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先进CMOS工艺栅极氧化膜的硅片级可靠性评价
1
作者
赵毅
万星拱
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期539-543,共5页
可靠性评价的结果可直接关系到一个工艺是否能投入实际生产,也可反应出工艺中存在的问题。随着工艺更新速度的加快,硅片级可靠性(WLR)测试应运而生,其核心任务就是快速有效地评价工艺的可靠性,并对工艺进行监控。本文介绍了CMOS器件栅...
可靠性评价的结果可直接关系到一个工艺是否能投入实际生产,也可反应出工艺中存在的问题。随着工艺更新速度的加快,硅片级可靠性(WLR)测试应运而生,其核心任务就是快速有效地评价工艺的可靠性,并对工艺进行监控。本文介绍了CMOS器件栅极氧化膜的硅片级可靠性快速评价方法以及失效机理,并给出了0.18μm CMOS工艺硅片级可靠性评价的最新研究亮点。
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关键词
CMOS工艺
栅极氧化膜
硅片级
可靠性
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职称材料
题名
先进CMOS工艺栅极氧化膜的硅片级可靠性评价
1
作者
赵毅
万星拱
机构
东京大学材料系
上海集成电路研发中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期539-543,共5页
文摘
可靠性评价的结果可直接关系到一个工艺是否能投入实际生产,也可反应出工艺中存在的问题。随着工艺更新速度的加快,硅片级可靠性(WLR)测试应运而生,其核心任务就是快速有效地评价工艺的可靠性,并对工艺进行监控。本文介绍了CMOS器件栅极氧化膜的硅片级可靠性快速评价方法以及失效机理,并给出了0.18μm CMOS工艺硅片级可靠性评价的最新研究亮点。
关键词
CMOS工艺
栅极氧化膜
硅片级
可靠性
Keywords
CMOS process
gate oxide
wafer level
reliability
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
先进CMOS工艺栅极氧化膜的硅片级可靠性评价
赵毅
万星拱
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
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