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题名提高SiC MESFET栅金属平坦性的方法
被引量：2
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作者
霍玉柱
商庆杰
杨霏
潘宏菽
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机构
专用集成电路国家级重点实验室河北半导体研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期221-224,共4页
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文摘
SiC金属-半导体场效应晶体管的工艺研制中,通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法,但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题,若隔离台阶太陡,则栅金属在台阶处连续性较差,易产生电迁徙,器件工作时首先在此处烧毁,使器件失效。设计了几种提高栅金属平坦性的方法:通过优化台上掩模层台阶倾斜角以及调整刻蚀ICP,RIE功率可以实现18°左右倾斜台阶;通过"类平坦化"技术可以将绝缘介质淀积到台下区,基本实现无台阶;利用"离子注入隔离"取代"刻蚀隔离"则可以真正实现无台阶。实验验证以上方法可以有效提高栅金属的平坦性。
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关键词
金属-半导体场效应晶体管
栅金属:平坦性
隔离台阶
电迁徙
离子注入隔离
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Keywords
MESFET
gate metal
flatness
isolation mesa
electromigration
implantation isolation
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分类号
TN386.3
[电子电信—物理电子学]
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