔丝.采用磁控溅射方法,通过控制工艺条件得到所需的薄膜厚度,经光刻形成所需图形.通过产品的读取测试实验,取得了良好的效果. 展开更多

关键词 Ni—Cr电阻 熔丝 可编程只读存储器 集成电路 设计

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新型PSOI LDMOSFET的结构优化

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作者 程新红 宋朝瑞 +2 位作者 俞跃辉 姜丽娟 许仲德 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期444-447,459,共5页

针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI(PSOI)横向双扩散MOSFET(LDMOSFET)进行了结构优化分析,发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层硅厚度使PSOILDMOSFET具有最大的击穿电压和较低的开态电阻。PSOI结构的RESURF条件为Nd·tsi=1.8... 针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI(PSOI)横向双扩散MOSFET(LDMOSFET)进行了结构优化分析,发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层硅厚度使PSOILDMOSFET具有最大的击穿电压和较低的开态电阻。PSOI结构的RESURF条件为Nd·tsi=1.8～3×1012cm-2。对结构优化的PSOILDMOSFET进行了开态输出特性模拟,输出特性曲线没有曲翘现象和负导现象,开态击穿电压可达到16V,器件有源区的温度降低了50℃。结构优化有利于提高器件性能和降低器件的开发成本。 展开更多

关键词 图形化PSOI 横向双扩散MOSFET 击穿电压 结构优化

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利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET

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作者 程新红 宋朝瑞 +2 位作者 俞跃辉 袁凯 许仲德 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期523-525,共3页

对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接。采用与常规1μmSOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOXSOI片上制备了LDMOS结构的功率器件。器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明... 对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接。采用与常规1μmSOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOXSOI片上制备了LDMOS结构的功率器件。器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明形成的体连接有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应。当漂移区长度为2μm时,开态击穿电压达到10V,最大跨导17.5mS/mm。当漏偏压为5V时,SOI器件的泄漏电流数量级为1nA,而相应体硅结构器件的泄漏电流为1000nA。电学性能表明,这种改善的体连接技术能制备出高性能的SOI功率器件。 展开更多

关键词 硅-绝缘体 体连接 横向双扩散金属氧化物半导体

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白宝石(Al_2O_3)晶体基片用抛光液的研制及加工工艺 被引量：4

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作者 张向东 赵海法 +1 位作者 江晓平 张革 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期405-407,共3页

关键词 白宝石 A12O3 晶体基片 抛光液 研制 加工工艺 半导体 氧化铝

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多晶硅薄膜和金属铝接触的研究 被引量：1

11

作者 马平西 魏希文 +2 位作者 王美田 师延进 陈国栋 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第2期197-202,共6页

研究了ｎ型多晶硅薄膜和铝的欧姆按触、整流接触。在掺杂浓度Ｎ≥２．９×１０１９ ｃｍ－３的情况下为欧姆接触：在掺杂浓度Ｎ≤２．９×１０１８ｃｍ－３的情况下为整流接触； 用ＴＬＭ方法测出了Ｎ＝２．９×１０１９ｃ... 研究了ｎ型多晶硅薄膜和铝的欧姆按触、整流接触。在掺杂浓度Ｎ≥２．９×１０１９ ｃｍ－３的情况下为欧姆接触：在掺杂浓度Ｎ≤２．９×１０１８ｃｍ－３的情况下为整流接触； 用ＴＬＭ方法测出了Ｎ＝２．９×１０１９ｃｍ－３时的接触电阻率ρｃ＝５．５４×１０－３Ω．ｃｍ２； 从理论上定量地分析了掺杂浓度（１．４×１０１７～２．９×１０１９）ｃｍ－３的Ｕ－Ｉ特性曲线．理 论计算结果和实验数据符合较好．讨论了肖特基势垒高度φｂ和晶粒间界势垒高度φｇ 随掺杂浓度变化的规律，φｂ不随Ｎ变化，保持为常数；而φｇ却有极值。在实验 方面．探讨了用Ｔｉ代替Ａ１实现低阻浅结欧姆接触的可能性。在掺杂浓度较低的情 况下，给出了制备欧姆接触的方法。 展开更多

