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砷化镓8Bit ADC电路的抗辐射设计和辐照试验研究
1
作者
田国平
王丽
朱思成
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期1042-1046,共5页
砷化镓模数转换器(ADC)具有良好的电性能和耐辐照能力,广泛应用于各种领域,尤其是航空航天领域.电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,在前期对电路进行辐照试验基础上,针对电路设计和工艺制造进行大规模集成电路的抗辐射研究,改进电...
砷化镓模数转换器(ADC)具有良好的电性能和耐辐照能力,广泛应用于各种领域,尤其是航空航天领域.电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,在前期对电路进行辐照试验基础上,针对电路设计和工艺制造进行大规模集成电路的抗辐射研究,改进电路的设计和工艺制造技术,提高电路的抗辐射能力.本文主要对该电路的设计、工艺研究和γ总剂量辐照试验进行描述,试验结果表明该模数转换器能够抗100K rad(Si)总剂量的辐照.
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关键词
砷化镓
模数转换
抗辐射
总剂量
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职称材料
大直径InP单晶生长研究
被引量：
4
2
作者
周晓龙
杨克武
+2 位作者
杨瑞霞
孙同年
孙聂枫
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期311-314,共4页
生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶的产生一直是InP单晶生长技术的研究重点。通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程中的几个重要因素包括加热器和保温系统、掺杂剂、坩埚和生长参数等的分析,设计了合适的...
生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶的产生一直是InP单晶生长技术的研究重点。通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程中的几个重要因素包括加热器和保温系统、掺杂剂、坩埚和生长参数等的分析,设计了合适的热场系统和生长条件,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计并制造的高压单晶炉内首先将In和P进行合成,然后采用后加热器加热、坩埚随动等技术重复生长了直径为100～142 mm的大直径InP单晶。讨论了关于避免孪晶产生的关键技术,所提到的条件都得到优化后,单晶率就会大幅上升。
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关键词
磷化铟
直径
孪晶
热场
液封直拉
坩埚
单晶
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职称材料
题名
砷化镓8Bit ADC电路的抗辐射设计和辐照试验研究
1
作者
田国平
王丽
朱思成
机构
专用集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第十三研究所
中国
国防
科技
信息中心
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期1042-1046,共5页
文摘
砷化镓模数转换器(ADC)具有良好的电性能和耐辐照能力,广泛应用于各种领域,尤其是航空航天领域.电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,在前期对电路进行辐照试验基础上,针对电路设计和工艺制造进行大规模集成电路的抗辐射研究,改进电路的设计和工艺制造技术,提高电路的抗辐射能力.本文主要对该电路的设计、工艺研究和γ总剂量辐照试验进行描述,试验结果表明该模数转换器能够抗100K rad(Si)总剂量的辐照.
关键词
砷化镓
模数转换
抗辐射
总剂量
Keywords
GaAs
analog to digital
radiation resistance
total dose
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
大直径InP单晶生长研究
被引量：
4
2
作者
周晓龙
杨克武
杨瑞霞
孙同年
孙聂枫
机构
河北工业大学信息工程学院
专用集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期311-314,共4页
文摘
生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶的产生一直是InP单晶生长技术的研究重点。通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程中的几个重要因素包括加热器和保温系统、掺杂剂、坩埚和生长参数等的分析,设计了合适的热场系统和生长条件,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计并制造的高压单晶炉内首先将In和P进行合成,然后采用后加热器加热、坩埚随动等技术重复生长了直径为100～142 mm的大直径InP单晶。讨论了关于避免孪晶产生的关键技术,所提到的条件都得到优化后,单晶率就会大幅上升。
关键词
磷化铟
直径
孪晶
热场
液封直拉
坩埚
单晶
Keywords
InP
diameter
twins
thermal field
LEC
crucible
single crystal
分类号
O731 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
砷化镓8Bit ADC电路的抗辐射设计和辐照试验研究
田国平
王丽
朱思成
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
在线阅读
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职称材料
2
大直径InP单晶生长研究
周晓龙
杨克武
杨瑞霞
孙同年
孙聂枫
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
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职称材料
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