期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究
被引量：
1
1
作者
颜建锋
梁红伟
+5 位作者
吕有明
刘益春
李炳辉
申德振
张吉英
范希武
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期103-106,共4页
在Si( 111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延 (P MBE)生长氧化锌 (ZnO)薄膜 ,研究了在不同衬底生长温度下 ( 35 0～ 75 0℃ )制备的ZnO薄膜的结构和光学性质 .随着衬底温度的升高 ,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大 ,...
在Si( 111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延 (P MBE)生长氧化锌 (ZnO)薄膜 ,研究了在不同衬底生长温度下 ( 35 0～ 75 0℃ )制备的ZnO薄膜的结构和光学性质 .随着衬底温度的升高 ,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大 ,衬底温度为 5 5 0℃样品的结构及光学性质都比较好 ,这表明 5 5 0℃为在Si( 111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度 ;同时 ,我们还通过 5 5 0℃样品的变温光致发光谱 ( 81～ 30 0K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源 。
展开更多
关键词
氧化锌薄膜
等离子体辅助分子束外延法
光致发光
半导体材料
X射线衍射分析
在线阅读
下载PDF
职称材料
离子注入及后退火方法制备SiO_2基质中镶嵌ZnO纳米粒子的结构和光学性质
被引量：
3
2
作者
刘玉学
刘益春
+3 位作者
申德振
钟国柱
范希武
孔祥贵
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期445-450,共6页
利用离子注入及后退火方法在光学纯的石英基片中注入 3× 10 17cm-2 剂量的Zn离子 ,然后在不同的退火条件下制备了高质量的镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子。X射线衍射光谱的实验结果表明 :在氧气气氛、70 0℃退火温度和 2小时退火...
利用离子注入及后退火方法在光学纯的石英基片中注入 3× 10 17cm-2 剂量的Zn离子 ,然后在不同的退火条件下制备了高质量的镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子。X射线衍射光谱的实验结果表明 :在氧气气氛、70 0℃退火温度和 2小时退火时间条件下 ,得到了 (0 0 2 )择优取向镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子 ;而在 70 0℃退火温度、N2 和O2 气氛下顺次退火 1小时 ,得到了比上述条件 (0 0 2 )择优取向更好的ZnO纳米粒子。室温下对用上述两种条件制备的镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子观察到了自由激子吸收峰。室温光致发光谱中观察到了ZnO纳米粒子位于 3 2 9eV处的强紫外发射 ,紫外发射强度与深能级发光强度之比为4 0 ,紫外发射峰的半高宽为 96meV ,晶体质量类似于分子束外延方法生长的ZnO。在低温 (77K)光致发光谱中 。
展开更多
关键词
后退火方法
制备
SiO2基质
结构
光学性质
离子注入
ZNO纳米粒子
光致发光
激子
氧化锌
二氧化硅基质
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究
被引量：
1
1
作者
颜建锋
梁红伟
吕有明
刘益春
李炳辉
申德振
张吉英
范希武
机构
东北师范大学物理系理论物理研究所
中国科学院长春光学精密机械与
物理
研究所
激发态
物理
重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期103-106,共4页
基金
国家"8 63"高技术 .新材料领域 (2 0 0 1AA3 1112 )
国家自然科学重点基金(60 3 3 60 2 0 )
+3 种基金
国家自然科学基金资助项目(60 1760 0 3
60 2 780 31
60 3 760 0 9)
中国科学院二期创新资助项目
文摘
在Si( 111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延 (P MBE)生长氧化锌 (ZnO)薄膜 ,研究了在不同衬底生长温度下 ( 35 0～ 75 0℃ )制备的ZnO薄膜的结构和光学性质 .随着衬底温度的升高 ,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大 ,衬底温度为 5 5 0℃样品的结构及光学性质都比较好 ,这表明 5 5 0℃为在Si( 111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度 ;同时 ,我们还通过 5 5 0℃样品的变温光致发光谱 ( 81～ 30 0K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源 。
关键词
氧化锌薄膜
等离子体辅助分子束外延法
光致发光
半导体材料
X射线衍射分析
Keywords
zinc oxide (ZnO)
plasma assisted molecular beam epitaxy
photoluminescence
adsorption
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
O484.41 [理学—固体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
离子注入及后退火方法制备SiO_2基质中镶嵌ZnO纳米粒子的结构和光学性质
被引量：
3
2
作者
刘玉学
刘益春
申德振
钟国柱
范希武
孔祥贵
机构
中国科学院激发态
物理
重点实验室
东北师范大学物理系理论物理研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期445-450,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目 (60 1760 0 3 )
文摘
利用离子注入及后退火方法在光学纯的石英基片中注入 3× 10 17cm-2 剂量的Zn离子 ,然后在不同的退火条件下制备了高质量的镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子。X射线衍射光谱的实验结果表明 :在氧气气氛、70 0℃退火温度和 2小时退火时间条件下 ,得到了 (0 0 2 )择优取向镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子 ;而在 70 0℃退火温度、N2 和O2 气氛下顺次退火 1小时 ,得到了比上述条件 (0 0 2 )择优取向更好的ZnO纳米粒子。室温下对用上述两种条件制备的镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子观察到了自由激子吸收峰。室温光致发光谱中观察到了ZnO纳米粒子位于 3 2 9eV处的强紫外发射 ,紫外发射强度与深能级发光强度之比为4 0 ,紫外发射峰的半高宽为 96meV ,晶体质量类似于分子束外延方法生长的ZnO。在低温 (77K)光致发光谱中 。
关键词
后退火方法
制备
SiO2基质
结构
光学性质
离子注入
ZNO纳米粒子
光致发光
激子
氧化锌
二氧化硅基质
Keywords
ion implantation
ZnO nanoparticles
thermal annealing
photoluminescence
exciton
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
O472.3 [理学—半导体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究
颜建锋
梁红伟
吕有明
刘益春
李炳辉
申德振
张吉英
范希武
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
离子注入及后退火方法制备SiO_2基质中镶嵌ZnO纳米粒子的结构和光学性质
刘玉学
刘益春
申德振
钟国柱
范希武
孔祥贵
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
