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采用磁桶和同心等离子体源及材料源的等离子体淀积方法及设备
1
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2006年第6期50-50,共1页
将导电金属涂敷材料从磁控溅射靶上溅射出来，利用带有射频能量的高密度等离子体使溅射出的导电金属涂敷材料在真空处理空间内离子化，射频耦合能量来自线圈，线圈位于真空室外面、绝缘窗后面，真空室壁面上的绝缘窗位于溅射靶的开口的...
将导电金属涂敷材料从磁控溅射靶上溅射出来，利用带有射频能量的高密度等离子体使溅射出的导电金属涂敷材料在真空处理空间内离子化，射频耦合能量来自线圈，线圈位于真空室外面、绝缘窗后面，真空室壁面上的绝缘窗位于溅射靶的开口的中央位置。真空室的压强为10—100毫乇。磁桶由永磁铁所组成的磁铁阵列形成，在真空室壁面后面，产生一个多磁力线交点的磁场，推斥来自等离子体、朝着真空室壁面方向运动的带电粒子，从而，增强了对等离子体的约束，提高了等离子体密度、等离子体的均匀性及涂敷材料的离子化比例。
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关键词
等离子体淀积
等离子体源
磁控溅射靶
高密度等离子体
设备
料源
涂敷材料
等离子体密度
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职称材料
题名
采用磁桶和同心等离子体源及材料源的等离子体淀积方法及设备
1
机构
东京电子有限公司
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2006年第6期50-50,共1页
文摘
将导电金属涂敷材料从磁控溅射靶上溅射出来，利用带有射频能量的高密度等离子体使溅射出的导电金属涂敷材料在真空处理空间内离子化，射频耦合能量来自线圈，线圈位于真空室外面、绝缘窗后面，真空室壁面上的绝缘窗位于溅射靶的开口的中央位置。真空室的压强为10—100毫乇。磁桶由永磁铁所组成的磁铁阵列形成，在真空室壁面后面，产生一个多磁力线交点的磁场，推斥来自等离子体、朝着真空室壁面方向运动的带电粒子，从而，增强了对等离子体的约束，提高了等离子体密度、等离子体的均匀性及涂敷材料的离子化比例。
关键词
等离子体淀积
等离子体源
磁控溅射靶
高密度等离子体
设备
料源
涂敷材料
等离子体密度
分类号
O531 [理学—等离子体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
采用磁桶和同心等离子体源及材料源的等离子体淀积方法及设备
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2006
0
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