关键词 多晶硅 薄膜 铝 欧姆接触

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场区加固工艺技术研究 被引量：2

12

作者 郭常厚 赵晓辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期505-507,515,共4页

通过对应用在空间辐射环境下的CMOS LSI电离辐射效应的分析，从中找出电路加固的思路和方法。在电离辐射效应中，CMOS LSI的SiO2中正电荷的累积和SiO2-Si界面态的改变引起的参数变化，会严重影响电路的性能和功能。SiO2中正电荷的累积... 通过对应用在空间辐射环境下的CMOS LSI电离辐射效应的分析，从中找出电路加固的思路和方法。在电离辐射效应中，CMOS LSI的SiO2中正电荷的累积和SiO2-Si界面态的改变引起的参数变化，会严重影响电路的性能和功能。SiO2中正电荷的累积与其厚度成正比。在CMOS电路中，起MOSFET隔离作用的场区SiO2层厚度最大，是加固的重点之一。主要介绍一种场区加固工艺技术。通过制造SiO2-Si3N4复合场介质层，减小了场氧化层的厚度并改变了SiO2-Si界面状态。在电离辐射效应试验中，使CMOS电路的漏电电流在辐照前后的变化量降低了1．2个量级，为进一步提高电路的抗辐射性能提供了一种可供选择的工艺加固方法。 展开更多

关键词 电离辐射效应 互补型金属氧化物半导体大规模集成电路 场区 复合介质

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新型信息载体iButton的基本原理及开发应用 被引量：3

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作者 王天科 李树良 《现代电子技术》 2004年第23期53-55,共3页

简述了一种新颖的智能信息载体 i Button的基本功能与特点 ,他是一种只有 2个引脚 (一根数据引线和一根地线 )的集成电路 ,分析了 i Button的工作机理。

关键词 IBUTTON 单总线系统 IC卡 信息载体

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硼铝乳胶源扩散的质量控制途径 被引量：2

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作者 郑陶雷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期64-64,F003,F004,共3页

乳胶源扩散是近年来得到应用的新工艺,它具有扩散参数均匀的特点,其应用不断推广。本文对影响硼铝乳胶源扩散质量的各种因素进行了试验,在此基础上探讨质量控制的方法。

关键词 乳胶源 扩散 硼 铝 半导体器件

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CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性

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作者 王怀荣 姚达 +4 位作者 苏秀娣 许仲德 陆剑侠 顾长志 金曾孙 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1999年第3期72-74,共3页

以金刚石膜作为绝缘埋层， 利用金刚石膜上的薄层硅（ Ｓ Ｏ Ｄ）技术， 制作 ５４ Ｈ Ｃ Ｔ０３ Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ／ Ｓ Ｏ Ｄ 结构的集成电路． 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究． 结果表明， Ｓ Ｏ Ｄ 电路在大剂量辐照后的恢复能... 以金刚石膜作为绝缘埋层， 利用金刚石膜上的薄层硅（ Ｓ Ｏ Ｄ）技术， 制作 ５４ Ｈ Ｃ Ｔ０３ Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ／ Ｓ Ｏ Ｄ 结构的集成电路． 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究． 结果表明， Ｓ Ｏ Ｄ 电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路； 常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的 Ｓ Ｏ Ｄ 展开更多

关键词 集成电路 抗辐射 恢复 CMOS/SOD电路 抗核加固

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粮库温、湿度控制与管理系统的实现

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作者 王鼎 王幼林 陈铮 《农业机械学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期168-170,共3页

介绍了对于粮库之类的库房的温、湿度控制与管理系统结构及基本设计思想，并侧重说明了温、湿度数据的采集、传递。

关键词 温度 湿度 管理系统 仓库 粮食

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一种新的互连延迟度量

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作者 苏舟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期69-71,29,共4页

互连线的延迟已成为集成电路设计中必须解决的问题,人们已展开了全面、深入地研究,提出了许多方法。本文将在这些方法的基础上,利用二阶瞬态推出新的单极点模型,并利用它来计算延迟。实验证明这种方法准确,有效。

关键词 互连线延迟 单极点模型 延迟计算 集成电路

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